۱. مقدمه
سرامیکهای متخلخل کاربید سیلیکون (SiC متخلخل)مواد سرامیکی پیشرفتهای هستند که خواص برجسته کاربید سیلیکون را با یک ساختار متخلخل با دقت مهندسی شده ترکیب میکنند. برخلاف سرامیکهای SiC متراکم، SiC متخلخل دارای منافذ به هم پیوستهای است که عملکردهای اضافی از جمله نفوذپذیری کنترل شده، طراحی سبک، عایق حرارتی و قابلیت انتقال سیال پیشرفته را فراهم میکند.
سرامیکهای متخلخل SiC با پایداری حرارتی عالی، مقاومت شیمیایی و قابلیت اطمینان مکانیکی، به طور فزایندهای در صنایع با دمای بالا، به ویژه تولید نیمههادیها، که در آن محیطهای فرآیندی نیاز به خلوص بالا، مقاومت در برابر خوردگی و پایداری عملیاتی طولانی مدت دارند، اهمیت پیدا کردهاند.
Ⅱ. خواص مواد سرامیکهای متخلخل کاربید سیلیکون
۱. پایداری در دمای بالا
کاربید سیلیکون به دلیل پیوند کووالانسی قوی Si-C به دلیل عملکرد عالی در دماهای شدید شناخته شده است. SiC متخلخل، یکپارچگی ساختاری را در محیطهای با دمای بالا حفظ میکند و آن را برای پردازش حرارتی نیمههادیها، سیستمهای اپیتاکسی و اجزای کوره مناسب میسازد.
ضریب انبساط حرارتی پایین و مقاومت عالی در برابر شوک حرارتی به کاهش تغییر شکل و بهبود پایداری فرآیند کمک میکند.
۲. مقاومت شیمیایی و پلاسمایی برتر
تولید نیمههادی شامل گازهای خورنده و محیطهای پلاسما، از جمله گازهای مبتنی بر کلر، پلاسمای فلوئور و اتمسفرهای واکنشپذیر با دمای بالا میشود.
سرامیکهای متخلخل SiC موارد زیر را ارائه میدهند:
- مقاومت عالی در برابر اکسیداسیون
- پایداری شیمیایی بالا
- مقاومت قوی در برابر فرسایش پلاسما
- ویژگیهای آلودگی کم
این مزایا به کاهش تولید ذرات و افزایش طول عمر قطعات در تجهیزات نیمههادی کمک میکند.
۳. تخلخل و نفوذپذیری گاز کنترلشده
مزیت کلیدی SiC متخلخل، ساختار منافذ قابل تنظیم آن است. با کنترل اندازه، توزیع و اتصال منافذ، تولیدکنندگان میتوانند تعادل بین استحکام مکانیکی و نفوذپذیری را بهینه کنند.
این ویژگی منحصر به فرد، SiC متخلخل را قادر میسازد تا به عنوان موارد زیر عمل کند:
- مواد انتشار گاز
- ساختارهای فیلتراسیون
- اجزای مدیریت حرارتی
Ⅲ. فناوریهای فرآوری سرامیکهای متخلخل کاربید سیلیکون
عملکرد سرامیکهای متخلخل SiC تا حد زیادی به روشهای تولید و طراحی ریزساختار بستگی دارد.
کاهش کربوترمال
این فرآیند سنتی، SiC متخلخل را از طریق واکنشهای دمای بالا بین مواد حاوی سیلیکون و منابع کربن تولید میکند. این فرآیند امکان تشکیل چارچوبهای SiC با خلوص بالا و پایداری حرارتی عالی را فراهم میکند.
تفجوشی فاز مایع
در زینترینگ فاز مایع از افزودنیها برای بهبود پیوند ذرات و تراکم استفاده میشود. با تنظیم دمای زینترینگ و ترکیب شیمیایی افزودنیها، تولیدکنندگان میتوانند به استحکام مکانیکی و توزیع منافذ بهینه دست یابند.
نفوذ بخار شیمیایی (CVI)
CVI پیشسازهای گازی را به ساختارهای متخلخل وارد میکند، جایی که SiC روی سطوح داخلی رسوب میکند. این روش استحکام ساختاری، خلوص و دوام در دمای بالا را بهبود میبخشد.
روشهای فومسازی و الگوسازی
فناوریهای فومسازی و مبتنی بر الگو، با کنترل عوامل تشکیلدهنده منافذ یا الگوهای قربانی، ساختارهای متخلخل سلسله مراتبی ایجاد میکنند. این روشها نفوذپذیری عالی و معماریهای متخلخل سفارشی را فراهم میکنند.
Ⅳ. کاربردها در تولید نیمههادی
به دلیل ترکیب منحصر به فرد خواص حرارتی، شیمیایی و ساختاری، سرامیکهای متخلخل SiC به طور فزایندهای در فرآیندهای نیمههادی مورد استفاده قرار میگیرند.
قطعات توزیع گاز
در سیستمهای CVD، PECVD و ALD، SiC متخلخل میتواند به عنوان پخشکنندههای گاز و صفحات توزیع برای دستیابی به جریان گاز یکنواخت فرآیند و بهبود ثبات رسوب فیلم عمل کند.

تجهیزات پردازش پلاسما
در سیستمهای حکاکی و تمیزکاری پلاسما، اجزای متخلخل SiC مقاومت بالایی در برابر محیطهای خورنده پلاسما ارائه میدهند، آلودگی ذرات را کاهش میدهند و قابلیت اطمینان تجهیزات را بهبود میبخشند.
سیستمهای اپیتاکسی SiC و GaN
برای تولید نیمههادیهای نسل سوم، SiC متخلخل به بهبود مدیریت حرارتی و پایداری فرآیند در محیطهای رشد اپیتاکسیال با دمای بالا کمک میکند.
قطعات جابجایی ویفر
سه نظامهای خلاء متخلخل SiCوپایههای ویفردقت بالا، آلودگی کم و مقاومت شیمیایی عالی برای بازرسی ویفر، لیتوگرافی و پردازش حرارتی را فراهم میکند.
۲. نتیجهگیری
سرامیکهای متخلخل سیلیکون کاربیدنشان دهنده تکاملمواد SiCاز سرامیکهای ساختاری سنتی به سمت اجزای نیمههادی کاربردی. از طریق فناوریهای پیشرفته پردازش و کنترل دقیق ساختار منافذ، SiC متخلخل به تعادل ایدهآلی بین استحکام، نفوذپذیری، عملکرد حرارتی و پایداری شیمیایی دست مییابد.
همچنان که تولید نیمههادیها به سمت دماهای بالاتر و کنترل آلودگی سختگیرانهتر پیش میرود، سرامیکهای متخلخل SiC نقش بسیار مهمی در ... ایفا خواهند کرد.سیستمهای CVD، تجهیزات پردازش پلاسما، جابجایی ویفر و فناوریهای ساخت نیمههادی نسل بعدی.
زمان ارسال: ۳۱ ژوئیه ۲۰۲۶
