CVD-sic-pinnoitteella varustettu cc-komposiittitanko, piikarbidi-hiili-komposiittitanko, sic-pinnoitettu cc-komposiittitanko

Lyhyt kuvaus:


Tuotetiedot

Tuotetunnisteet

Tuotekuvaus

TheCVD-piikarbidipinnoiteCC-komposiittitanko,Piikarbidi-hiili-hiilikomposiittitankoVet-chinan SiC-päällysteinen CC-komposiittitanko yhdistää poikkeukselliset ominaisuudethiili-hiili (CC) -komposiititsuojaavallaCVD SiC (piikarbidi) -pinnoiteTämä edistynyt sauva on suunniteltu tehokkaisiin sovelluksiin, jotka vaativat erinomaista lämmönkestävyyttä, mekaanista lujuutta ja kemikaalien kestävyyttä. Hiili-hiiliydin tarjoaa erinomaisen kestävyyden ja keveyden, kun taas piikarbidipinnoite parantaa kulumiskestävyyttä, hapettumisenkestävyyttä ja korkeita lämpötiloja vastaan.

CVD-siikarbidipinnoite tarjoaa vankan suojan, jonka ansiosta sauva kestää äärimmäisiä olosuhteita, mikä tekee siitä ihanteellisen puolijohdevalmistukseen, ilmailu- ja avaruustekniikkaan sekä teollisuusprosesseihin. vet-china varmistaa, ettäCVD-piikarbidipinnoiteCC-komposiittitanko kestää yli 1600 °C:n lämpötiloja, mikä tarjoaa luotettavuutta ympäristöissä, jotka vaativat sekä tarkkuutta että pitkäikäisyyttä.

Vet-china-komposiittitanko on suunniteltu toimimaan haastavimmissakin olosuhteissa varmistaen vakauden ja pidentäen komponenttien käyttöikää kysytyillä teollisuudenaloilla. CVD-siikarbidipinnoitteen ja CC-komposiittirakenteen yhdistelmä johtaa tuotteeseen, joka on paitsi kevyt myös poikkeuksellisen vahva ja kulutusta kestävä.

 SiC-pinnoitteen käsittely grafiittipinnalla MOCVD-suskeptoreilla

Tärkeimmät ominaisuudet:

1. Korkean lämpötilan hapettumiskestävyys:

Hapettumiskestävyys on edelleen erittäin hyvä jopa 1600 °C:n lämpötilassa.

2. Korkea puhtausaste: valmistettu kemiallisella höyrypinnoituksella korkean lämpötilan kloorausolosuhteissa.

3. Eroosionkestävyys: korkea kovuus, tiivis pinta, hienot hiukkaset.

4. Korroosionkestävyys: happo, alkali, suola ja orgaaniset reagenssit.

 

CVD-SIC-pinnoitteiden tärkeimmät tekniset tiedot:

SiC-CVD

Tiheys

(g/cm³)

3.21

Taivutuslujuus

(MPa)

470

Lämpölaajeneminen

(10-6/K)

4

Lämmönjohtavuus

(W/mK)

300

Yksityiskohtaiset kuvat

SiC-pinnoitteen käsittely grafiittipinnalla MOCVD-suskeptoreillaSiC-pinnoitteen käsittely grafiittipinnalla MOCVD-suskeptoreillaSiC-pinnoitteen käsittely grafiittipinnalla MOCVD-suskeptoreillaSiC-pinnoitteen käsittely grafiittipinnalla MOCVD-suskeptoreillaSiC-pinnoitteen käsittely grafiittipinnalla MOCVD-suskeptoreilla

Yrityksen tiedot

111

Tehdaslaitteet

222

Varasto

333

Sertifioinnit

Sertifikaatit22

 


  • Edellinen:
  • Seuraavaksi:

  • WhatsApp-keskustelu verkossa!