"ଯାଦୁକରୀ ଆଙ୍ଗଲ୍" ଟ୍ୱିଷ୍ଟ୍ଡ୍ ବାଇଲେୟର୍ ଗ୍ରାଫିନ୍ (TBLG) ନାମକ ବିଜ୍ଞାନ ଏବଂ କ୍ୱାଣ୍ଟମ୍ ଫିଜିକ୍ସରେ ମୋହର ଷ୍ଟ୍ରାଇପ୍ ଏବଂ ଫ୍ଲାଟ୍ ବେଲ୍ଟର ଆଚରଣ ବୈଜ୍ଞାନିକମାନଙ୍କଠାରୁ ବହୁତ ଆଗ୍ରହ ଆଣିଛି, ଯଦିଓ ଅନେକ ଗୁଣ ଉଷ୍ମ ବିତର୍କର ସମ୍ମୁଖୀନ ହୋଇଛି। ସାଇନ୍ସ ପ୍ରୋଗ୍ରେସ୍ ଜର୍ଣ୍ଣାଲରେ ପ୍ରକାଶିତ ଏକ ନୂତନ ଅଧ୍ୟୟନରେ, ଏମିଲିଓ କୋଲେଡୋ ଏବଂ ଯୁକ୍ତରାଷ୍ଟ୍ର ଏବଂ ଜାପାନର ପଦାର୍ଥ ବିଜ୍ଞାନ ଏବଂ ସାମଗ୍ରୀ ବିଜ୍ଞାନ ବିଭାଗର ବୈଜ୍ଞାନିକମାନେ ଟ୍ୱିଷ୍ଟ୍ଡ୍ ବାଇଲେୟର୍ ଗ୍ରାଫିନ୍ ରେ ସୁପରକଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ଏବଂ ସାଦୃଶ୍ୟ ପର୍ଯ୍ୟବେକ୍ଷଣ କରିଛନ୍ତି। ମୋଟ୍ ଇନସୁଲେଟର ଅବସ୍ଥାରେ ପ୍ରାୟ 0.93 ଡିଗ୍ରୀର ଏକ ଟ୍ୱିଷ୍ଟ୍ କୋଣ ଅଛି। ଏହି କୋଣ ପୂର୍ବ ଅଧ୍ୟୟନରେ ଗଣନା କରାଯାଇଥିବା "ଯାଦୁକରୀ କୋଣ" କୋଣ (1.1°) ଅପେକ୍ଷା 15% ଛୋଟ। ଏହି ଅଧ୍ୟୟନ ଦର୍ଶାଉଛି ଯେ ଟ୍ୱିଷ୍ଟ୍ଡ୍ ବାଇଲେୟର୍ ଗ୍ରାଫିନର "ଯାଦୁକରୀ କୋଣ" ପରିସର ପୂର୍ବ ଆଶାଠାରୁ ବଡ଼।
ଏହି ଅଧ୍ୟୟନ କ୍ୱାଣ୍ଟମ୍ ପଦାର୍ଥ ବିଜ୍ଞାନରେ ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଟ୍ୱିଷ୍ଟଡ୍ ବାଇଲେୟାର ଗ୍ରାଫିନରେ ଶକ୍ତିଶାଳୀ କ୍ୱାଣ୍ଟମ୍ ଘଟଣା ବୁଝିବା ପାଇଁ ପ୍ରଚୁର ନୂତନ ସୂଚନା ପ୍ରଦାନ କରେ। ପଦାର୍ଥବିଜ୍ଞାନୀମାନେ "ଟ୍ୱିଷ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ" କୁ ଗ୍ରାଫିନରେ ମୋଇରେ ଏବଂ ଫ୍ଲାଟ ବ୍ୟାଣ୍ଡ ଉତ୍ପାଦନ କରିବା ପାଇଁ ନିକଟବର୍ତ୍ତୀ ଭାନ୍ ଡେର ୱାଲ୍ସ ସ୍ତର ମଧ୍ୟରେ ଆପେକ୍ଷିକ ଟ୍ୱିଷ୍ଟ କୋଣ ଭାବରେ ପରିଭାଷିତ କରନ୍ତି। ଏହି ଧାରଣା ବିଦ୍ୟୁତ ପ୍ରବାହ ହାସଲ କରିବା ପାଇଁ ଦ୍ୱି-ପରିମାଣୀୟ ସାମଗ୍ରୀ ଉପରେ ଆଧାରିତ ଡିଭାଇସ୍ ଗୁଣଗୁଡ଼ିକୁ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଭାବରେ ପରିବର୍ତ୍ତନ ଏବଂ କଷ୍ଟମାଇଜ୍ କରିବା ପାଇଁ ଏକ ନୂତନ ଏବଂ ଅନନ୍ୟ ପଦ୍ଧତି ପାଲଟିଛି। ଗବେଷକଙ୍କ ଅଗ୍ରଣୀ କାର୍ଯ୍ୟରେ "ଟ୍ୱିଷ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ" ର ଉଲ୍ଲେଖନୀୟ ପ୍ରଭାବ ଉଦାହରଣ ଦିଆଯାଇଥିଲା, ଏହା ଦର୍ଶାଇ ଯେ ଯେତେବେଳେ ଦୁଇଟି ଏକକ-ସ୍ତର ଗ୍ରାଫିନ ସ୍ତର θ=1.1±0.1° ର ଏକ "ଯାଦୁକରୀ କୋଣ" ଟ୍ୱିଷ୍ଟ କୋଣରେ ଷ୍ଟାକ୍ କରାଯାଏ, ସେତେବେଳେ ଏକ ଅତ୍ୟନ୍ତ ସମତଳ ବ୍ୟାଣ୍ଡ ଦେଖାଯାଏ।
ଏହି ଅଧ୍ୟୟନରେ, ଟ୍ୱିଷ୍ଟଡ୍ ବାଇଲେୟାର ଗ୍ରାଫିନ (TBLG) ରେ, "ଯାଦୁକରୀ କୋଣ" ରେ ସୁପରଲାଟିସର ପ୍ରଥମ ମାଇକ୍ରୋଷ୍ଟ୍ରିପ୍ (ସଂରଚନାତ୍ମକ ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟ) ର ଇନସୁଲେଟିଂ ପର୍ଯ୍ୟାୟ ଅର୍ଦ୍ଧ-ପୂରଣ ହୋଇଥିଲା। ଗବେଷଣା ଦଳ ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରିଥିଲେ ଯେ ଏହା ଏକ ମୋଟ ଇନସୁଲେଟର (ସୁପରକଣ୍ଡକ୍ଟିଂ ଗୁଣ ସହିତ ଏକ ଇନସୁଲେଟର) ଯାହା ଟିକିଏ ଅଧିକ ଏବଂ ନିମ୍ନ ଡୋପିଂ ସ୍ତରରେ ସୁପରକଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ପ୍ରଦର୍ଶନ କରେ। ପର୍ଯ୍ୟାୟ ଚିତ୍ର ସୁପରକଣ୍ଡକ୍ଟିଂ ଟ୍ରାଞ୍ଜିସନ୍ ତାପମାତ୍ରା (Tc) ଏବଂ ଫର୍ମି ତାପମାତ୍ରା (Tf) ମଧ୍ୟରେ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ସୁପରକଣ୍ଡକ୍ଟର ଦର୍ଶାଏ। ଏହି ଗବେଷଣା ଗ୍ରାଫିନ ବ୍ୟାଣ୍ଡ ଗଠନ, ଟୋପୋଲୋଜି ଏବଂ ଅତିରିକ୍ତ "ଯାଦୁକରୀ କୋଣ" ଅର୍ଦ୍ଧପରିବାହୀ ସିଷ୍ଟମ ଉପରେ ବହୁତ ଆଗ୍ରହ ଏବଂ ତାତ୍ତ୍ୱିକ ବିତର୍କକୁ ନେଇଥିଲା। ମୂଳ ତାତ୍ତ୍ୱିକ ରିପୋର୍ଟ ସହିତ ତୁଳନା କଲେ, ପରୀକ୍ଷଣାତ୍ମକ ଗବେଷଣା ବିରଳ ଏବଂ ଏହା ଏବେ ଆରମ୍ଭ ହୋଇଛି। ଏହି ଅଧ୍ୟୟନରେ, ଦଳ "ଯାଦୁକରୀ କୋଣ" ଟ୍ୱିଷ୍ଟଡ୍ ବାଇଲେୟାର ଗ୍ରାଫିନ ଉପରେ ଟ୍ରାନ୍ସମିସନ୍ ମାପ କରିଥିଲେ ଯାହା ପ୍ରାସଙ୍ଗିକ ଇନସୁଲେଟିଂ ଏବଂ ସୁପରକଣ୍ଡକ୍ଟିଂ ଅବସ୍ଥା ଦର୍ଶାଉଛି।
