Pêvajo û Taybetmendiyên Seramîkên Silîkon Karbîda Poroz

1. Pêşgotin

Seramîkên Karbîda Silîkonê ya Poroz (SiC ya Poroz)materyalên seramîk ên pêşketî ne ku taybetmendiyên berbiçav ên karbîda silîkonê bi avahiyek poroz a bi baldarî hatî çêkirin re dikin yek. Berevajî seramîkên SiC yên qalind, SiC yên poroz porên bi hev ve girêdayî pêşkêş dikin ku fonksiyonên zêde peyda dikin, di nav de permeabilîteya kontrolkirî, sêwirana sivik, îzolasyona germî, û kapasîteya veguhastina şilavê ya pêşkeftî.

Bi saya aramiya germî, berxwedana kîmyewî û pêbaweriya mekanîkî ya hêja, seramîkên SiC yên poroz di pîşesaziyên germahiya bilind de, nemaze di çêkirina nîvconductor de, ku jîngehên pêvajoyê paqijiya bilind, berxwedana korozyonê û aramiya xebitandinê ya demdirêj hewce dikin, her ku diçe girîngtir dibin.

Ⅱ. Taybetmendiyên Materyal ên Seramîkên Karbîda Silîkonê yên Poroz

1. Aramiya Germahiya Bilind

Karbîda silîkonê bi performansa xwe ya hêja di bin germahiyên zêde de ji ber girêdana xwe ya kovalent a Si-C ya bihêz tê nasîn. SiC ya poroz di hawîrdorên germahiya bilind de yekparebûna avahîsaziyê diparêze, û ji bo pêvajoya germî ya nîvconductor, pergalên epitaksî û pêkhateyên firnê guncan dike.

Koefîsyona wê ya berfirehbûna germî ya nizm û berxwedana wê ya şoka germî ya hêja dibe alîkar ku deformasyonê kêm bike û aramiya pêvajoyê baştir bike.

2. Berxwedana Kîmyewî û Plazmayê ya Bilind

Çêkirina nîvconductoran gaz û jîngehên plazmayê yên êrîşkar dihewîne, di nav wan de gazên li ser bingeha klorê, plazmaya florîn, û atmosferên reaktîf ên germahiya bilind.

Seramîkên SiC yên poroz pêşkêş dikin:

• Berxwedana oksîdasyonê ya hêja
• Aramiya kîmyewî ya bilind
• Berxwedana erozyona plazmayê ya bihêz
• Taybetmendiyên qirêjbûna kêm

Ev avantajan dibin alîkar ku hilberîna perçeyan kêm bibe û temenê pêkhateyan di alavên nîvconductor de dirêj bike.

3. Porozîteya Kontrolkirî û Permeabilîteya Gazê

Sûdê sereke yê SiC-ya poroz avahiya wê ya kunên guhêrbar e. Bi kontrolkirina mezinahiya kunan, belavkirin û girêdanê, hilberîner dikarin hevsengiya di navbera hêza mekanîkî û permeabilîteyê de çêtirîn bikin.

Ev taybetmendiya bêhempa dihêle ku SiC-ya poroz wekî jêrîn tevbigere:

• Materyalên belavbûna gazê
• Strukturên parzûnkirinê
• Pêkhateyên rêveberiya germî

1. Teknolojiyên Pêvajoyê yên Seramîkên Karbîda Silîkonê yên Poroz

Performansa seramîkên SiC yên poroz bi giranî bi rêbazên çêkirinê û sêwirana mîkroavahîyê ve girêdayî ye.

Kêmkirina Karbotermal

Ev pêvajoya kevneşopî bi rêya reaksiyonên germahiya bilind di navbera materyalên ku silîkon dihewînin û çavkaniyên karbonê de SiC-ya poroz hildiberîne. Ew dihêle ku çarçoveyên SiC-ya paqijiya bilind bi aramiya germî ya hêja werin çêkirin.

Sinterkirina Qonaxa Şile

Sinterkirina qonaxa şil ji bo baştirkirina girêdana perçeyan û tîrbûna wan madeyên zîrek bikar tîne. Bi sererastkirina germahiya sinterkirinê û kîmyaya zîrek, hilberîner dikarin hêza mekanîkî û belavbûna poran a çêtirîn bi dest bixin.

Înfîltrasyona Buhara Kîmyewî (CVI)

CVI pêşgirên gazê dixe nav avahiyên poroz, ku SiC li ser rûyên hundurîn çêdibe. Ev rêbaz hêza avahiyê, paqijiyê û domdariya germahiya bilind baştir dike.

Kefkirin û Rêbazên Şablonê

Teknolojiyên kefkirinê û yên li ser şablonê bi kontrolkirina ajanên çêkirina poran an şablonên qurbanî avahiyên porên hiyerarşîk diafirînin. Ev rêbaz permeabilîteya hêja û mîmariya porên xwerû peyda dikin.

Ⅳ. Serlêdan di Çêkirina Nîvconductor de

Ji ber têkeliya wê ya bêhempa ya taybetmendiyên germî, kîmyewî û avahîsaziyê, seramîkên SiC yên poroz bi zêdebûnî di pêvajoyên nîvconductor de têne bikar anîn.

Pêkhateyên Belavkirina Gazê

Di sîstemên CVD, PECVD, û ALD de, SiC-ya poroz dikare wekî belavkerên gazê û plakayên belavkirinê xizmet bike da ku herikîna gaza pêvajoyê ya yekreng bi dest bixe û hevsengiya danîna fîlmê baştir bike.

Amûrên Pêvajoya Plazmayê

Di sîstemên gravur û paqijkirina plazmayê de, pêkhateyên SiC yên poroz li hember jîngehên plazmayê yên korozîf berxwedanek bilind pêşkêş dikin, qirêjiya perçeyan kêm dikin û pêbaweriya alavan baştir dikin.

Sîstemên Epîtaksiyê yên SiC û GaN

Ji bo hilberîna nîvconductorên nifşa sêyemîn, SiC-ya poroz di hawîrdorên mezinbûna epitaksiyal ên germahiya bilind de alîkariya rêveberiya germî û aramiya pêvajoyê ya çêtir dike.

Pêkhateyên Desteserkirina Waferan

Çepikên valahiyê yên SiC yên porozûpiştgirên waferêji bo teftîşa wafer, lîtografî û pêvajoya germî rastbûnek bilind, gemarîbûnek kêm, û berxwedana kîmyewî ya hêja peyda dike.

2. Encam

Seramîkên Karbîda Sîlîkonê yên Poroztemsîla pêşveçûnaMateryalên SiCji seramîkên avahîsaziyê yên kevneşopî ber bi pêkhateyên nîvconductor ên fonksiyonel ve. Bi saya teknolojiyên pêvajoyê yên pêşkeftî û kontrola avahiya porê ya rast, SiC-ya poroz di navbera hêz, permeabilîte, performansa germî û aramiya kîmyewî de hevsengiyek îdeal bi dest dixe.

Her ku çêkirina nîvconductoran ber bi germahiyên bilindtir û kontrola qirêjbûnê ya hişktir ve diçe, seramîkên SiC yên poroz dê roleke girîngtir bilîzin di...Sîstemên CVD, alavên hilberandina plazmayê, hilgirtina waferan, û teknolojiyên çêkirina nîvconductorên nifşê din.