ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଏପିଟାକ୍ସି ପାଇଁ ଉଚ୍ଚ-ପ୍ୟୁରିଟି ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ହିଟର୍ ସମାଧାନ

MOCVD (ଧାତୁ-ଜୈବ ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା) ଏବଂ SiC ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ବୃଦ୍ଧି ଭଳି ଉଚ୍ଚ-ତାପମାନ ଅର୍ଦ୍ଧଚାଳକ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, ତାପଜ କ୍ଷେତ୍ର ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ସିଧାସଳଖ ଫିଲ୍ମ ଜମା ଘନତା ସମାନତା, ଡୋପିଂ ସାନ୍ଦ୍ରତା ଏବଂ ଚୂଡ଼ାନ୍ତ ୱେଫର ଉପଜ ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରେ। ଏକ ମୂଳ ତାପଜ କ୍ଷେତ୍ର ଉପାଦାନ ଭାବରେ,ଉଚ୍ଚ-ପ୍ୟୁରିଟି ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ହିଟର୍ଅତ୍ୟନ୍ତ କ୍ଷୟକାରୀ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଗ୍ୟାସ ପରିବେଶ ମଧ୍ୟରେ 1600°C ଅତିକ୍ରମ କରୁଥିବା ଅତ୍ୟଧିକ ତାପମାତ୍ରାରେ ସ୍ଥିର ଏବଂ ନିରନ୍ତର କାର୍ଯ୍ୟ କରିବା ଆବଶ୍ୟକ। ପ୍ରାମାଣିକ ଗ୍ରାହକ ପ୍ରୟୋଗ କେସ୍ ଷ୍ଟଡିକୁ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଉତ୍ପାଦ ଜ୍ଞାନ ସହିତ ମିଶ୍ରଣ କରି, ଏହି ପ୍ରବନ୍ଧଟି ଅର୍ଦ୍ଧପରିବାହୀ ୱେଫର ନିର୍ମାଣରେ ଉଚ୍ଚ-ଶୁଦ୍ଧତା ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ହିଟରଗୁଡ଼ିକର ବୈଷୟିକ ସୁବିଧା, ଗଠନମୂଳକ ଡିଜାଇନ୍ ଏବଂ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ଭୂମିକାର ଏକ ଗଭୀର ବିଶ୍ଳେଷଣ ପ୍ରଦାନ କରେ।

MOCVD ସିଷ୍ଟମ ପାଇଁ ଉଚ୍ଚ-ପ୍ୟୁରିଟି ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ହିଟର୍ କାହିଁକି ବାଛନ୍ତୁ?

MOCVD ଏବଂ GaN/SiC ଏପିଟାକ୍ସୀ ଭଳି ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ, କ୍ଷୁଦ୍ର ତାପମାତ୍ରାର ଉତ୍ଥାନ-ପତନ (>2°C) ମଧ୍ୟ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତରରେ ତରଙ୍ଗଦୈର୍ଘ୍ୟ ପରିବର୍ତ୍ତନ କିମ୍ବା ସ୍ଫଟିକ ତ୍ରୁଟି ସୃଷ୍ଟି କରିପାରେ। ଉଚ୍ଚ ତାପଜ ପରିବାହୀତା (100-150 W/m·K) ଏବଂ ଏକ ଅତ୍ୟନ୍ତ କମ ତାପଜ ପ୍ରସାରଣ ଗୁଣାଙ୍କ (CTE) ବ୍ୟବହାର କରି, ଉଚ୍ଚ-ଶୁଦ୍ଧତା ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ସାମଗ୍ରୀଗୁଡ଼ିକ ସମଗ୍ର ସସେପ୍ଟର ଏବଂ ୱେଫର ପୃଷ୍ଠରେ ସମାନ ଭାବରେ ତାପ ପରିଚାଳନା କରନ୍ତି।

