پوششهای پیشرفته CVD برای رشد اپیتکسیال SiC
سوسپتورهای سیارهای، دیسکهای ماهوارهای و منحرفکنندههای گازی پوشش داده شده با SiC و TaC که برای فرآیندهای قطعات نیمههادی پرقدرت که تحت تنش حرارتی شدید (1500 تا 1700 درجه سانتیگراد) کار میکنند، طراحی شدهاند، برای عملکرد عالی ساخته شدهاند. پوششهای پیشرفته ما که برای جلوگیری از تولید ذرات، تخریب سطح و حکاکی با گاز واکنشپذیر (H₂، SiH₄، C₃H∯) طراحی شدهاند، طول عمر عملیاتی طولانی، کنترل عالی دوپانت و یکنواختی بالای ضخامت لایه را در سراسر سطح تضمین میکنند.ویفرهای اپیتاکسیال SiC با اندازههای ۶ و ۸ اینچ.
در محیطهای احیای شدید H₂/سیلان، از نظر حرارتی تا دمای ۱۷۰۰ درجه سانتیگراد پایدار است.
لایه لایه شدن پوشش، ترک خوردگی ریز و پوسته پوسته شدن را در طول چرخه های حرارتی سریع از بین می برد.
ماشینکاری CNC دقیق متناسب با راکتورهای SiC Epi نسل بعدی با توان عملیاتی بالا (LPE، Aixtron، Nuflare).
| پارامتر فنی | مقدار مشخصات | استاندارد / روش آزمون |
|---|---|---|
| گزینههای مواد پوشش | کاربید تانتالیوم / SiC به روش CVD (CVD) | لایه هرمتیک با خلوص بالا |
| بستر پایه | گرافیت ایزواستاتیک خالص | ناخالصی فله <5 ppm |
| مقاومت در برابر شوک حرارتی | دلتا T > 500 درجه سانتیگراد نرخ رمپ | بدون ترک خوردگی/پوسته پوسته شدن |
| زبری سطح (Ra) | ≤ 0.4 میکرومتر (جلا شده آینهای) | از چسبیدن ویفر و ذرات جلوگیری میکند |
