Nûçe

Rola bataryayên herikîna vanadyûmê
ji hêla admin ve di 23-12-26 de
Wek teknolojiyeke pêşketî ya hilanîna enerjiyê, bataryayên herikîna vanadyûmê di warê enerjiya nûjenkirî de roleke girîng dilîzin. Fonksiyon û avantajên bataryayên herikîna vanadyûmê di vê gotarê de têne nîqaşkirin. Batarya herikîna vanadyûmê cureyekî bataryayên herikînê ye ku elektroda wê...
Zêdetir bixwîne
Feydeyên elektrolîzerê PEM di hilberên şaneyên sotemeniyê yên hîdrojenê de çi ne?
ji hêla admin ve di 23-12-26 de
Elektrolîzerên PEM di hilberên şaneyên sotemeniyê yên hîdrojenê de gelek avantaj hene, çend ji wan ev in: Veguherîna bi karîgeriya bilind: Elektrolîzerên PEM dikarin bi bandor enerjiya elektrîkê veguherînin hîdrojen û oksîjenê, û bi elektrolîzkirina avê hîdrojena paqijiya bilind hilberînin...
Zêdetir bixwîne
Bikaranîn û taybetmendiyên pêkhateyên epitaksiyal ên nîvconductor MOCVD
ji hêla admin ve di 23-12-18 de
Depokirina buxara kîmyewî ya metal-organîk (MOCVD) teknîkek epîtaksîya nîvconductor a ku bi gelemperî tê bikar anîn e ku ji bo danîna fîlmên pirqatî li ser rûyê waferên nîvconductor ji bo amadekirina materyalên nîvconductor ên bi kalîte bilind tê bikar anîn. Pêkhateyên epîtaksîyal ên MOCVD di pîşesaziya nîvconductor de roleke girîng dilîzin...
Zêdetir bixwîne
Serlêdan û taybetmendiyên pêçandina CVD ya karbîda silicon
ji hêla admin ve di 23-12-18 de
Karbîda silîkonê (SiC) materyalek pir domdar e ku bi hişkbûna xwe ya bilind, îletkeniya germî ya bilind û berxwedana xwe ya li hember korozyona kîmyewî tê zanîn. Di nav rêbazên cûrbecûr ên sepandina SiC li ser rûyan de, pêçandina CVD SiC (Depozîsyona Buxara Kîmyewî ya Karbîda silîkonê) radiweste...
Zêdetir bixwîne
Nozulên karbîda silîkonê di çêkirina nîvconductorên elektronîkî de
ji hêla admin ve di 23-12-11 de
Nozûlên karbîda silîkonê di çêkirina nîvconductorên elektronîkî de roleke girîng dilîzin. Ew amûrek e ku ji bo rijandina şilek an gazan tê bikar anîn, ku pir caran ji bo dermankirina kîmyewî ya şil di çêkirina nîvconductoran de tê bikar anîn. Nozûla Sic xwedî avantajên berxwedana germahiya bilind, berxwedana korozyonê û ... ye.
Zêdetir bixwîne
Performansa hêja ya qeyika krîstala karbîda silîkonê di hawîrdora germahiya bilind de
ji hêla admin ve di 23-12-11 de
Qeyika krîstal a silîkon karbîdê materyalek e ku xwedî taybetmendiyên hêja ye, ku di hawîrdorên germahiya bilind de berxwedana bêhempa ya germ û korozyonê nîşan dide. Ew pêkhateyek e ku ji hêmanên karbon û silîkonê pêk tê ku xwedî hişkbûnek bilind, xala helandinê ya bilind û guhêzbariya germî ya hêja ne. Ev çêdike...
Zêdetir bixwîne
Danasîna hilberê materyalê rodê grafîtê
ji hêla admin ve di 23-12-04 de
Çîpa grafîtê materyalek endezyariyê ya hevpar e û xwedî gelek sepanên berfireh e. Ew ji grafîta paqijiya bilind tê çêkirin û xwedan îqtîsada elektrîkê, îqtîsada germî û aramiya kîmyewî ya pir baş e. Ya jêrîn pêşgotinek berfireh a materyalên çîpên grafîtê ye: 1. Bilind...
Zêdetir bixwîne
Danasîna hilberê materyalê grafîtê ya xaçerê
ji hêla admin ve di 23-12-04 de
Xaçerêya grafîtê amûrek laboratîfê ya hevpar e, ku bi berfirehî di kîmya, metalurjî, elektronîk, derman û pîşesaziyên din de tê bikar anîn. Ew ji materyalê grafîtê ya paqijiya bilind hatî çêkirin û xwedan aramiya germahiya bilind û aramiya kîmyewî ya hêja ye. Li jêr pêşgotinek berfireh e ku t...
Zêdetir bixwîne
Bikaranîna teknolojiya pêçandina karbîda silîkonê di pîşesaziya nîvconductor de - ji bo pêşvebirina performansa cîhazên nîvconductor
ji hêla admin ve di 23-11-20 de
Bi pêşveçûna berdewam a pîşesaziya nîvconductor û daxwaza zêde ya ji bo cîhazên performansa bilind, teknolojiya pêçandina silicon carbide hêdî hêdî dibe rêbazek girîng a dermankirina rûvî. Pêçandina silicon carbide dikare ji bo cîhazên nîvconductor gelek avantajan peyda bike,...
Zêdetir bixwîne