Tegumenta CVD Provecta ad Incrementum Epitaxiale SiC
Ad processus machinarum semiconductorum magnae potentiae sub extrema tensione thermali (1500°C - 1700°C) operantium aptati, nostri susceptores planetarii, disci satellitum, et deflectores gasorum, SiC et TaC obducti CVD, ad excellendum constructi sunt. Ad generationem particularum, degradationem superficiei, et corrosionem gasorum reactivam (H₂, SiH₄, C₃H∯) prohibendam designati, nostrae obductiones provectae longam vitam operationis, superiorem moderationem dopantis, et magnam uniformitatem crassitudinis pelliculae per... praestant.Lamellae epitaxiales SiC sex et octo unciarum.
Thermice stabilis usque ad 1700°C in asperis ambitu H₂/silano reducente.
Delaminationem, microfissuras, et desquamationem tunicae per cyclos thermicos rapidos eliminat.
Machinatio CNC accurata ad reactores SiC Epi altae productionis novae generationis (LPE, Aixtron, Nuflare) aptata.
| Parametrus Technicus | Valor Specificationis | Methodus / Norma Probationis |
|---|---|---|
| Optiones Materiarum Tegumentorum | Depositione vaporum carburi (CVD) SiC / Carbidum Tantali (TaC) | Stratum Hermeticum Altae Puritatis |
| Substratum Basis | Graphitum Isostaticum Purificatum | Impuritas in Massa < 5 ppm |
| Resistentia Ictus Thermalis | Delta T > 500°C Ramp Ramp Ramp | Nulla fissura / desquamatio |
| Asperitas Superficialis (Ra) | ≤ 0.4 μm (Speculo Politum) | Impedit adhaesionem crustularum et particulas |
-
Tegumentum SiC, Graphite, MOCVD, Laminarum Vectores, Susc...
-
Basis Vectoriae Graphite Obductae SiC
-
Pars Semilunaris Graphica Superior et Inferior pro Si...
-
Susceptor et Vector Graphite Obductus SiC pro W...
-
Pars Semilunaris Graphite Obducta SiC pro Silicio C...
-
Pars et Assemblatio Semilunae SiC Obducta Graphite...