Вести

Увод у технологију хемијског таложења из парне фазе (CVD)
од стране администратора дана 24.05.2006.
Хемијско наношење из парне фазе (CVD) је важна технологија наношења танких филмова, која се често користи за припрему различитих функционалних филмова и танкослојних материјала, и широко се користи у производњи полупроводника и другим областима. 1. Принцип рада CVD-а У CVD процесу, гасни прекурсор (један или...
Прочитајте више
Тајна „црног злата“ иза фотонапонске полупроводничке индустрије: жеља и зависност од изостатичког графита
од стране администратора дана 24.05.2006.
Изостатички графит је веома важан материјал у фотонапонским системима и полупроводницима. Брзим успоном домаћих компанија за производњу изостатског графита, монопол страних компанија у Кини је сломљен. Континуираним независним истраживањем и развојем и технолошким продорима, ...
Прочитајте више
Откривање битних карактеристика графитних чамаца у производњи полупроводничке керамике
од стране администратора дана 24.04.22.
Графитне чамце, познате и као графитни чамци, играју кључну улогу у сложеним процесима производње полупроводничке керамике. Ове специјализоване посуде служе као поуздани носачи за полупроводничке плочице током третмана на високим температурама, обезбеђујући прецизну и контролисану обраду. Са ...
Прочитајте више
Унутрашња структура опреме цеви пећи је детаљно објашњена
од стране администратора дана 24.04.22.
Као што је приказано горе, типична је прва половина: ▪ Грејни елемент (грејна спирала): налази се око цеви пећи, обично је направљен од отпорних жица, користи се за загревање унутрашњости цеви пећи. ▪ Кварцна цев: Језгро пећи за врућу оксидацију, направљено од кварца високе чистоће који може да издржи в...
Прочитајте више
Утицаји SiC подлоге и епитаксијалних материјала на карактеристике MOSFET уређаја
од стране администратора дана 24.04.2016.
Троугласти дефект Троугласти дефекти су најфаталнији морфолошки дефекти у SiC епитаксијалним слојевима. Велики број извештаја у литератури показао је да је формирање троугластих дефеката повезано са 3C кристалним обликом. Међутим, због различитих механизама раста, морфологија многих...
Прочитајте више
Раст монокристала силицијум карбида SiC
од стране администратора дана 24.04.2016.
Од свог открића, силицијум карбид је привукао широку пажњу. Силицијум карбид је састављен од пола атома Si и пола атома C, који су повезани ковалентним везама преко електронских парова који деле sp3 хибридне орбитале. У основној структурној јединици његовог монокристала, четири атома Si су...
Прочитајте више
VET Изузетна својства графитних шипки
од стране администратора дана 24.04.2008.
Графит, облик угљеника, је изванредан материјал познат по својим јединственим својствима и широком спектру примене. Графитне шипке су, посебно, стекле значајно признање због својих изузетних квалитета и свестраности. Са својом одличном топлотном проводљивошћу, електричном проводљивошћу...
Прочитајте више
Одличне перформансе заптивног прстена од ветеринарског графита
од стране администратора дана 24.04.2008.
У разним индустријским применама, потреба за поузданим и ефикасним решењима за заптивање је од највеће важности. Графитни заптивни прстенови су се појавили као врхунски избор због својих изузетних перформанси и свестраности. Са својим јединственим својствима и карактеристикама, графитни заптивни прстенови су се доказали као...
Прочитајте више
Заптивна својства графитних лежајева/чаура
од стране администратора дана 24.04.02.
Увод У разним индустријским применама, потреба за поузданим и ефикасним решењима за заптивање је од највеће важности. Графитни лежајеви и чауре су се појавили као популаран избор због својих изузетних заптивних својстава. Овај чланак се бави заптивним могућностима графитних лежајева...
Прочитајте више