Litharollo tsa Heater ea Graphite e Hloekileng ka ho Fetisisa bakeng sa Semiconductor Epitaxy

Lits'ebetsong tsa semiconductor tsa mocheso o phahameng tse kang MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) le kholo ea SiC epitaxial, taolo ea tšimo ea mocheso e khetholla ka ho toba ho lekana ha botenya ba filimi, mahloriso a doping, le chai ea wafer ea ho qetela. Jwalo ka karolo ea mantlha ea tšimo ea mocheso,Heater ea Graphite e Hloekileng Haholoe tlameha ho sebetsa ka botsitso le ka ho tswela pele tlasa mocheso o feteletseng o fetang 1600°C ka hara dibaka tsa kgase tse senyang haholo. Ha e kopanya dithuto tsa nnete tsa tshebediso ya bareki le tsebo ya bohlokwa ya sehlahiswa, sengoloa sena se fana ka tlhahlobo e tebileng ya melemo ya tekheniki, moralo wa sebopeho, le karolo ya bohlokwa ya dihitara tsa graphite tse hlwekileng haholo tlhahisong ya di-wafer tsa semiconductor.

Hobaneng o Lokela ho Khetha Heater ea Graphite e Hloekileng Haholo bakeng sa Litsamaiso tsa MOCVD?

Lits'ebetsong tsa bohlokoa tse kang MOCVD le GaN/SiC epitaxy, esita le liphetoho tse nyane tsa mocheso (>2°C) li ka lebisa ho liphetoho tsa bolelele ba maqhubu kapa liphoso tsa kristale lera la epitaxial. Ka ho sebelisa conductivity e phahameng ea mocheso (100–150 W/m·K) le coefficient e tlase haholo ea katoloso ea mocheso (CTE), thepa ea graphite e hloekileng haholo e tsamaisa mocheso ka mokhoa o ts'oanang holim'a susceptor eohle le bokaholimo ba wafer.

Ho Tšoana ha Masimo a Thempereichara le Taolo ea Libaka tse Ngata

Ho thibela tahlehelo ea mahlaseli a mocheso mathōkong a kamore ea epitaxy, li-heater tsa graphite tse hloekileng haholo hangata li kenyelletsa moralo oa taolo ea mocheso o ikemetseng oa libaka tse ngata. Ka liphetoho tse nepahetseng tsa ho beha libaka tsa khanyetso, baenjiniere ba iketsetsa libaka tse tšelang potoloho le khanyetso ea motlakase ho latela litšobotsi tsa tahlehelo ea mocheso tsa tšimo ea phallo ea kamore. Sena se boloka phapang ea tšimo ea mocheso ho pholletsa le sebaka sa kholo ea wafer ka hare ho ±1°C, ho netefatsa botsitso ba motlakase ho pholletsa le li-wafer tsohle tse ho disk.

Taolo ea Dikahare tsa Molora le Tiisetso ea Tikoloho e Hloekileng Haholo

Mekhoa ea epitaxy ea semiconductor e na le kutloelo-bohloko e ikhethang ho litšila tsa tšepe. Graphite e tloaelehileng ea indasteri e na le likarolo tsa tšepe tse kang tšepe (Fe), nickel (Ni), le koporo (Cu), tse fetohang habonolo le ho hasana ka har'a lera la epitaxial mochesong o phahameng, e leng se sitisang motlakase oa ho senyeha ha sesebelisoa le ho tsamaea ha carrier. Li-heater tsa graphite tse hloekileng haholo li feta lits'ebetsong tsa tlhoekiso ea chlorination mochesong o phahameng, li fokotsa kakaretso ea molora ho ea ka tlase ho 5 ppm (le ka tlase ho 2 ppm bakeng sa sehlopha se phahameng sa semiconductor), li thibela tšilafalo ea li-wafer tsa epitaxial ho tsoa litšila tsa tšimo ea mocheso mohloling.

