פּאָרעז סיליקאָן קאַרבייד קעראַמיק פּראַסעסינג און פּראָפּערטיעס

Ⅰ. הקדמה

פּאָרעז סיליקאָן קאַרבייד (פּאָרעז SiC) קעראַמיקסזענען פארגעשריטענע קעראַמישע מאַטעריאַלן וואָס קאָמבינירן די אויסגעצייכנטע אייגנשאַפטן פון סיליקאָן קאַרבייד מיט אַ קערפֿול אינזשענירטער פּאָרעזער סטרוקטור. ניט ווי געדיכט SiC קעראַמיק, פּאָרעז SiC פֿירט אײַן פֿאַרבונדענע פּאָרן וואָס צושטעלן נאָך פֿונקציעס, אַרײַנגערעכנט קאָנטראָלירטע דורכדרינגלעכקייט, לײַכטן דיזײַן, טערמישע איזאָלאַציע און פֿאַרבעסערטע פֿליסיקייט טראַנספּאָרט קייפּאַביליטי.

מיט אויסגעצייכנטער טערמישער פעסטקייט, כעמישע קעגנשטעל, און מעכאנישע פאַרלעסלעכקייט, פּאָרעזער SiC קעראַמיק איז געוואָרן אַלץ וויכטיקער אין הויך-טעמפּעראַטור אינדוסטריעס, ספּעציעל האַלב-קאָנדוקטאָר מאַנופאַקטורינג, וואו פּראָצעס סביבות פאָדערן הויך ריינקייט, קעראָוזשאַן קעגנשטעל, און לאַנג-טערמין אָפּעראַציאָנעלע פעסטקייט.

Ⅱ. מאַטעריאַל אייגנשאַפטן פון פּאָרעז סיליקאָן קאַרבייד קעראַמיק

1. הויך-טעמפּעראַטור פעסטקייט

סיליקאָן קאַרבייד איז באַקאַנט פֿאַר זײַן אויסגעצייכנטן פאָרשטעלונג אונטער עקסטרעמע טעמפּעראַטורן צוליב זײַן שטאַרקער Si-C קאָוואַלענטער פֿאַרבינדונג. פּאָרעזער SiC האַלט די סטרוקטורעלע אָרנטלעכקייט אין הויך-טעמפּעראַטור סביבות, מאַכנדיג עס פּאַסיק פֿאַר האַלב-קאָנדוקטאָר טערמישע פּראַסעסינג, עפּיטאַקסי סיסטעמען און אויוון קאָמפּאָנענטן.

זיין נידעריק טערמישע יקספּאַנשאַן קאָואַפישאַנט און ויסגעצייכנט טערמישע שאָק קעגנשטעל העלפֿן רעדוצירן דעפאָרמאַציע און פֿאַרבעסערן פּראָצעס פעסטקייט.

2. העכערע כעמישע און פּלאַזמע קעגנשטעל

האַלב-קאָנדוקטאָר פאַבריקאַציע ינוואַלווז אַגרעסיוו גאַזן און פּלאַזמע ינווייראַנמאַנץ, אַרייַנגערעכנט קלאָר-באַזירט גאַזן, פלאָרין פּלאַזמע, און הויך-טעמפּעראַטור רעאַקטיוו אַטמאָספערעס.

פּאָרעז SiC קעראַמיקס פאָרשלאָגן:

• אויסגעצייכנטע אָקסידאַציע קעגנשטעל
• הויכע כעמישע פעסטקייט
• שטאַרקע פּלאַזמע עראָוזיע קעגנשטעל
• נידעריקע קאַנטאַמאַניישאַן קעראַקטעריסטיקס

די מעלות העלפֿן רעדוצירן פּאַרטיקל דזשענעריישאַן און פֿאַרלענגערן קאָמפּאָנענט לעבן אין האַלב-קאָנדוקטאָר ויסריכט.

3. קאָנטראָלירטע פּאָראָסיטי און גאַז דורכדרינגלעכקייט

דער הויפּט מייַלע פון ​​פּאָרעז SiC איז זיין אַדזשאַסטאַבאַל פּאָרע סטרוקטור. דורך קאָנטראָלירן פּאָרע גרייס, פאַרשפּרייטונג און קאַנעקטיוויטי, קענען פאַבריקאַנטן אָפּטימיזירן די וואָג צווישן מעכאַנישע שטאַרקייט און פּערמעאַביליטי.

די אייגנארטיגע אייגנשאפט ערמעגליכט פּאָרעזן SiC צו פונקציאָנירן ווי:

• גאַז דיפיוזשאַן מאַטעריאַלן
• פילטראַציע סטרוקטורן
• טערמישע פאַרוואַלטונג קאָמפּאָנענטן

Ⅲ. פּראַסעסינג טעכנאָלאָגיעס פון פּאָרעז סיליקאָן קאַרבייד קעראַמיקס

די פאָרשטעלונג פון פּאָרעז SiC קעראַמיק דעפּענדס לאַרגעלי אויף מאַנופאַקטורינג מעטהאָדס און מיקראָסטרוקטור פּלאַן.

