CVD sic-bedekking cc-saamgestelde staaf, silikonkarbied koolstof-koolstof-saamgestelde staaf, Sic-bedekte cc-saamgestelde staaf

Kort beskrywing:


Produkbesonderhede

Produk-etikette

Produkbeskrywing

DieCVD SiC-laagCC Saamgestelde Staaf,Silikonkarbied Koolstof-Koolstof Saamgestelde Staaf, SiC-bedekte CC-saamgestelde staaf van vet-china kombineer die uitsonderlike eienskappe vankoolstof-koolstof (CC) saamgestelde materialemet 'n beskermendeCVD SiC (Silikonkarbied) laagHierdie gevorderde staaf is ontwerp vir hoëprestasie-toepassings wat uitstekende termiese stabiliteit, meganiese sterkte en chemiese weerstand vereis. Die koolstof-koolstofkern bied uitstekende duursaamheid en liggewig-eienskappe, terwyl die SiC-laag weerstand teen slytasie, oksidasie en hoë temperature verbeter.

Die CVD SiC-laag bied robuuste beskerming, wat die staaf toelaat om uiterste toestande te weerstaan, wat dit ideaal maak vir halfgeleiervervaardiging, lugvaart en industriële prosesse. vet-china verseker dat dieCVD SiC-laagCC-saamgestelde staaf kan temperature van meer as 1600°C hanteer, wat betroubaarheid bied in omgewings wat beide presisie en lang lewensduur vereis.

Die vet-china saamgestelde staaf is ontwerp om in die mees uitdagende toestande te presteer, wat stabiliteit verseker en die lewensduur van komponente in hoë-aanvraag nywerhede verleng. Die kombinasie van CVD SiC-laag en die CC-saamgestelde struktuur lei tot 'n produk wat nie net liggewig is nie, maar ook buitengewoon sterk en bestand teen slytasie.

 SiC-bedekkingsverwerking op grafietoppervlak MOCVD-susseptore

Belangrikste kenmerke:

1. Hoë temperatuur oksidasie weerstand:

Die oksidasieweerstand is steeds baie goed wanneer die temperatuur so hoog as 1600 C is.

2. Hoë suiwerheid: gemaak deur chemiese dampafsetting onder hoë temperatuur chlorineringstoestande.

3. Erosiebestandheid: hoë hardheid, kompakte oppervlak, fyn deeltjies.

4. Korrosiebestandheid: suur, alkali, sout en organiese reagense.

 

Hoofspesifikasies van CVD-SIC-bedekkings:

SiC-CVD

Digtheid

(g/cc)

3.21

Buigsterkte

(Mpa)

470

Termiese uitbreiding

(10-6/K)

4

Termiese geleidingsvermoë

(W/mK)

300

Gedetailleerde Beelde

SiC-bedekkingsverwerking op grafietoppervlak MOCVD-susseptoreSiC-bedekkingsverwerking op grafietoppervlak MOCVD-susseptoreSiC-bedekkingsverwerking op grafietoppervlak MOCVD-susseptoreSiC-bedekkingsverwerking op grafietoppervlak MOCVD-susseptoreSiC-bedekkingsverwerking op grafietoppervlak MOCVD-susseptore

Maatskappyinligting

111

Fabriekstoerusting

222

Pakhuis

333

Sertifisering

Sertifisering22

 


  • Vorige:
  • Volgende:

  • WhatsApp Aanlyn Klets!