CVD SiC обложене компоненте за силицијумску епитаксију (Si Epi)

Прецизно пројектовани за системе за епитаксијално наношење силицијума на појединачне плочице и серијске системе, наши CVD SiC обложени сусцептори, сателитски дискови и компоненте термалног поља пружају изванредну термичку уједначеност и нулто испуштање гасова. Кубични β-SiC слој премаза високе густине у потпуности обухвата графитну подлогу високе чистоће, спречавајући реактивно нагризање гасом (SiH₄, SiH₂Cl₂, HCl) и гарантујући ултра ниске нивое металних нечистоћа (< 5 ppm) током обраде Si Epi на високим температурама (1000°C - 1200°C).