Lêkolîna Dozê: Pêkhateyên Grafîtê yên Paqijiya Bilind ji bo Zeviyên Termal ên Monokrîstalîn ên 32-Înç di Mezinbûna Silîkonê ya Tîpa-N de
Nivîskar:Dr. Steven Qiu, Endezyarê Bilind ê Materyalên Nîvconductor & Rêveberê Teknîkî li VET Energy
Belavkirî:Tebaxa 2026 | Rapora Teknîkî ya Qadê & Analîza Endezyariyê
Kurteya Rêveberiyê û Pêşgotina Projeyê
- Ava:Çêkirina Waferên Sîlîkonê yên PV-ya Tavê û Nîvconductor
- Doz:Kişandina Çîpên Monokrîstalîn ên Tîpa-N a Czochralski (CZ) (TOPCon/HJT)
- Xemil:Firneyên Qada Termal a bi Qûtra Mezin a 32-Înç (50 Yekîne Nirxandin)
- Çare:Pêkhateyên Grafîtê yên Îzostatîk ên Paqijkirî yên Halogenê yên Kûr (Xele ≤ 2-5 ppm) + Rûpoşa CVD SiC
- Bandora Hejmarî:Jiyana Hilgirên Kêmîn ji <100 μs bo >380 μs zêde bû; Berhema Lingotê +%18; Jiyana Qada Termal +%30.
Pêşgotin: Pirsgirêka Qada Termal a 32-Înç di Mezinbûna Silîkonê ya Tîpa N-ya Karîgeriya Bilind de
Ji ber ku pîşesaziya fotovoltaîk bi lez ji PERC-a cureya P ber bi TOPCon-a cureya N û xaneyên rojê yên Heterojunction (HJT) ve diçe, daxwaza waflên silîkonê yên bi paqijiya bilindtir pir zêde bûye. Substratên silîkonê yên cureya N temenê hilgirên kêmneteweyan pir zêde (bi gelemperî >300 μs) û qirêjiya nepakiya metalên veguhêz ên nêzîkî sifir hewce dikin.
Ji bo zêdekirina hilberînê, hilberînerên waferên silîkonê mezinahiyên xaçerêyan berfireh dikin heta 32 înç û ji wan jî zêdetir. Lêbelê, xebitandina di germahiyên ji 1,450°C zêdetir de di zeviyek germî ya 32 înç de dibe sedema pirsgirêkên endezyariyê yên giran:
- Hilweşîna Germahî û Asîmetrî:Gradientên germî yên mezin dibin sedema deformasyon û şikestina avahîsaziyê di germkerên grafît ên standard û pedestalan de.
- Gemarbûna Metalên Guherbar:Hêmanên nepak ên şopî (Fe, Ni, Cu, V) ên di nav grafîta kevneşopî de di dema kişandina dirêj a krîstalê de buhar dibin, rasterast koçî silîkona heliyayî dikin û dibin sedema hilweşîna giran a temenê hilgirên kêmneteweyan.
Çareseriya Endezyariyê: Parastina Grafîta Îzostatîk a Ultra-Paqijkirî û CVD SiC
Ji bo derbaskirina van astengiyên teknîkî, VeTek Semiconductor nûvekirinek berfireh a materyalê li seranserê tevahiya civata zeviya germî ya 32 înç bicîh kir, ku ji grafîta îzostatîk a dendika bilind pêk tê ku paqijkirina halojenê ya germahiya bilind û pêçanên parastinê yên CVD Silicon Carbide (SiC) hatine kirin.
1. Paqijkirina Kûr a Halogenê (Naveroka Xwelîyê ≤ 2-5 ppm)
Grafîta pîşesaziyê ya standard di navbera 50 ppm û 200 ppm de xwelî dihewîne. Di 1,450°C de di bin valahiyê de, ev elementên şopîner dihelin. Pêvajoya me ya Paqijkirina Gaza Halojenê ya Germahiya Bilind a taybet, qirêjiyên metalî di germahiyên jortir ji 2,400°C de vediguherîne pêkhateyên halojenê yên dihele (klorîd/florîd).
- Testa Spektrometrîya Girseyî ya Berdana Ronî (GDMS)piştrast dike ku tevahîya qirêjiyên metalî (Fe, Cr, Ni, Cu, V) kêm dibin û dibin kêmtirî 0.5 ppm, û rêjeya xweliyê ya giştî ≤ 2 ppm tê bidestxistin.
- Netîce:Di dema çerxên kişandina berdewam ên 120+ saetan de, belavbûna gaza metalîk a paşxaneyê ji holê radike û gola silîkona heliyayî ji qirêjbûnê diparêze.
2. Avahiya Grafîtê ya Îzostatîk a Densiya Bilind ji bo Aramiya Termal
Parçeyên wekî germkera grafîtê, pêgirta xaçerêyê, û bermîla îzolekirinê ji grafîta îzostatîk a bi densiteya bilind (1.85 g/cm³), genimê zirav (mezinahiya genim <10 μm) têne çêkirin. Pêçandina îzostatîk berfirehbûna germî ya îzotropîk (CTE) ya yekreng misoger dike, û di bin çerxên germî yên dubare de pêşî li stresa germî ya herêmî, xwarbûn û şikestina mekanîkî digire.