0.93 ± 0.01 ର ଏକ ଅପ୍ରତ୍ୟାଶିତ ବିକୃତ କୋଣ, ଯାହା ପ୍ରତିଷ୍ଠିତ "ଯାଦୁକରୀ କୋଣ" ଠାରୁ 15% ଛୋଟ, ଏହା ଆଜି ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ରିପୋର୍ଟ କରାଯାଇଥିବା ସବୁଠାରୁ କ୍ଷୁଦ୍ରତମ ଏବଂ ସୁପରକଣ୍ଡକ୍ଟିଂ ଗୁଣ ପ୍ରଦର୍ଶନ କରେ। ଏହି ଫଳାଫଳଗୁଡ଼ିକ ସୂଚାଇଥାଏ ଯେ ନୂତନ ସମ୍ପର୍କ ଅବସ୍ଥା ଗ୍ରାଫିନର ପ୍ରଥମ ମାଇକ୍ରୋଷ୍ଟ୍ରିପ୍ ବାହାରେ, ପ୍ରାଥମିକ "ଯାଦୁକରୀ କୋଣ" ଠାରୁ କମ୍, "ଯାଦୁକରୀ କୋଣ" ଟୁଇଷ୍ଟ ବାଇଲେୟର ଗ୍ରାଫିନରେ ଦେଖାଯାଇପାରେ। ଏହି "ଯାଦୁକରୀ ହର୍ଣ୍ଣ" ଟୁଇଷ୍ଟ ବାଇଲେୟର ଗ୍ରାଫିନ ଡିଭାଇସଗୁଡ଼ିକ ନିର୍ମାଣ କରିବା ପାଇଁ, ଦଳ ଏକ "ଟିୟର ଆଣ୍ଡ ଷ୍ଟାକ୍" ପଦ୍ଧତି ବ୍ୟବହାର କରିଥିଲା। ଷଡ଼କୋଣୀୟ ବୋରନ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ (BN) ସ୍ତରଗୁଡ଼ିକ ମଧ୍ୟରେ ଗଠନକୁ ଏନକ୍ୟାପସୁଲେଟେଡ୍ କରାଯାଇଛି; ଏକ ହଲ୍ ରଡ୍ ଜ୍ୟାମିତିରେ ପ୍ୟାଟର୍ନ କରାଯାଇଛି ଯାହା Cr/Au (କ୍ରୋମିୟମ୍/ସୁନା) ଧାର ସମ୍ପର୍କ ସହିତ ସଂଯୁକ୍ତ ଅନେକ ତାର ସହିତ। ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ "ଯାଦୁକରୀ କୋଣ" ଟୁଇଷ୍ଟ ବାଇଲେୟର ଗ୍ରାଫିନ ଡିଭାଇସ୍ ପଛ ଗେଟ୍ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ଗ୍ରାଫିନ ସ୍ତର ଉପରେ ତିଆରି କରାଯାଇଥିଲା।
ପମ୍ପଡ୍ HE4 ଏବଂ HE3 କ୍ରାଇଓଷ୍ଟାଟ୍ଗୁଡ଼ିକରେ ଡିଭାଇସ୍ଗୁଡ଼ିକୁ ମାପ କରିବା ପାଇଁ ବୈଜ୍ଞାନିକମାନେ ମାନକ ପ୍ରତ୍ୟକ୍ଷ କରେଣ୍ଟ (DC) ଏବଂ ଅଲଟରନେଟିଂ କରେଣ୍ଟ (AC) ଲକିଂ କୌଶଳ ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତି। ଦଳଟି ଡିଭାଇସ୍ର ଲମ୍ବ ପ୍ରତିରୋଧ (Rxx) ଏବଂ ବିସ୍ତାରିତ ଗେଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ (VG) ପରିସର ମଧ୍ୟରେ ସମ୍ପର୍କ ରେକର୍ଡ କରିଥିଲା ଏବଂ 1.7K ତାପମାତ୍ରାରେ ଚୁମ୍ବକୀୟ କ୍ଷେତ୍ର B ଗଣନା କରିଥିଲା। "ଯାଦୁକରୀ କୋଣ" ଟୁଇଷ୍ଟଡ୍ ବାଇଲେୟାର ଗ୍ରାଫିନ୍ ଡିଭାଇସ୍ର ଏକ ଅନ୍ତର୍ନିହିତ ଗୁଣ ଭାବରେ ଛୋଟ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନ୍-ହୋଲ୍ ଅସମତା ପରିଲକ୍ଷିତ ହୋଇଥିଲା। ପୂର୍ବ ରିପୋର୍ଟରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା ପରି, ଦଳ ଏହି ଫଳାଫଳଗୁଡ଼ିକୁ ରେକର୍ଡ କରିଥିଲା ଏବଂ ଏପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ସୁପରକଣ୍ଡକ୍ଟିଂ ହୋଇଥିବା ରିପୋର୍ଟଗୁଡ଼ିକୁ ବିସ୍ତୃତ କରିଥିଲା। ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟପୂର୍ଣ୍ଣ "ଯାଦୁକରୀ କୋଣ" ବାଇଲେୟାର ଗ୍ରାଫିନ୍ ଡିଭାଇସ୍ର ସର୍ବନିମ୍ନ ଟର୍ସନ୍ କୋଣକୁ ମୋଡ଼ିଥାଏ। ଲ୍ୟାଣ୍ଡାଉ ଫ୍ୟାନ୍ ଚାର୍ଟର ନିକଟତର ପରୀକ୍ଷା ସହିତ, ଗବେଷକମାନେ କିଛି ଉଲ୍ଲେଖନୀୟ ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟ ହାସଲ କରିଥିଲେ।
ଉଦାହରଣ ସ୍ୱରୂପ, ଅଧା ପୂରଣ ସମୟରେ ଶିଖର ଏବଂ ଲ୍ୟାଣ୍ଡାଉ ସ୍ତରର ଦୁଇଗୁଣ ଅବକ୍ଷୟ ପୂର୍ବରୁ ପରିଲକ୍ଷିତ ମୋମେଣ୍ଟ-ପରି ଇନସୁଲେସନ ଅବସ୍ଥା ସହିତ ସୁସଙ୍ଗତ। ଦଳ ଆନୁମାନିକ ସ୍ପିନ୍ ଭ୍ୟାଲି SU(4) ର ସମସାମ୍ୟରେ ଏକ ଭଙ୍ଗ ଏବଂ ଏକ ନୂତନ କ୍ୱାସି-କଣା ଫର୍ମି ପୃଷ୍ଠ ଗଠନ ଦେଖାଇଥିଲା। ତଥାପି, ବିବରଣୀ ପାଇଁ ଅଧିକ ବିସ୍ତୃତ ଯାଞ୍ଚ ଆବଶ୍ୟକ। ସୁପରକଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟିର ଦୃଶ୍ୟ ମଧ୍ୟ ପରିଲକ୍ଷିତ ହୋଇଥିଲା, ଯାହା ପୂର୍ବ ଅଧ୍ୟୟନ ପରି Rxx (ଅନୁଦ୍ରାଙ୍ଗ ପ୍ରତିରୋଧ) ବୃଦ୍ଧି କରିଥିଲା। ଦଳ ତା'ପରେ ସୁପରକଣ୍ଡକ୍ଟିଂ ପର୍ଯ୍ୟାୟର ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ତାପମାତ୍ରା (Tc) ପରୀକ୍ଷା କରିଥିଲା। ଯେହେତୁ ଏହି ନମୁନାରେ ସୁପରକଣ୍ଡକ୍ଟରଗୁଡ଼ିକର ସର୍ବୋତ୍ତମ ଡୋପିଂ ପାଇଁ କୌଣସି ତଥ୍ୟ ମିଳିନଥିଲା, ବୈଜ୍ଞାନିକମାନେ 0.5K ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ତାପମାତ୍ରା ଧରି ନେଇଥିଲେ। ତଥାପି, ଏହି ଡିଭାଇସଗୁଡ଼ିକ ସୁପରକଣ୍ଡକ୍ଟିଂ ଅବସ୍ଥାରୁ ସ୍ପଷ୍ଟ ତଥ୍ୟ ପାଇବା ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଅକାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷମ ହୋଇଯାଏ। ସୁପରକଣ୍ଡକ୍ଟିଂ ଅବସ୍ଥାକୁ ଅଧିକ ତଦନ୍ତ କରିବା ପାଇଁ, ଗବେଷକମାନେ ବିଭିନ୍ନ ବାହକ ଘନତାରେ ଡିଭାଇସର ଚାରି-ଟର୍ମିନାଲ ଭୋଲଟେଜ-କର୍ଟେନ୍ (VI) ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡ଼ିକୁ ମାପିଥିଲେ।
ପ୍ରାପ୍ତ ପ୍ରତିରୋଧ ଦର୍ଶାଏ ଯେ ଏକ ବୃହତ ଘନତା ପରିସର ଉପରେ ସୁପର କରେଣ୍ଟ ପରିଲକ୍ଷିତ ହୁଏ ଏବଂ ଏକ ସମାନ୍ତରାଳ ଚୁମ୍ବକୀୟ କ୍ଷେତ୍ର ପ୍ରୟୋଗ କଲେ ସୁପର କରେଣ୍ଟର ଦମନ ଦେଖାଏ। ଅଧ୍ୟୟନରେ ପରିଲକ୍ଷିତ ଆଚରଣ ବିଷୟରେ ଅନ୍ତର୍ଦୃଷ୍ଟି ପାଇବା ପାଇଁ, ଗବେଷକମାନେ ବିଷ୍ଟ୍ରିଟଜର-ମ୍ୟାକଡୋନାଲ୍ଡ ମଡେଲ ଏବଂ ଉନ୍ନତ ପାରାମିଟର ବ୍ୟବହାର କରି "ମ୍ୟାଜିକ୍ ଏଙ୍ଗଲ୍" ଟ୍ୱିଷ୍ଟଡ୍ ବାଇଲେୟାର ଗ୍ରାଫିନ୍ ଡିଭାଇସର ମୋଇର୍ ବ୍ୟାଣ୍ଡ ଗଠନ ଗଣନା କରିଥିଲେ। "ମ୍ୟାଜିକ୍ ଏଙ୍ଗଲ୍" କୋଣର ପୂର୍ବ ଗଣନା ତୁଳନାରେ, ଗଣନା କରାଯାଇଥିବା ନିମ୍ନ ଶକ୍ତି ମୋଇର୍ ବ୍ୟାଣ୍ଡ ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ବ୍ୟାଣ୍ଡରୁ ପୃଥକ ନୁହେଁ। ଯଦିଓ ଡିଭାଇସର ଟ୍ୱିଷ୍ଟ୍ ଏଙ୍ଗଲ୍ ଅନ୍ୟତ୍ର ଗଣନା କରାଯାଇଥିବା "ମ୍ୟାଜିକ୍ ଏଙ୍ଗଲ୍" କୋଣ ଅପେକ୍ଷା ଛୋଟ, ଡିଭାଇସରେ ଏକ ଘଟଣା ଅଛି ଯାହା ପୂର୍ବ ଅଧ୍ୟୟନ (ମୋର୍ଟ ଇନସୁଲେସନ୍ ଏବଂ ସୁପରକଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି) ସହିତ ଦୃଢ଼ ଭାବରେ ଜଡିତ, ଯାହାକୁ ପଦାର୍ଥବିଜ୍ଞାନୀମାନେ ଅପ୍ରତ୍ୟାଶିତ ଏବଂ ସମ୍ଭବ ବୋଲି ପାଇଥିଲେ।
