Täiustatud CVD-katted SiC epitaksiaalseks kasvuks
Meie CVD SiC ja TaC kattega planetaarsed sustseptorid, satelliitkettad ja gaasideflektorid on kohandatud suure võimsusega pooljuhtseadmete protsesside jaoks, mis töötavad äärmusliku termilise koormuse all (1500 °C - 1700 °C), ning need on loodud suurepäraste tulemuste saavutamiseks. Meie täiustatud katted on loodud osakeste tekkimise, pinna lagunemise ja reaktiivse gaasi söövitamise (H₂, SiH₄, C₃H∯) vältimiseks ning tagavad pika tööea, suurepärase legeeriva aine kontrolli ja ühtlase kile paksuse.6-tollised ja 8-tollised SiC epitaksiaalsed vahvlid.
Termiliselt stabiilne kuni 1700 °C-ni rasketes H₂/silaani redutseerivates keskkondades.
Väldib katte eraldumist, mikropragunemist ja koorumist kiirete termiliste tsüklite ajal.
Täppis-CNC-töötlus, mis on kohandatud järgmise põlvkonna suure läbilaskevõimega SiC Epi reaktorite (LPE, Aixtron, Nuflare) jaoks.
| Tehniline parameeter | Spetsifikatsiooni väärtus | Standard/katsemeetod |
|---|---|---|
| Kattematerjali valikud | CVD SiC / tantaalkarbiid (TaC) | Kõrge puhtusastmega hermeetiline kiht |
| Aluspind | Puhastatud isostaatiline grafiit | Lisand puistematerjalina < 5 ppm |
| Termiline löögikindlus | Delta T > 500°C tõusukiirus | Pragunemist/koorumist ei toimu |
| Pinna karedus (Ra) | ≤ 0,4 μm (peegelpoleeritud) | Hoiab ära vahvlite kleepumise ja osakeste tekkimise |
