Üldiselt järgime teooriat „Kvaliteet ennekõike, prestiiž ülim“. Oleme pühendunud pakkuma oma klientidele konkurentsivõimeliste hindadega kvaliteetseid tooteid, kiiret kohaletoimetamist ja professionaalset teenindust Hiina madalaima hinnaga.GrafiitHallitusGrafiitTooted Grafiidi töötlemine Grafiidist paat Grafiidist rulood Grafiidist varikatused Grafiidist aknaluugid Grafiidist rulltiigel, plokkpaat. Me ei paku oma klientidele mitte ainult kõrget kvaliteeti, vaid mis veelgi olulisem, meie parim teenus ja konkurentsivõimeline hind.
Üldiselt järgime teooriat „Kvaliteet ennekõike, prestiiž ülim“. Oleme pühendunud pakkuma oma klientidele konkurentsivõimelise hinnaga kvaliteetseid teenuseid, kiiret kohaletoimetamist ja professionaalset teenindust.Hiina grafiidist tooted, GrafiitMis puudutab kvaliteeti ellujäämisena, prestiiži garantiina, innovatsiooni liikumapaneva jõuna, arengut koos tipptehnoloogiaga, siis loodab meie grupp koos teiega edusamme teha ja teha väsimatuid pingutusi selle tööstusharu helge tuleviku nimel.
Süsinik/süsinikkomposiidid(edaspidi „C / C või CFC”) on süsinikul põhinev komposiitmaterjal, mida tugevdab süsinikkiud ja selle tooted (süsinikkiust toorikud). Sellel on nii süsiniku inerts kui ka süsinikkiu kõrge tugevus. Sellel on head mehaanilised omadused, kuumakindlus, korrosioonikindlus, hõõrdumise summutamine ning soojus- ja elektrijuhtivus.
CVD-SiCKattel on ühtlase struktuuri, kompaktse materjali, kõrge temperatuurikindluse, oksüdatsioonikindluse, kõrge puhtusastme, happe- ja leeliskindluse ning orgaanilise reaktiivi omadused, millel on stabiilsed füüsikalised ja keemilised omadused.
Võrreldes kõrge puhtusastmega grafiitmaterjalidega hakkab grafiit oksüdeeruma temperatuuril 400 °C, mis põhjustab pulbri kadu oksüdeerumise tõttu, mille tulemuseks on keskkonnareostus välisseadmetes ja vaakumkambrites ning kõrge puhtusastmega keskkonna lisandite suurenemine.
SiC-kate suudab siiski säilitada füüsikalise ja keemilise stabiilsuse 1600 kraadi juures. Seda kasutatakse laialdaselt tänapäeva tööstuses, eriti pooljuhtide tööstuses.
Meie ettevõte pakub grafiidi, keraamika ja muude materjalide pinnale CVD-meetodil ränikarbiidi (SiC) katmisprotsessi teenuseid, mille käigus süsinikku ja räni sisaldavad spetsiaalsed gaasid reageerivad kõrgel temperatuuril, saades kõrge puhtusastmega ränikarbiidi (SiC) molekule. Molekulid ladestuvad kaetud materjalide pinnale, moodustades SIC kaitsekihi. Moodustunud SIC seob end kindlalt grafiidi aluspinnaga, andes grafiidi aluspinnale erilised omadused, muutes grafiidi pinna kompaktseks, poorsusevabaks, kõrgele temperatuurile vastupidavaks, korrosioonikindlaks ja oksüdatsioonikindlaks.
Peamised omadused:
1. Kõrge temperatuuriga oksüdatsioonikindlus:
Oksüdatsioonikindlus on endiselt väga hea, kui temperatuur on kuni 1600 °C.
2. Kõrge puhtusaste: valmistatud keemilise aurustamise teel kõrgel temperatuuril kloorimise tingimustes.
3. Erosioonikindlus: kõrge kõvadus, kompaktne pind, peened osakesed.
4. Korrosioonikindlus: hape, leelis, sool ja orgaanilised reagendid.
CVD-SIC-katete peamised spetsifikatsioonid:
| SiC-CVD | ||
| Tihedus | (g/cm³)
| 3.21 |
| Paindetugevus | (MPa)
| 470 |
| Soojuspaisumine | (10-6/K) | 4
|
| Soojusjuhtivus | (W/mK) | 300
|
