Rivestimentu SiC rivestitu di substratu di Grafite per Semiconductor, Revestimentu di carburu di siliciu, Susceptor MOCVD

Breve descrizione:

U revestimentu SiC di sustrato di Grafite per l'applicazioni Semiconductor produce una parte cun purezza superiore è resistenza à l'atmosfera ossidanti.CVD SiC o CVI SiC hè appiicatu à Grafite di parti di design simplici o cumplessi.U rivestimentu pò esse applicatu in varii grossi è à parti assai grandi.


  • Locu d'origine:Zhejiang, Cina (continentale)
  • Numero di mudellu:Numero di mudellu:
  • Composizione chimica:SiC rivestitu di grafite
  • Forza à flessione:470 Mpa
  • Conduttività termica:300 W/mK
  • Qualità:Parfetta
  • Funzione:CVD-SiC
  • Applicazione:Semicondutturi / Fotovoltaicu
  • Densità:3,21 g/cc
  • Dilatazione termica:4 10-6/K
  • Ash: < 5 ppm
  • Esempiu:Disponibile
  • Codice HS:6903100000
  • Detail di u produttu

    Tags di u produttu

    Descrizzione di u produttu

    Vantaggi speciali di i nostri suscettori di grafite rivestiti di SiC includenu una purezza estremamente alta, un revestimentu omogeneu è una vita utile eccellente.Hanu ancu una alta resistenza chimica è proprietà di stabilità termale.

    U revestimentu SiC di sustrato di Grafite per l'applicazioni Semiconductor produce una parte cun purezza superiore è resistenza à l'atmosfera ossidanti.
    CVD SiC o CVI SiC hè appiicatu à Grafite di parti di design simplici o cumplessi.U rivestimentu pò esse applicatu in varii grossi è à parti assai grandi.

    Rivestimentu SiC / suscettore MOCVD rivestitu

    Features:
    · Eccellente Resistenza à u Shock Thermal
    · Eccellente resistenza fisica à u scossa
    · Eccellente resistenza chimica
    · Super High Purity
    · Disponibilità in forma cumplessa
    · Usable sottu à l'atmosfera ossidante

    Applicazione:

    2

     

    Proprietà tipiche di u materiale di grafite di basa:

    Densità apparente: 1,85 g/cm3
    Resistività elettrica: 11 μΩm
    Forza a flessione: 49 MPa (500 kgf/cm2)
    Durezza Shore: 58
    Ash: < 5 ppm
    Conduttività termica: 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

    Carbon furnisce suscettori è cumpunenti di grafite per tutti i reattori epitassi attuali.A nostra cartera include suscettori di barile per unità applicate è LPE, suscettori pancake per unità LPE, CSD è Gemini, è suscettori unicu wafer per unità applicate è ASM. Cumminendu partenariati forti cù OEM principali, sapè fà di materiali è sapè fà, SGL. offre u disignu ottimali per a vostra applicazione.

     


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