Bona reputazione di l'utente per u prezzu à l'ingrossu di a polvere di grafite artificiale

Descrizzione corta:

U rivestimentu di SiC di u sustratu di grafite per l'applicazioni di semiconduttori produce una parte cù una purezza superiore è resistenza à l'atmosfera ossidante. CVD SiC o CVI SiC hè applicatu à a grafite di pezzi di cuncepimentu simplici o cumplessu. U rivestimentu pò esse applicatu in diversi spessori è à pezzi assai grandi.


  • Locu d'origine:Zhejiang, Cina (continentale)
  • Numeru di mudellu:Numeru di mudellu:
  • Cumposizione chimica:Grafite rivestita di SiC
  • Resistenza à a flessione:470Mpa
  • Cunduttività termica:300 W/mK
  • Qualità:Perfetta
  • Funzione:CVD-SiC
  • Applicazione:Semiconduttore / Fotovoltaicu
  • Densità:3,21 g/cc
  • Espansione termica:4 10-6/K
  • Cendra: <5 ppm
  • Campione:Disponibile
  • Codice HS:6903100000
  • Dettagli di u produttu

    Etichette di u produttu

    A nostra attività hà per scopu di operà fedelmente, servendu à tutti i nostri cumpratori, è travagliendu in continuazione in nuove tecnulugie è nuove macchine per una bona reputazione di l'utente per a polvere di grafite artificiale à prezzu all'ingrossu, benvenuti à sviluppà relazioni cummerciale efficaci è estensive cù a nostra attività per pruduce inseme una gloriosa longa durata. A satisfaczione di i clienti hè a nostra ricerca eterna!
    A nostra attività hà per scopu di operà fedelmente, serve à tutti i nostri cumpratori, è travaglià in nova tecnulugia è nova macchina continuamente perPolvere di grafite artificiale di Cina è polvere di grafite 5 MicronPudemu dà à i nostri clienti vantaghji assoluti in a qualità di i prudutti è u cuntrollu di i costi, è avà avemu una gamma completa di stampi da finu à centu fabbriche. Cù l'aghjurnamentu rapidu di i prudutti, riescimu à sviluppà parechji prudutti di alta qualità per i nostri clienti è ottenemu una alta reputazione.

    Descrizzione di u produttu

    I vantaghji particulari di i nostri suscettori di grafite rivestiti di SiC includenu una purezza estremamente alta, un rivestimentu omogeneu è una eccellente durata di vita. Anu ancu proprietà di resistenza chimica è stabilità termica elevate.

    U rivestimentu di SiC di u substratu di grafite per l'applicazioni di semiconduttori produce una parte cù una purezza superiore è resistenza à l'atmosfera ossidante.
    U CVD SiC o CVI SiC hè applicatu à a grafite di pezzi di cuncepimentu simplice o cumplessu. U rivestimentu pò esse applicatu in diversi spessori è à pezzi assai grandi.

    Rivestimentu di SiC / Suscettore MOCVD rivestitu

    Caratteristiche:
    · Eccellente resistenza à i shock termichi
    · Eccellente resistenza à i scossa fisica
    · Eccellente resistenza chimica
    · Super Alta Purezza
    · Disponibilità in forma cumplessa
    · Adupràbile sottu atmosfera ossidante

    Applicazione:

    2

     

    Proprietà tipiche di u materiale di grafite di basa:

    Densità apparente: 1,85 g/cm³
    Resistività elettrica: 11 μΩm
    Resistenza à a flessione: 49 MPa (500 kgf/cm2)
    Durezza Shore: 58
    Cendra: <5 ppm
    Cunduttività termica: 116 W/mK (100 kcal/mh-℃)

    Carbon furnisce suscettori è cumpunenti di grafite per tutti i reattori di epitaxia attuali. U nostru portafogliu include suscettori a barile per unità applicate è LPE, suscettori a frittella per unità LPE, CSD è Gemini, è suscettori a cialda unica per unità applicate è ASM. Cumbinendu forti partenariati cù i principali OEM, a cumpetenza in materia di materiali è u know-how di fabricazione, SGL offre u disignu ottimale per a vostra applicazione.

     

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