קאַרבאָטערמאַל רעדוקציע

דיזער טראַדיציאָנעלער פּראָצעס פּראָדוצירט פּאָרעזן SiC דורך הויך-טעמפּעראַטור רעאַקציעס צווישן סיליקאָן-האַלטיקע מאַטעריאַלן און קאַרבאָן קוועלער. עס ערמעגליכט די פאָרמירונג פון הויך-ריינקייט SiC ראַמען מיט ויסגעצייכנטער טערמישער פעסטקייט.

פליסיק פאַסע סינטערינג

פליסיק-פאזע סינטערינג ניצט צוגעגעבענע צו פֿאַרבעסערן פּאַרטיקל באַנדינג און דענסיפיקאַציע. דורך אַדזשאַסטינג סינטערינג טעמפּעראַטור און צוגעגעבענע כעמיע, קענען פאַבריקאַנטן דערגרייכן אָפּטימיזירטע מעכאַנישע שטאַרקייט און פּאָרע פאַרשפּרייטונג.

כעמישע פארע אינפילטראַציע (CVI)

CVI פירט איין גאז-פארגייער אין פּאָרעזע סטרוקטורן, וואו SiC לייגט זיך אפ אויף אינערליכע ייבערפלאַכן. די מעטאָדע פֿאַרבעסערט סטרוקטורעלע שטאַרקייט, ריינקייט, און הויך-טעמפּעראַטור האַרטקייט.

שוימונג און טעמפּלאַט מעטאָדן

שוימונג און טעמפּלאַט-באַזירטע טעכנאָלאָגיעס שאַפֿן כייעראַרקישע פּאָרע סטרוקטורן דורך קאָנטראָלירן פּאָרע-פאָרמינג אגענטן אָדער קרבן טעמפּלאַטעס. די מעטאָדן צושטעלן ויסגעצייכנט דורכדרינגלעכקייט און קאַסטאַמייזד פּאָרע אַרקאַטעקטשערז.

Ⅳ. אַפּליקאַציעס אין האַלב-קאָנדוקטאָר פאַבריקאַציע

צוליב איר אייגנארטיגער קאָמבינאַציע פון ​​טערמישע, כעמישע און סטרוקטורעלע אייגנשאַפטן, ווערן פּאָרעזע SiC קעראַמיק מער און מער גענוצט אין האַלב-קאָנדוקטאָר פּראָצעסן.

גאַז פאַרשפּרייטונג קאָמפּאָנענטן

אין CVD, PECVD, און ALD סיסטעמען, קען פּאָרעז SiC דינען ווי גאַז דיפיוזערז און פאַרשפּרייטונג פּלאַטעס צו דערגרייכן אַ מונדיר פּראָצעס גאַז לויפן און פֿאַרבעסערן פילם דעפּאַזישאַן קאָנסיסטענסי.

פּלאַזמע פּראַסעסינג עקוויפּמענט

אין פּלאַזמע עטשינג און רייניקונג סיסטעמען, פּאָרעז SiC קאָמפּאָנענטן פאָרשלאָגן העכערע קעגנשטעל קעגן קעראָוסיוו פּלאַזמע ינווייראַנמאַנץ, רידוסינג פּאַרטיקל קאַנטאַמאַניישאַן און ימפּרוווינג ויסריכט רילייאַבילאַטי.

SiC און GaN עפּיטאַקסי סיסטעמען

פֿאַר דריט-דור האַלב-קאָנדוקטאָר פּראָדוקציע, פּאָרעז SiC קאַנטריביוץ צו פֿאַרבעסערט טערמיש פאַרוואַלטונג און פּראָצעס פעסטקייט אין הויך-טעמפּעראַטור עפּיטאַקסיאַל וווּקס ינווייראַנמאַנץ.

וואַפער האַנדלינג קאָמפּאָנענטן

פּאָרעז SiC וואַקוום טשאַקסאוןוואַפער שטיצעסצושטעלן הויך פּינטלעכקייט, נידעריקע קאַנטאַמאַניישאַן, און ויסגעצייכנט כעמישער קעגנשטעל פֿאַר וועיפער דורכקוק, ליטאָגראַפֿיע, און טערמישע פּראַסעסינג.

Ⅴ. מסקנא

פּאָרעז סיליקאָן קאַרבייד קעראַמיקסרעפּרעזענטירן די עוואָלוציע פוןSiC מאַטעריאַלןפֿון טראַדיציאָנעלע סטרוקטורעלע קעראַמיק צו פֿונקציאָנעלע האַלב-קאָנדוקטאָר קאָמפּאָנענטן. דורך אַוואַנסירטע פּראָצעסירונג טעכנאָלאָגיעס און פּינקטלעכע קאָנטראָל פֿון די פּאָרע סטרוקטור, דערגרייכט פּאָרעזע SiC אַן אידעאַלע וואָג צווישן שטאַרקייט, דורכדרינגלעכקייט, טערמישע פאָרשטעלונג און כעמישע פעסטקייט.

ווי האַלב-קאָנדוקטאָר פּראָדוקציע גייט ווייטער פאָרויס צו העכערע טעמפּעראַטורן און שטרענגערע קאָנטאַמינאַציע קאָנטראָל, וועט פּאָרעזע SiC קעראַמיק שפּילן אַן אַלץ וויכטיקערע ראָלע איןCVD סיסטעמען, פּלאַזמע פּראַסעסינג עקוויפּמענט, וועיפער האַנדלינג, און ווייַטער-דור האַלב-קאָנדוקטאָר פאַבריקאַציע טעקנאַלאַדזשיז.