SiC епитаксијални делови

Напредни CVD премази за епитаксијални раст SiC-а

Намењени за процесе производње полупроводничких уређаја велике снаге који раде под екстремним термичким напрезањем (1500°C - 1700°C), наши CVD SiC и TaC премазани планетарни сусцептори, сателитски дискови и дефлектори гаса су направљени да се истакну. Дизајнирани да спрече стварање честица, деградацију површине и реактивно нагризање гасом (H₂, SiH₄, C₃H∯), наши напредни премази обезбеђују дуг радни век, супериорну контролу примеса и високу уједначеност дебљине филма.SiC епитаксијалне плочице од 6 и 8 инча.

Стабилност на ултра високим температурама

Термички стабилан до 1700°C у тешким срединама са редукцијом H₂/силана.

Подударање CTE градијента

Елиминише раслојавање премаза, микропукотине и љуштење током брзих термичких циклуса.

Спремност за вафлу од 8 инча

Прецизна CNC обрада прилагођена за SiC Epi реакторе следеће генерације високог протока (LPE, Aixtron, Nuflare).

Технички параметар	Вредност спецификације	Стандард / Метода испитивања
Опције материјала за премаз	CVD SiC / тантал карбид (TaC)	Херметички слој високе чистоће
Основна подлога	Пречишћени изостатички графит	Нечистоћа у расутом стању < 5 ppm
Отпорност на термички удар	Делта Т > 500°C Брзина промене температуре	Без пуцања / љуштења
Храпавост површине (Ra)	≤ 0,4 μm (полирано као огледало)	Спречава лепљење вафла и честице