ତାପମାତ୍ରା କ୍ଷେତ୍ର ସମାନତା ଏବଂ ବହୁ-କ୍ଷେତ୍ର ନିୟନ୍ତ୍ରଣ

ଏପିଟାକ୍ସି ଚାମ୍ବରର ଧାରରେ ତାପଜ ବିକିରଣ କ୍ଷତିର ମୁକାବିଲା କରିବା ପାଇଁ, ଉଚ୍ଚ-ଶୁଦ୍ଧତା ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ହିଟର୍ ସାଧାରଣତଃ ଏକ ବହୁ-ଜୋନ୍ ସ୍ୱାଧୀନ ତାପମାତ୍ରା ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ଡିଜାଇନ୍ ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ କରେ। ସଠିକ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ଜୋନିଂ ସମାୟୋଜନ ମାଧ୍ୟମରେ, ଇଞ୍ଜିନିୟରମାନେ ଚାମ୍ବର ପ୍ରବାହ କ୍ଷେତ୍ରର ତାପଜ କ୍ଷତି ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟ ଅନୁଯାୟୀ ସର୍କିଟ୍ କ୍ରସ୍-ସେକ୍ସନାଲ୍ କ୍ଷେତ୍ର ଏବଂ ବୈଦ୍ୟୁତିକ ପ୍ରତିରୋଧକୁ କଷ୍ଟମାଇଜ୍ କରନ୍ତି। ଏହା ±1°C ମଧ୍ୟରେ ୱାଫର ବୃଦ୍ଧି କ୍ଷେତ୍ରରେ ତାପମାତ୍ରା କ୍ଷେତ୍ର ପରିବର୍ତ୍ତନକୁ ବଜାୟ ରଖେ, ଡିସ୍କର ସମସ୍ତ ୱେଫରରେ ବୈଦ୍ୟୁତିକ ସ୍ଥିରତା ଗ୍ୟାରେଣ୍ଟି ଦିଏ।

ପାଉଁଶ ପରିମାଣ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ଏବଂ ଅତି-ଶୁଦ୍ଧ ପରିବେଶ ନିଶ୍ଚିତତା

ଅର୍ଦ୍ଧପରିବାହୀ ଏପିଟାକ୍ସି ପ୍ରକ୍ରିୟାଗୁଡ଼ିକ ଧାତୁ ଅଶୁଦ୍ଧତା ପ୍ରତି ଅସାଧାରଣ ଭାବରେ ସମ୍ବେଦନଶୀଳ। ମାନକ ଶିଳ୍ପ ଗ୍ରାଫାଇଟରେ ଲୁହା (Fe), ନିକେଲ (Ni), ଏବଂ ତମ୍ବା (Cu) ପରି ଟ୍ରେସ୍ ଧାତୁ ଉପାଦାନ ଥାଏ, ଯାହା ସହଜରେ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ ଏପିଟାକ୍ସିୟାଲ୍ ସ୍ତରକୁ ବାଷ୍ପିୟ ଏବଂ ବିସ୍ତାରିତ ହୁଏ, ଯାହା ଡିଭାଇସ୍ ବ୍ରେକଡାଉନ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଏବଂ ବାହକ ଗତିଶୀଳତାକୁ ବିପଦରେ ପକାଇଥାଏ। ଉଚ୍ଚ-ଶୁଦ୍ଧତା ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ହିଟର୍ ଉଚ୍ଚ-ତାପମାନ କ୍ଲୋରିନେସନ୍ ବିଶୋଧନ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଦେଇଥାଏ, ମୋଟ ପାଉଁଶ ପରିମାଣକୁ 5 ppm ତଳେ ହ୍ରାସ କରିଥାଏ (ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ଶେଷ ଅର୍ଦ୍ଧପରିବାହୀ ଗ୍ରେଡ୍ ପାଇଁ 2 ppm ତଳେ), ଉତ୍ସରେ ତାପଜ କ୍ଷେତ୍ର ଅଶୁଦ୍ଧତାରୁ ଏପିଟାକ୍ସିୟାଲ୍ ୱେଫରଗୁଡ଼ିକର କ୍ରସ୍-ପ୍ରଦୁଷଣକୁ ରୋକିଥାଏ।

ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ୱାଫର ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣରେ ଉନ୍ନତ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ଗରମ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକ

ଅର୍ଦ୍ଧଚାଳକ ଗରମ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକ କୋଠରୀ ତାପମାତ୍ରାରୁ ହଜାର ହଜାର ଡିଗ୍ରୀ ସେଲସିୟସ୍ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ବାରମ୍ବାର ଦ୍ରୁତ ଗରମ ଏବଂ ଶୀତଳୀକରଣ ଚକ୍ର ଦେଇ ଗତି କରନ୍ତି। ଧାତୁ ଗରମ ତାରଗୁଡ଼ିକ (ଯେପରିକି ଟଙ୍ଗଷ୍ଟନ୍ କିମ୍ବା ମୋଲିବଡେନମ୍), ଯାହା ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ ପୁନଃକ୍ରିଷ୍ଟାଲୀକରଣ, ଭଙ୍ଗୁର ହେବା କିମ୍ବା ଝଡ଼ିଯିବା ପରି ନୁହେଁ, ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ଏକ ଅନନ୍ୟ ଭୌତିକ ଗୁଣ ପ୍ରଦର୍ଶନ କରେ: ତାପମାତ୍ରା ସହିତ ଶକ୍ତି ବୃଦ୍ଧି ପାଏ।

ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଶକ୍ତି ଏବଂ ଗଠନମୂଳକ କ୍ଳାନ୍ତି ପ୍ରତିରୋଧ

ତାପମାତ୍ରା ବୃଦ୍ଧି ସହିତ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ସାମଗ୍ରୀର ଟାଣ ଏବଂ ନମନୀୟ ଶକ୍ତି ବୃଦ୍ଧି ପାଏ, ଯାହା 2000°C ଏବଂ 2500°C ମଧ୍ୟରେ ସର୍ବାଧିକ ହୋଇଥାଏ। ଏହି ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟ ନିଶ୍ଚିତ କରେ ଯେ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ହିଟର୍ ତୀବ୍ର ତାପଜ ବିକିରଣ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ତାପମାନ କାର୍ଯ୍ୟରେ କୌଣସି ଯାନ୍ତ୍ରିକ ସ୍ୟାଗିଙ୍ଗ କିମ୍ବା ଗଠନମୂଳକ ଭଙ୍ଗାର ଶିକାର ହୁଏ ନାହିଁ। ଫଳସ୍ୱରୂପ, ଦୀର୍ଘ କାର୍ଯ୍ୟ ଚକ୍ରରେ ବୈଦ୍ୟୁତିକ ପ୍ରତିରୋଧ ସ୍ଥିରତା ସଂରକ୍ଷିତ ରହିଥାଏ, ଯାହା ଅନିଚ୍ଛାକୃତ ରକ୍ଷଣାବେକ୍ଷଣ ଡାଉନଟାଇମ୍ କୁ ନାଟକୀୟ ଭାବରେ ହ୍ରାସ କରିଥାଏ।

ପ୍ରିସିସନ୍ 3D ମେସିନିଂ ଏବଂ ଜଟିଳ ସର୍କିଟ୍ ଲେଆଉଟ୍

ଆଧୁନିକ ଅର୍ଦ୍ଧପରିବାହୀ ରିଆକ୍ଟରଗୁଡ଼ିକ ଅତ୍ୟନ୍ତ କମ୍ପାକ୍ଟ ସ୍ଥାନିକ ଲେଆଉଟ୍ ଦାବି କରନ୍ତି। ଉଚ୍ଚ-ଶୁଦ୍ଧତା ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ମେସିନ୍ କ୍ଷମତା ରଖେ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ସଠିକତା 5-ଅକ୍ଷ CNC ମେସିନ୍ ମାଧ୍ୟମରେ ଜଟିଳ ସର୍କିଟ୍ ପ୍ୟାଟର୍ଣ୍ଣରେ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ କରାଯାଇପାରିବ - ଯେପରିକି ତିନି-ଫେଜ୍ ଥ୍ରେଡେଡ୍ ଗଠନ, ସର୍ପଟାଇନ୍ ଫୋଲ୍ଡଡ୍ ପଥ ଏବଂ ଡୁଆଲ୍-ହେଲିକ୍ସ ଷ୍ଟାଗର୍ଡ ସର୍କିଟ୍। ଏହି ଉଚ୍ଚ-ସଠିକତା ଜ୍ୟାମିତିକ ବିନ୍ୟାସ ସୀମିତ ସ୍ଥାନ ମଧ୍ୟରେ ଗରମ ପୃଷ୍ଠ କ୍ଷେତ୍ରକୁ ସର୍ବାଧିକ କରିଥାଏ, କମ୍ ଇଣ୍ଡକ୍ଟନ୍ସ ପ୍ରଭାବ ସହିତ ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ଘନତା ଆଉଟପୁଟ୍ ହାସଲ କରିଥାଏ।