Lisebelisoa tse Tsoetseng Pele tsa ho Futhumatsa tsa Graphite ho Ts'ebetso ea Semiconductor Wafer

Dikarolo tsa ho futhumatsa tsa semiconductor di feta potolohong ya ho futhumatsa le ho phodisa ka potlako kgafetsa ho tloha mochesong wa kamore ho fihlela ho dikete tsa di-degree Celsius. Ho fapana le dithapo tsa ho futhumatsa tsa tshepe (tse kang tungsten kapa molybdenum), tse atisang ho boela di fetoha, ho robeha, kapa ho wa ha mocheso o phahameng, graphite e bontsha thepa e ikgethang ya mmele: matla a eketseha ha mocheso o ntse o eketseha.

Matla a Mechini maemong a Phahameng a Mocheso le Khanyetso ea Mokhathala oa Sebopeho

Matla a ho thapolla le ho kobeha ha thepa ea graphite aa eketseha ha mocheso o ntse o phahama, o fihla sehlohlolong pakeng tsa 2000°C le 2500°C. Tšobotsi ena e netefatsa hore li-heater tsa graphite ha li utloe bohloko ba ho thella ha mechini kapa ho robeha ha sebopeho tlas'a mahlaseli a matla a mocheso le ts'ebetso ea mocheso o phahameng. Ka lebaka leo, botsitso ba khanyetso ea motlakase bo bolokoa nakong ea lipotoloho tse telele tsa ts'ebetso, e leng se fokotsang haholo nako ea ho se sebetse ha tlhokomelo e sa reroang.

Meralo ea Mechini ea 3D e Nepahetseng le ea Potoloho e Rarahaneng

Li-reactor tsa sejoale-joale tsa semiconductor li hloka meralo e menyenyane haholo ea sebaka. Graphite e hloekileng haholo e na le bokhoni bo ikhethang ba ho sebetsa 'me e ka sebetsoa ka ho sebelisa machining ea CNC ea 5-axis e nepahetseng haholo ho etsa lipaterone tse rarahaneng tsa potoloho—joalo ka meaho e nang le khoele ea mekhahlelo e meraro, litsela tse menoang tsa serpentine, le lipotoloho tse nang le helix tse peli. Litlhophiso tsena tsa geometri tse nepahetseng haholo li eketsa sebaka sa bokaholimo ba ho futhumatsa sebakeng se lekanyelitsoeng, li fihlella tlhahiso e phahameng ea matla ka litlamorao tse tlase tsa inductance.

Melemo ea Bohlokoa ea Tshebetso ea Li-heater tsa Graphite tse Koahetsoeng ke SiC

Ho mamella maemo a thata a tshebetso—jwalo ka sepakapaka se fokotsang haeterojene mochesong o phahameng kapa dikhase tse tjhesang tse nang le chlorine/fluorine—ho kenya lera le teteaneng la Silicon Carbide (CVD SiC Coating) hodima substrate ya graphite e hlwekileng haholo e se e le tharollo e tloaelehileng ya indasteri.

Ho Hanela ho Chesa ha Haedrojene le ho Tšolla ha Likaroloana

Nakong ea SiC le Silicon epitaxy, mahloriso a phahameng a H₂Khase e hlaba graphite e sa koaheloang haholo mochesong o phahameng (ho hlaba ha hydrogen ho etsa khase ea methane), e leng se etsang hore bokaholimo ba graphite bo hlephisehe, bo be kotsing ea ho petsoha, 'me bo hlahise tšilafalo ea likaroloana. Seaparo se teteaneng sa CVD SiC 100% se koala masoba a manyane holim'a bokaholimo ba graphite, se arola khoholeho ea khase ka ho feletseng 'me se etsa tikoloho e hloekileng haholo ea ts'ebetso e se nang ho tšoloha ha likaroloana.

Ho Tšoarella Mecheng ea Litaba e Matla le Phokotso ea Litšenyehelo Tsohle tsa Beng (TCO)

Maemong a karabelo a kenyeletsang likhase tse mafolofolo haholo joalo ka HCl le NH₃, Liaparo tsa CVD SiC li bontša ho se sebetse hantle ha lik'hemik'hale. Ha e sireletse feela substrate ea graphite ho tsoa mafomeng empa hape e atolosa potoloho ea ho nkela lintho tse futhumatsang sebaka (hangata e eketsa bophelo ba ts'ebeletso ka ho feta 200%). Sena se fokotsa haholo litšenyehelo tsohle tsa Total Cost of Ownership (TCO) tsa fektheri ea semiconductor le litšenyehelo tse fokotsoang ka wafer ka 'ngoe.

