Substratu di grafite rivestitu di carburo di siliciu per semiconduttori, suscettore MOCVD

Descrizzione corta:

U suscettore rivestitu di SiC VET Energy hè un pruduttu d'altu rendimentu cuncipitu per furnisce prestazioni consistenti è affidabili per un periodu prolongatu. Hà una resistenza à u calore è uniformità termica super bona, alta purezza, resistenza à l'erosione, chì ne face a suluzione perfetta per l'applicazioni di trasfurmazione di wafer.

Locu d'origine:Zhejiang, Cina (continentale)

Cumposizione chimica:Grafite rivestita di SiC

Resistenza à a flessione:470Mpa

Cunduttività termica:300 W/mK

Qualità:Perfetta

Funzione:CVD-SiC

Applicazione:Semiconduttore / Fotovoltaicu

Densità:3,21 g/cc

Espansione termica:4 10-6/K

Cendra: <5 ppm

Campione:Disponibile

Codice HS:6903100000

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VET Energy SiC Coated Susceptorhè una suluzione d'alte prestazioni meticulosamente cuncipita per furnisce prestazioni affidabili è consistenti per una durata di vita estesa, rispondendu à e rigorose esigenze di a fabricazione di semiconduttori. Cù una resistenza eccezziunale à u calore, una uniformità termica superiore è una alta purezza, questu pruduttu hè ideale per i purtatori di wafer MOCVD è altre applicazioni di trasfurmazione di wafer chì richiedenu stabilità è precisione. A so robusta resistenza à l'erosione ne face una scelta premium per l'ambienti induve a durabilità è a resilienza chimica sò essenziali.

U nostruSuscettore di grafite rivestitu di SiCsi distingue cum'è un cumpunente criticu in u prucessu di fabricazione di semiconduttori, sfruttendu a tecnulugia brevettata esclusiva di VET Energy per ottene una purezza estremamente alta, una uniformità di rivestimentu superiore è una stabilità termica rimarchevule. U rivestimentu migliora u sustratu di grafite cù una alta resistenza chimica è una durata di serviziu significativamente estesa. A dedizione di VET Energy à a qualità hà risultatu in un suscettore rivestitu di SiC chì risponde à i bisogni in evoluzione di u mercatu di i porta-wafer di grafite, stabilendu un standard elevatu per i suscettori di grafite rivestiti di SiC utilizati inPrucessi MOCVD.

Caratteristiche principali di i suscettori rivestiti di SiC:

1. Resistenza à l'ossidazione à alta temperatura:Resiste à temperature finu à 1700 ℃, ciò chì u rende adattatu per cundizioni di trasfurmazione estreme.

2. Alta Purezza è Uniformità Termica:Assicura risultati consistenti, vitali perSuscettori MOCVDè altre applicazioni di precisione.

3. Eccellente resistenza à a currusione:Resistente à l'acidu, à l'alcali, à u sale è à diversi reagenti organici.

4. Durezza superficiale migliorata:Superficie compatta cù particelle fini chì furniscenu una maggiore durabilità è longevità.

5. Durata di vita estesa:Cuncepitu per prestazioni sustenute, superendu i suscettori standard rivestiti di carburo di siliciu in ambienti di trasfurmazione difficili.

In qualità di produttore principale, VET Energy hè specializata in grafite persunalizata èprudutti di carburu di siliciucù diverse opzioni di rivestimentu, cumpreseRivestimentu in SiC, Rivestimentu TaC, rivestimentu di carbone vetroso, è rivestimentu di carbone piroliticu. Servemu cun orgogliu l'industrie di semiconduttori è fotovoltaiche, furnendu suscettori di grafite rivestiti di carburo di siliciu chì rispondenu à esigenze operative specifiche.

A nostra squadra tecnica, cù sperienza da i principali istituti di ricerca naziunali, hè dedicata à prumove suluzioni materiali per i bisogni in evoluzione di uSuscettore di grafite rivestitu di SiCmercatu. Attraversu u nostru prucessu brevettatu, VET Energy hà sviluppatu una tecnulugia unica chì migliora significativamente a forza di legame trà u rivestimentu di carburo di siliciu è u substratu, riducendu u risicu di distaccu è aumentendu l'affidabilità à longu andà.

Applicazioni è Vantaghji in a Trasfurmazione di Semiconduttori

URivestimentu in SiC per MOCVDpermettesuscettore di grafitecumpunenti per mantene l'integrità in ambienti à alta temperatura è currusivi, ciò chì hè vitale per a pruduzzione di semiconduttori di precisione. Quessi cumpunenti di grafite rivestiti di SiC sò particularmente apprezzati in i prucessi chì richiedenu suscettori rivestiti di carburo di siliciu perporta-cialde di grafite, chì esigenu alta stabilità termica, purità è resistenza à l'erosione chimica.

Cù e nostre tecniche avanzate di rivestimentu di carburo di siliciu, VET Energy cuntinueghja à sustene u mercatu di i purtatori di wafer di grafite furnendu prudutti persunalizati è d'altu rendimentu.Suscettori di grafite rivestiti di SiCchì rispondenu à e sfide specifiche di l'industria, da i prucessi MOCVD à l'applicazioni di alta purezza in u campu di i semiconduttori.