3. Pêçandina Parastî ya CVD ya Sîlîkon Karbîd (SiC)
Pêkhateyên krîtîk ên ku rastî buxara silîkonê û gazên paqijkirina korozîf tên, bi qatek 50-80 μm ya Karbîda Silîkonê (SiC) ya Depozîsyona Buxara Kîmyewî (CVD) têne pêçandin.
- Astengiya Korozyonê:Pêşî li reaksiyona kîmyayî ya rasterast di navbera buxara silîkonê ya firîner (SiO) û substrata grafîtê (SiO + 2C → SiC + CO) digire, û erozyona rûberê û çêbûna toza karbonê ji holê radike.
- Rastbûna Geometrîk:Geometrîya qada germî ya rast di navbera xizmetê de ji %30 dirêjtir diparêze.
Daneyên Performansa Pîvandî & Tesdîqkirina Ceribandina Meydanê
Ceribandineke zeviyê ya berawirdî ya 6-mehî li ser 50 firneyên CZ yên 32-inç ên asta hilberînê li tesîseke çêkirina waferên silîkonê ya TOPCon a asta 1-ê hate kirin. Li jêr pîvana performansê ya ku pêkhateyên grafîtê yên standard bi çareseriya zeviya germî ya paqijkirî ya VeTek Semiconductor re berawird dike heye:
| Pîvanên Performansê | Qada Germahî ya Grafîtê ya Standard | Çareseriya Grafîtê ya Paqijkirî VeTek |
|---|---|---|
| Naveroka Xweliya Girseyî ya Grafîtê | 50 – 100 ppm | ≤ 2 – 5 ppm (Halogen Paqijkirî) |
| Tevahîya Nepakiyên Metalan (GDMS) | ~15 – 30 ppm (Fe, Ni, V) | < 0.5 ppm |
| Jiyana Navînî ya Hilgirên Kêmneteweyan | 85 – 120 μs (Cuhabûna Bilind) | 380 – 450 μs (Bi berdewamî bilind) |
| Jiyana Pêkhateya Qada Termal | 60 – 75 Çerxên Kişandinê | 90 – 105 Çerxên Kişandinê (+%30) |
| Rêjeya Berhema Çîmentoya Tîpa N a Pola-A | %74.5 | %92.5 (+%18 Baştirkirina Berhemê) |
Pirsên Pir tên Pirsîn (FAQ)
P1: Sedema sereke ya kêmbûna berdêlê di kişandina silîkona monokrîstalîn a tîpa N ya 32 înç de çi ye?
A1:Windabûna berhemê di serî de ji ber qirêjiya nepakiyên metal (kêmkirina temenê hilgirên kêmneteweyan) û deformasyona germî ya avahîsaziyê ya germkerên grafît ên bi qutra mezin çêdibe, ku têkiliya krîstala hişk-şilek têk dide.
P2: Paqijkirina halojen çawa rêjeya xweliyê li jêr 5 ppm bi dest dixe?
A2:Paqijkirina halojenê dema ku gazên klor û florîn dixin nav hewayê, perçeyên grafîtê dixe ber germahiyên bilind (>2,400°C). Ev gaz bi hêmanên metal ên kûr re reaksiyonê dikin, wan vediguherînin halîdên metal ên firarker ku direvin û grafîtek pir paqij dihêlin.
P3: Gelo pêçandina CVD SiC dikare ji nû ve were pêçandin an jî li ser hemî pêkhateyên qada germî ya grafîtê were sepandin?
A3:Pêçandina CVD SiC bi awayekî îdeal li ser pêkhateyên ku pir li xwe dixin wekî kelepçeyên grafît, rêberên herikînê, germker û bermîlên îzolekirinê tê sepandin. Li gorî lixwekirina substratê, pêkhateyên bijartî dikarin ji nû ve werin makînekirin û ji nû ve werin pêçandin, ku lêçûnên xebitandinê yên giştî kêm dike.
Encam û Şêwirmendiya Teknîkî
Nûvekirina pêkhateyên grafîtê yên îzostatîk ên ultra-paqijkirî bi parastina CVD SiC rêyek rasterast û pîvandî peyda dike ji bo çareserkirina tengasiyên berhem û nepakiyê di mezinbûna silîkona monokrîstalîn a tîpa N ya 32 înç de. Bi başbûnek 18% di berhemdariya sereke û temenê zeviya germî ya dirêjkirî 30%, hilberînerên waferên rojê dikarin ROI-ya girîng bi dest bixin.
Îro Qada Germahî ya Monokrîstalîn a Xwe Baştir Bike
Pelê Daneyên Teknîkî ya Tevahî (TDS) dakêşin an jî ji bo pêşniyarek taybetî bi pisporên me yên endezyariyê re têkilî daynin.
Îro Qada Germahî ya Monokrîstalîn a Xwe Baştir Bike
Pelê Daneyên Teknîkî ya Tevahî (TDS) dakêşin an jî ji bo pêşniyarek taybetî bi pisporên me yên endezyariyê re têkilî daynin.
Dema şandinê: 15ê Tebaxa 2026an