Nuntii

Munus accumulatorum fluxus vanadii
ab administratore die XXIII mensis Decembris anni XXVI
Batteriae fluxus vanadii, ut technologia accumulationis energiae provecta, partes magnas in agro energiae renovabilis agunt. Functio et commoda batteriarum fluxus vanadii in hoc articulo tractantur. Batteria fluxus vanadii est genus batteriae fluxus cuius electrodus...
Plura lege
Quae sunt commoda electrolysatoris PEM in productis cellae combustibilis hydrogenii?
ab administratore die XXIII mensis Decembris anni XXVI
Electrolytra PEM multa commoda in productis cellarum combustibilium hydrogenii habent, quorum pauca haec sunt: Conversio altae efficientiae: Electrolytra PEM energiam electricam in hydrogenium et oxygenium efficaciter convertere possunt, et hydrogenium altae puritatis producere per electrolysim aquae...
Plura lege
Applicatio et proprietates partium epitaxialium MOCVD semiconductorum
ab administratore die XXIII mensis Decembris anno MMXVIII
Depositio chemica vaporis metallo-organici (MOCVD) est ars epitaxiae semiconductorum vulgo adhibita ad deponendas pelliculas multistratas in superficie laminarum semiconductorum ad praeparandas materias semiconductorum altae qualitatis. Componentes epitaxiales MOCVD partes vitales in industria semiconductorum agunt...
Plura lege
Applicatio et proprietates obductionis CVD carburi silicii
ab administratore die XXIII mensis Decembris anno MMXVIII
Carburum silicii (SiC) est materia valde durabilis, nota propter duritiam superiorem, conductivitatem thermalem magnam, et resistentiam corrosionis chemicae. Inter varias methodos applicandi SiC superficiebus, CVD SiC coating (Chemical Vapor Deposition of silicon carbide) stat...
Plura lege
Injectores carburi silicii in fabricatione semiconductorum electronicorum
ab administratore die XXIII mensis Decembris anni XI
Iniectores carburi silicii magnum momentum in fabricatione semiconductorum electronicorum agunt. Sunt instrumentum ad liquores vel gases spargendos, saepe ad tractationem chemicam humidam in fabricatione semiconductorum adhibetur. Iniector carburi silicii commoda habet resistentiae altae temperaturae, resistentiae corrosionis et...
Plura lege
Excellens effectus navis crystallinae carburi silicii in ambitu altae temperaturae
ab administratore die XXIII mensis Decembris anni XI
Navicula crystallina carburi silicii est materia praeclaris proprietatibus praedita, extraordinariam resistentiam calori et corrosionis in ambitu altae temperaturae ostendens. Est mixtura ex elementis carbonis et silicii composita, magna duritia, alto puncto liquefactionis et excellenti conductivitate thermali praedita. Hoc facit...
Plura lege
Introductio producti materiae virgae graphitae
ab administratore die XXIII mensis Decembris anni MMIV
Virga graphita est materia machinalis communis et latam applicationum varietatem habet. Ex graphito magnae puritatis facta est et excellentem conductivitatem electricam, conductivitatem thermalem et stabilitatem chemicam habet. Sequitur introductio accurata ad materias virgarum graphitarum: 1. Alta...
Plura lege
Introductio producti materiae crucibuli graphiti
ab administratore die XXIII mensis Decembris anni MMIV
Crustulum graphitum instrumentum laboratorium commune est, late in chemia, metallurgia, electronicis, medicina aliisque industriis adhibitum. Ex materia graphita altae puritatis factum est et stabilitatem temperaturae altae et stabilitatem chemicam excellentem habet. Sequitur introductio accurata...
Plura lege
Usus technologiae obductionis carburi silicii in industria semiconductorum – ad promovendam efficaciam instrumentorum semiconductorum.
ab administratore die XXIII mensis Novembris anni MMXX
Cum continua industria semiconductorum progressu et crescente postulatione instrumentorum summae efficacitatis, technologia obductionis carburi silicii paulatim fit methodus magni momenti tractationis superficiei. Obductiones carburi silicii multa commoda instrumentis semiconductoribus praebere possunt,...
Plura lege