ବଡ଼ ଘନତା (ପ୍ରତ୍ୟେକ ଶକ୍ତିରେ ଉପଲବ୍ଧ ଅବସ୍ଥାର ସଂଖ୍ୟା) ରେ ଆଚରଣର ଆହୁରି ମୂଲ୍ୟାଙ୍କନ କରିବା ପରେ, ବୈଜ୍ଞାନିକମାନଙ୍କ ଦ୍ୱାରା ପର୍ଯ୍ୟବେକ୍ଷିତ ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ ନୂତନ ଭାବରେ ଉଦୀୟମାନ ଜଡିତ ଇନସୁଲେସନ ଅବସ୍ଥା ସହିତ ଜଡିତ। ଭବିଷ୍ୟତରେ, ଇନସୁଲେସନର ଅଦ୍ଭୁତ ଅବସ୍ଥାକୁ ବୁଝିବା ଏବଂ ସେଗୁଡିକୁ କ୍ୱାଣ୍ଟମ୍ ସ୍ପିନ୍ ତରଳ ଭାବରେ ବର୍ଗୀକୃତ କରାଯାଇପାରିବ କି ନାହିଁ ତାହା ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରିବା ପାଇଁ ଘନତା ଅବସ୍ଥା (DOS) ର ଏକ ଅଧିକ ବିସ୍ତୃତ ଅଧ୍ୟୟନ କରାଯିବ। ଏହିପରି, ବୈଜ୍ଞାନିକମାନେ ଏକ ଛୋଟ ମୋଡ଼ କୋଣ (0.93°) ସହିତ ଏକ ମୋଡ଼ିତ ବାଇଲେୟାର ଗ୍ରାଫିନ ଡିଭାଇସରେ ମୋକ୍ସ ପରି ଇନସୁଲେଟିଂ ଅବସ୍ଥା ନିକଟରେ ସୁପରକଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ପର୍ଯ୍ୟବେକ୍ଷଣ କରିଥିଲେ। ଏହି ଅଧ୍ୟୟନ ଦର୍ଶାଉଛି ଯେ ଏତେ ଛୋଟ କୋଣ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ଘନତାରେ ମଧ୍ୟ, ମୋଇରେର ଗୁଣ ଉପରେ ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ସହସଂଯୋଗର ପ୍ରଭାବ ସମାନ। ଭବିଷ୍ୟତରେ, ଇନସୁଲେଟିଂ ପର୍ଯ୍ୟାୟର ସ୍ପିନ୍ ଉପତ୍ୟକାଗୁଡିକ ଅଧ୍ୟୟନ କରାଯିବ, ଏବଂ ଏକ ନୂତନ ସୁପରକଣ୍ଡକ୍ଟିଂ ପର୍ଯ୍ୟାୟ କମ ତାପମାତ୍ରାରେ ଅଧ୍ୟୟନ କରାଯିବ। ଏହି ଆଚରଣର ଉତ୍ପତ୍ତିକୁ ବୁଝିବା ପାଇଁ ସୈଦ୍ଧାନ୍ତିକ ପ୍ରୟାସ ସହିତ ପରୀକ୍ଷଣାତ୍ମକ ଗବେଷଣାକୁ ମିଶ୍ରିତ କରାଯିବ।
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ଅକ୍ଟୋବର-୦୮-୨୦୧୯