Thuto ea Nyeoe: Ho Rarolla ho Tšoana ha Thermal le Tšilafalo ea Likaroloana ho SiC Epitaxy

Lintlha tsa Bohloko ba Bareki:Moetsi ea tummeng oa moloko oa boraro oa li-semiconductor epitaxy Jeremane o ile a tobana le mathata a mabeli a bohlokoa nakong ea kholo ea epitaxial ea SiC ea lisenthimithara tse 6 (mocheso oa ts'ebetso 1650°C, H2O3).₂+ Sepakapaka sa TCS): Sa pele, ho kheloha ha botenya ba lera la epitaxial mathōkong a wafer ho fihlile ho ±3.8%, e leng se ileng sa baka ho hloleha ha sesebediswa sa mathōko. Sa bobedi, hitara ya graphite ya OEM ya pele e bontshitse ho tjhesa le ho ntsha hydrogen e matla hodima metsi kamora dihora tse 120 feela tsa tshebediso, e leng se ileng sa lebisa ho ho phahama ha ho theoha ha dikarolwana ka phapusing ya karabelo—ho feta meedi ya boleng ba sekoli ka karolelano ya 3×.

Tlhahlobo ea Matla a VET le Tharollo e Ikhethileng

Ha sehlopha sa boenjiniere ba VET Energy se se se kopane, se ile sa etsa diketsiso tse kopantsweng tsa motlakase le phallo ya metsi hodima hitara ya pele ya OEM. Tlhahlobo e senotse puseletso e sa lekaneng ya matla a ho futhumatsa mathokong le mapetsong a manyane/kgatello ya mocheso hodima sekoahelo sa SiC (botenya ba ho roala e ne e le 60μm feela ka kgomarelo e fokolang). Ha se arabela, VET Energy e fane ka tharollo ya boenjiniere e rerilweng:

• Ntlafatso ea Sebopeho sa Tšimo ea Thermal:Ke kentse tšebetsong moralo oa taolo ea khanyetso e ikemetseng ea libaka tse 3, ka fokotsa karolo e tšelang mocheso ea geometri ka 8% haufi le libaka tsa ho qhalana ha motlakase ho eketsa bongata ba matla a sebakeng seo.
• Ntlafatso ea Substrate e Hloekileng Haholo:Graphite e kgethilweng ya isostatic ya isotropic e nang le bongata bo hodimo e nang le molora o ka tlase ho 2 ppm, e tsamaellanang hantle le coefficient ya katoloso ya mocheso (CTE) le seaparo sa SiC (CTE matching >98%).
• Ntlafatso ea Ts'ebetso ea CVD SiC:E sebedisitse mokhoa o ntlafetseng wa ho bea CVD, e eketsa botenya ba ho roala SiC ho fihlela ho 150 ± 10 μm ka sebopeho sa dithollo se teteaneng, se se nang masoba se kgonang ho hanela 1700°CH₂ho hlatswa.

Liphetho tsa Ts'ebetsong le Boleng ba Bareki bo Fanoeng

Kamora matsatsi a 30 a latellanang a netefatso ea mohala oa tlhahiso, moreki o tlalehile lintlafatso tse ikhethang tsa ts'ebetso: ho tšoana ha botenya ba epitaxial ea wafer e felletseng (ho kenyeletsoa le ho tlosoa ha moeli oa 3mm) ho ntlafetse haholo ho tloha±3.8% ho isa ho ±0.8%hitara e ne e sebetsa ka ho sa feleng bakeng salihora tse fetang 400ntle le ho petsoha ha lesela kapa ho phatloha ha bokaholimo; diphoso tsa dikarolwana tsa kamore tse mathang ka le leng (>0.5μm) di ne di le tenge fokotsehile ka 85%Sena se hlahisitse keketseho ea 12% ka kotloloho ho chai ea prime chip ka wafer 'me sa fokotsa litšenyehelo tsa tlhokomelo ea lisebelisoa tsa selemo le selemo ka hoo e ka bang€85,000.

Lipotso Tse Botsoang Khafetsa