3. Epitaxial tenuis membrana incrementum
Subiectum corporis sustentationem vel stratum vel conductivum Ga2O3 machinas potentiae praebet.Proxima iacuit amet iacuit canalis vel epitaxialis iacuit pro intentione resistentiae et tabellarius onerariis adhibitis.Ut naufragii intentionem augeant et resistentiam conductionem minuant, densitatem moderabilem et intentionem dopingem, necnon qualitatem materialem optimalem, quaedam necessariae sunt.Qualitas princeps Ga2O3 stratis epitaxialibus typice depositis utens trabes hypotheticas epitaxy (MBE), metalli organici vaporis chemici depositionis (MOCVD), vaporis halidi depositionis (HVPE), depositionis laseris pulsu (PLD), et nebula CVD artificii depositionis fundatae.
Mensa 2 Quaedam technologiae repraesentativa epitaxiales
3.1 MBE modum
MBE technologia celeberrima est pro facultate augendi qualitatem, defectio liberorum β-Ga2O3 membranarum cum moderandis n-typis doping propter suum ambitum vacuum ultra altum et puritatem materialem altam.Quam ob rem, unus e late quaesitis et potentia commercii factus est β-Ga2O3 technologiae depositionis tenuis pellicularum.Adde, methodus MBE quoque bene praeparavit heterostructuram β-(AlXGa1-X)2O3/Ga2O3 tenuem stratum cinematographicum.MBE potest monitor superficies structurae et morphologiae in reali tempore cum strato atomico praecisione utendo reflexionem energiae altae diffractionis electronicae (RHEED).Nihilominus, β-Ga2O3 membranae MBE technicae usus crevit, adhuc multis provocationibus obvenit, ut incrementum rate humilis et parva cinematographica magnitudo.Studium invenit rate incrementum in ordine (010)>(001)>(201)>(100).Sub condiciones leviter Ga-ditas 650 ad 750°C, β-Ga2O3 (010) meliorem incrementum cum superficie leni et altae incrementi rate exhibet.Hac ratione utens, β-Ga2O3 epitaxy feliciter confecta est cum asperitate RMS 0.1 nm.β-Ga2O3 In ambitu Ga-dives, membrana MBE diversis temperaturis aucta in figura monstratur.Nova Crystal Technologia Inc. feliciter epitaxially producta 10 15mm2 β-Ga2O3MBE uncta.Qualitates altae (010) ordinantur β-Ga2O3 singulae cristallinae cum crassitudine subiectae 500 µm et XRD FWHM infra 150 arcus secundis.Subiectum est Sn doped vel Fe doped.Substratum Sn-doped conductivum doping retrahitur ab 1E18 ad 9E18cm−3, dum semi-insulating substrata ferrea resistivity altiorem quam 10E10 Ω cm habet.
3.2 MOCVD methodus
MOCVD compositis organicis metallis utitur ut praecursor materiae ad membranas extenuat, quae magnarum mercaturae productionem assequuntur.Cum Ga2O3 crescens methodo MOCVD utens, trimethylgallium (TMGa), triethylgallium (TEGa) et Ga (dipentyl glycol formate) solent uti ut fons Ga, dum H2O, O2 vel N2O ut fons oxygeni adhibentur.Augmentum hac methodo utens plerumque postulat caliditates (>800°C).Haec ars technicae potentiae habet ad consequendam intentionem humilium tabellionis et mobilitatis electronici caliditatis et altitudinis et humilis, sic magnae significationis est ad effectionem magni operis β-Ga2O3 potentiae machinae.Comparatus cum incrementi methodo MBE, MOCVD commodum habet assequendum altissimas incrementi β-Ga2O3 cinematographicae propter notas summus incrementi et chemicae motus.
Figure 7 β-Ga2O3 (010) AFM image
Figura 8 β-Ga2O3 Relatio inter μand schedam resistentia mensurata aula et temperatura
3.3 HVPE methodo
HVPE technologia matura epitaxialis est et late adhibita in epitaxiali incremento III-V semiconductorum compositorum.HVPE notum est propter suam humilem productionem sumptus, incrementum celeritatis, et crassitudines cinematographicae altae.Notandum est quod HVPEβ-Ga2O3 superficiem morphologiam asperam et altam densitatem defectuum et fovearum superficiei plerumque exhibere.Ergo processus chemicus et mechanicus requiritur perpoliendi ante fabricam fabricam.HVPE technologia pro β-Ga2O3 epitaxia gaseosa GaCl et O2 plerumque utitur ut praecursores ad summos motus motus (001) β-Ga2O3 matricis promoveant.Figura 9 ostendit condicionem superficiem et incrementum rate cinematographici epitaxialis tamquam functionem caliditatis.Annis Iaponia Novus Crystal Technologia Inc. In HVPE successus homoepitaxialis β-Ga2O3 insignis consecutus est, cum tabulato epitaxiali crassitudines 5 ad 10 µm et laganum magnitudines 2 et 4 digitorum.Praeterea 20 μm lagana homoepitaxa HVPE β-Ga2O3 producta a Sinis Electronics Technologiae Group Corporation etiam scaenam mercaturam ingressi sunt.
Figura 9 HVPE methodus β-Ga2O3
3.4 modum PLD
technologia PLD maxime adhibetur ut membranas oxydorum complexorum et heterostructuras deponant.In processu incrementi PLD, photon energia iuncta est ad materiam scopum per processum electronicum emissionis.E contra MBE, PLD particulae fontis laser radiorum energiae altissimae formantur (>100 eV) et postea in subiecto calefacto positae sunt.Attamen, durante ablatione processu, aliquae particulares energiae altae directe incursant superficiem materialem, punctum defectus creantes et sic qualitatem cinematographici minuentes.Methodo MBE similis, RHEED adhiberi potest ad monitorem superficialem structuram et morphologiam materiae tempore reali in processu depositionis PLD β-Ga2O3, permittens inquisitores ad incrementum informationum accurate obtinendum.Methodus PLD exspectatur ut pelliculas β-Ga2O3 valde conductivas crescat, eamque solutionem in Ga2O3 potentiae cogitationibus optimized ohmicam solutionem facit.
Figure 10 AFM image of Si doped Ga2O3
3.5 MIST-CVD methodus
MIST-CVD est relative simplex et sumptus efficens technicae artis tenuis pelliculae incrementum.CVD haec methodus involvit reactionem spargendi praecursoris atomi in subiectam ad tenuem cinematographicam depositionem consequendam.Attamen, quatenus, Ga2O3 caligo CVD utens crevit, adhuc bonae proprietatibus electricis caret, quae multum spatii relinquit ad emendationem et ad ipsum in futurum.
Post tempus: May-30-2024