SiC ଆବୃତ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ହିଟରର ମୁଖ୍ୟ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଲାଭ

କଠୋର ପ୍ରକ୍ରିୟା ପରିବେଶକୁ ସହ୍ୟ କରିବା ପାଇଁ - ଯେପରିକି ଉଚ୍ଚ-ତାପମାନ ହାଇଡ୍ରୋଜେନ୍ ହ୍ରାସକାରୀ ବାୟୁମଣ୍ଡଳ କିମ୍ବା କ୍ଲୋରିନ୍/ଫ୍ଲୋରିନ୍ ଯୁକ୍ତ ଏଚିଂ ଗ୍ୟାସ୍ - ଉଚ୍ଚ-ଶୁଦ୍ଧତା ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଏକ ଘନ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସ୍ତର (CVD SiC ଆବରଣ) ଜମା କରିବା ଶିଳ୍ପ-ମାନକ ସମାଧାନ ପାଲଟିଛି।

ହାଇଡ୍ରୋଜେନ ଏଚ୍ିଙ୍ଗ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ଶୂନ୍ୟ କଣିକା କ୍ଷୟ

SiC ଏବଂ ସିଲିକନ୍ ଏପିଟାକ୍ସି ସମୟରେ, H ର ଉଚ୍ଚ ସାନ୍ଦ୍ରତା₂ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ ଆବରଣହୀନ ଗ୍ରାଫାଇଟକୁ ଗ୍ୟାସ ଗୁରୁତର ଭାବରେ ଖୋଳିଥାଏ (ହାଇଡ୍ରୋଜେନ ଏଚିଂ ମିଥେନ ଗ୍ୟାସ ଗଠନ କରେ), ଯାହା ଗ୍ରାଫାଇଟ ପୃଷ୍ଠକୁ ଢିଲା କରିଥାଏ, ଫ୍ଲେକିଂ ହେବାର ସମ୍ଭାବନା ଥାଏ ଏବଂ କଣିକା ପ୍ରଦୂଷଣ ସୃଷ୍ଟି କରିଥାଏ। ଏକ ଘନ CVD SiC ଆବରଣ ଗ୍ରାଫାଇଟ ପୃଷ୍ଠରେ ଥିବା ସୂକ୍ଷ୍ମ ଛିଦ୍ରଗୁଡ଼ିକୁ ସିଲ୍ କରିଥାଏ, ଗ୍ୟାସ କ୍ଷୟକୁ ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ଭାବରେ ପୃଥକ କରିଥାଏ ଏବଂ ଶୂନ୍ୟ କଣିକା ସେଡିଂ ସହିତ ଏକ ଅତ୍ୟଧିକ ପରିଷ୍କାର ପ୍ରକ୍ରିୟା ପରିବେଶ ସୃଷ୍ଟି କରିଥାଏ।

ଆକ୍ରାମକ ଗଣମାଧ୍ୟମରେ ସ୍ଥାୟୀତ୍ୱ ଏବଂ ମୋଟ ମାଲିକାନା ମୂଲ୍ୟ (TCO) ହ୍ରାସ

HCl ଏବଂ NH ପରି ଅତ୍ୟନ୍ତ ସକ୍ରିୟ ଗ୍ୟାସ୍ ସହିତ ଜଡିତ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ପରିବେଶରେ₃, CVD SiC ଆବରଣଗୁଡ଼ିକ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ରାସାୟନିକ ଜଡ଼ତା ପ୍ରଦର୍ଶନ କରେ। ଏହା କେବଳ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍‌କୁ କ୍ଷୟରୁ ରକ୍ଷା କରେ ନାହିଁ ବରଂ ଗରମ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକର ପ୍ରତିସ୍ଥାପନ ଚକ୍ରକୁ ମଧ୍ୟ ବିସ୍ତାର କରେ (ସାଧାରଣତଃ ସେବା ଜୀବନକୁ 200% ରୁ ଅଧିକ ବୃଦ୍ଧି କରେ)। ଏହା ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଫ୍ୟାବ୍‌ର ମୋଟ ମାଲିକାନା ମୂଲ୍ୟ (TCO) ଏବଂ ପ୍ରତି ୱେଫର ପାଇଁ ଆମୋର୍ଟାଇଜଡ୍ ଖର୍ଚ୍ଚକୁ ଯଥେଷ୍ଟ ହ୍ରାସ କରେ।

