Riscaldatore di grafite persunalizatu per wafer di siliciu semiconduttore, rivestimentu SiC

Riscaldatore di grafite persunalizatu per wafer di siliciu à semiconduttore, rivestimentu in SiC Immagine presentata

Descrizzione corta:

Specificazione Tecnica	VET-M3
Densità apparente (g/cm3)	≥1,85
Cuntenutu di cenere (PPM)	≤500
Durezza di a riva	≥45
Resistenza specifica (μ.Ω.m)	≤12
Resistenza à a flessione (Mpa)	≥40
Resistenza à a cumpressione (Mpa)	≥70
Dimensione massima di i grani (μm)	≤43
Coefficiente di Dilatazione Termica Mm/°C	≤4.4*10-6

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PersunalizatuRiscaldatore di grafite per wafer di siliciu semiconduttore

Specificazione Tecnica	VET-M3
Densità apparente (g/cm3)	≥1,85
Cuntenutu di cenere (PPM)	≤500
Durezza di a riva	≥45
Resistenza specifica (μ.Ω.m)	≤12
Resistenza à a flessione (Mpa)	≥40
Resistenza à a cumpressione (Mpa)	≥70
Dimensione massima di i grani (μm)	≤43
Coefficiente di Dilatazione Termica Mm/°C	≤4.4*10-6

Riscaldatore di grafite persunalizatu per wafer di siliciu semiconduttore

Riscaldatore di grafite persunalizatu per wafer di siliciu semiconduttore

Riscaldatore di grafite persunalizatu per wafer di siliciu semiconduttore

Riscaldatore di grafite persunalizatu per wafer di siliciu semiconduttore

Riscaldatore di grafite persunalizatu per wafer di siliciu semiconduttore

Precedente: Riscaldatore di grafite persunalizatu per a zona calda / Campu termicu di grafite

Dopu: Riscaldatore di grafite Carburu di siliciu (SiC) Rivestimentu di SiC Rivestimentu di SiC

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