Componentes SiC Obducti CVD ad Epitaxiam Silicii (Si Epi)
Ad systemata depositionis epitaxialis silicii per singulas lamellas et per fasciculos accurate fabricata, nostri susceptores, disci satellites, et componentes campi thermalis, obducti a CVD SiC, uniformitatem thermalem eximiam et nullam emissionem gasorum praebent. Stratum obducens cubicum β-SiC densitatis altae substratum graphiti puritatis altae plene includit, corrosionem gasorum reactivorum (SiH₄, SiH₂Cl₂, HCl) prohibens et gradus impuritatum metallicarum infimos (< 5 ppm) durante processu Si Epi temperaturae altae (1000°C - 1200°C) praestans.
Emissivitas moderata accuratam constantiam crassitudinis pelliculae a margine ad centrum lamellae praestat.
Praebet praesidium robustum contra chemica purgationis camerae in situ et ictus thermicos.
Machina CNC accurate fabricata ad aptandum instrumentis Epi vulgaribus 200mm/300mm cum lamella singulari (Applied Materials, ASM).
| Parametrus Technicus | Valor Specificationis | Methodus / Norma Probationis |
|---|---|---|
| Materia tegumenti | CVD β-SiC (Phase Cubica) | Structura Crystallina Altae Densitatis |
| Materia Substrati | Graphis Isostaticus Purissimus | Densitas: 1.82 - 1.88 g/cm³ |
| Puritas Chemica | Impuritates Totales < 5 ppm | GDMS Probatum |
| Crassitudo Tegumenti | 80 μm - 150 μm | Uniformitas ≤ ±5% |
-
Susceptor dolii SiC obductus
-
Lamina et ferculum graphite obductum carburo silicii...
-
Susceptor dolii SiC obductus ad mensuram
-
Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor
-
Barrel Susceptor Liquid Phase Epitaxy LPE
-
Carburo Silicio Resistenti Corrosioni Obducta Carr...
-
Usus Ferculi Laminarum Epitaxialium Carbido Silicio Obductarum...