କେସ୍ ଷ୍ଟଡି: SiC ଏପିଟାକ୍ସିରେ ତାପଜ ଏକରୂପତା ଏବଂ କଣିକା ପ୍ରଦୂଷଣର ସମାଧାନ

ଗ୍ରାହକଙ୍କ କଷ୍ଟର କାରଣ:ଜର୍ମାନୀର ଏକ ପ୍ରସିଦ୍ଧ ତୃତୀୟ ପିଢ଼ିର ଅର୍ଦ୍ଧପରିବାହୀ ଏପିଟାକ୍ସି ନିର୍ମାତା 6-ଇଞ୍ଚ SiC ଏପିଟାକ୍ସିୟାଲ୍ ବୃଦ୍ଧି ସମୟରେ ଦୁଇଟି ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ପ୍ରତିବନ୍ଧକର ସମ୍ମୁଖୀନ ହୋଇଥିଲେ (ପ୍ରକ୍ରିୟା ତାପମାତ୍ରା 1650°C, H)₂+ TCS ବାୟୁମଣ୍ଡଳ): ପ୍ରଥମତଃ, ୱାଫର ଧାରରେ ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ସ୍ତର ଘନତା ବିଚ୍ୟୁତି ±3.8% ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ପହଞ୍ଚିଥିଲା, ଯାହା ଧାର ଡିଭାଇସ୍ ବିଫଳତା ସୃଷ୍ଟି କରିଥିଲା। ଦ୍ୱିତୀୟତଃ, ମୂଳ OEM ଗ୍ରାଫାଇଟ୍ ହିଟର୍ ମାତ୍ର 120 ଘଣ୍ଟା ବ୍ୟବହାର ପରେ ଗୁରୁତର ପୃଷ୍ଠ ହାଇଡ୍ରୋଜେନ୍ ଏଚିଂ ଏବଂ ସ୍ପାଲିଂ ପ୍ରଦର୍ଶନ କରିଥିଲା, ଯାହା ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ଚାମ୍ବରରେ କଣିକା ଡ୍ରପ୍-ଅଫ୍ ବୃଦ୍ଧି କରିଥିଲା ​​- ଗୁଣବତ୍ତା ତ୍ରୁଟି ଘନତା ସୀମିତ ସୀମା ହାରାହାରି 3× ଅତିକ୍ରମ କରିଥିଲା।

VET ଶକ୍ତି ନିର୍ଣ୍ଣୟ ଏବଂ କଷ୍ଟମ୍ ସମାଧାନ

ନିଯୁକ୍ତ ହେବା ପରେ, VET ଶକ୍ତି ଇଞ୍ଜିନିୟରିଂ ଦଳ ମୂଳ OEM ହିଟରରେ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋ-ଥର୍ମାଲ୍ ଏବଂ ତରଳ-ପ୍ରବାହ ଯୁଗ୍ମ ସିମୁଲେସନ୍ କରିଥିଲେ। ନିର୍ଣ୍ଣୟରୁ ଧାରରେ ଅପର୍ଯ୍ୟାପ୍ତ ଗରମ ଶକ୍ତି କ୍ଷତିପୂରଣ ଏବଂ ପୃଷ୍ଠ SiC ଆବରଣରେ ମାଇକ୍ରୋ-ପୋର୍ସ/ଥର୍ମାଲ୍ ଚାପ ଫାଟ ପ୍ରକାଶ ପାଇଲା (ଆବରଣ ଘନତା କେବଳ 60μm ଥିଲା ଏବଂ ଦୁର୍ବଳ ଆସନ ଥିଲା)। ପ୍ରତିକ୍ରିୟାରେ, VET ଶକ୍ତି ଏକ ଲକ୍ଷ୍ୟଭେଦୀ ଇଞ୍ଜିନିୟରିଂ ସମାଧାନ ପ୍ରଦାନ କରିଥିଲା:

• ତାପଜ କ୍ଷେତ୍ର ଗଠନାତ୍ମକ ଅପ୍ଟିମାଇଜେସନ୍:ସ୍ଥାନୀୟ ଶକ୍ତି ଘନତାକୁ ବୃଦ୍ଧି କରିବା ପାଇଁ ଧାର ଅପସାରଣ ଜୋନ ନିକଟରେ ଜ୍ୟାମିତିକ ଗରମ କ୍ରସ-ସେକ୍ସନକୁ 8% ସଙ୍କୁଚିତ କରି, ଏକ 3-ଜୋନ୍ ସ୍ୱାଧୀନ ପ୍ରତିରୋଧ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ଡିଜାଇନ୍ କାର୍ଯ୍ୟକାରୀ କରାଯାଇଛି।
• ଉଚ୍ଚ-ପବିତ୍ରତା ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଅପଗ୍ରେଡ୍:ପାଉଁଶ ପରିମାଣ <2 ppm ସହିତ ଚୟନିତ ଉଚ୍ଚ-ଘନତା ଆଇସୋଟ୍ରୋପିକ୍ ଆଇସୋଷ୍ଟାଟିକ୍ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍, ଯାହା SiC ଆବରଣ ସହିତ ତାପଜ ପ୍ରସାରଣ ଗୁଣାଙ୍କ (CTE) ସହିତ ସଠିକ୍ ମେଳ ଖାଉଛି (CTE ମେଳ ଖାଉଛି >98%)।
• CVD SiC ପ୍ରକ୍ରିୟା ଅପଗ୍ରେଡ୍:ଏକ ଉନ୍ନତ CVD ଜମା ପ୍ରକ୍ରିୟା ବ୍ୟବହାର କରି, ପୃଷ୍ଠ SiC ଆବରଣ ଘନତାକୁ 150 ± 10 μm ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ବୃଦ୍ଧି କରାଯାଇଛି ଏବଂ ଏକ ଘନ, ଛିଦ୍ର-ମୁକ୍ତ ଶସ୍ୟ ଗଠନ 1700° CH ପ୍ରତିରୋଧ କରିବାକୁ ସକ୍ଷମ।₂ଫ୍ଲସିଂ।

କାର୍ଯ୍ୟାନ୍ୱୟନ ଫଳାଫଳ ଏବଂ ଗ୍ରାହକ ମୂଲ୍ୟ ପ୍ରଦାନ କରାଯାଇଛି

କ୍ରମାଗତ 30 ଦିନର ଉତ୍ପାଦନ ଲାଇନ ଯାଞ୍ଚ ପରେ, ଗ୍ରାହକ ଉଲ୍ଲେଖନୀୟ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଉନ୍ନତି ରିପୋର୍ଟ କରିଛନ୍ତି: ପୂର୍ଣ୍ଣ-ୱେଫର ଏପିଟାକ୍ସିଆଲ୍ ଘନତା ଏକରୂପତା (3mm ଧାର ବର୍ଜନ ସହିତ) ନାଟକୀୟ ଭାବରେ ଉନ୍ନତ ହୋଇଛି±୩.୮% ରୁ ±୦.୮%; ହିଟର ନିରନ୍ତର ଭାବରେ ଚାଲିଥିଲା୪୦୦ ଘଣ୍ଟାରୁ ଅଧିକକୌଣସି ଆବରଣ ଫାଟିବା କିମ୍ବା ପୃଷ୍ଠ ଢାଳିବା ବିନା; ଏକକ-ଚାଳନ ଚାମ୍ବର କଣିକା ତ୍ରୁଟି (> 0.5μm) ଥିଲା୮୫% ହ୍ରାସ ପାଇଛି। ଏହା ସିଧାସଳଖ ପ୍ରତି ୱେଫରରେ ପ୍ରାଇମ୍ ଚିପ୍ ଉପଜରେ 12% ବୃଦ୍ଧି ଆଣିଲା ଏବଂ ବାର୍ଷିକ ଉପକରଣ ରକ୍ଷଣାବେକ୍ଷଣ ଖର୍ଚ୍ଚ ପ୍ରାୟ ହ୍ରାସ କଲା€୮୫,୦୦୦.

ପ୍ରାୟତଃ ପଚରାଯାଉଥିବା ପ୍ରଶ୍ନଗୁଡ଼ିକ