सीव्हीडी एसआयसी कोटिंग सीसी कंपोझिट रॉड, सिलिकॉन कार्बाइड कार्बन-कार्बन कंपोझिट रॉड, एसआयसी कोटेड सीसी कंपोझिट रॉड

संक्षिप्त वर्णन:


उत्पादनाचा तपशील

उत्पादन टॅग

उत्पादनाचे वर्णन

सीव्हीडी एसआयसी कोटिंगसीसी कंपोझिट रॉड,सिलिकॉन कार्बाइड कार्बन-कार्बन संयुक्त रॉडव्हेट-चायनाचा एसआयसी कोटेड सीसी कंपोझिट रॉड, खालील अपवादात्मक गुणधर्मांना एकत्र आणतोकार्बन-कार्बन (CC) कंपोझिट्ससंरक्षणात्मकसीव्हीडी एसआयसी (सिलिकॉन कार्बाइड) कोटिंगही प्रगत रॉड उच्च-कार्यक्षमतेच्या अनुप्रयोगांसाठी डिझाइन केली आहे, ज्यांना उत्कृष्ट औष्णिक स्थिरता, यांत्रिक शक्ती आणि रासायनिक प्रतिकारशक्तीची आवश्यकता असते. कार्बन-कार्बन कोर उत्कृष्ट टिकाऊपणा आणि हलकेपणाचे गुणधर्म प्रदान करतो, तर SiC कोटिंग झीज, ऑक्सिडेशन आणि उच्च तापमानास प्रतिकारशक्ती वाढवते.

CVD SiC कोटिंग मजबूत संरक्षण देते, ज्यामुळे रॉड अत्यंत प्रतिकूल परिस्थितीतही टिकून राहतो आणि तो सेमीकंडक्टर उत्पादन, एरोस्पेस व औद्योगिक प्रक्रियांसाठी आदर्श ठरतो. vet-china हे सुनिश्चित करते कीसीव्हीडी एसआयसी कोटिंगCC कंपोझिट रॉड 1600°C पेक्षा जास्त तापमान हाताळू शकतो, ज्यामुळे अचूकता आणि दीर्घायुष्य या दोन्हीची आवश्यकता असलेल्या वातावरणात विश्वसनीयता मिळते.

व्हेट-चायना कंपोझिट रॉडची रचना अत्यंत आव्हानात्मक परिस्थितीत कार्य करण्यासाठी केली आहे, ज्यामुळे जास्त मागणी असलेल्या उद्योगांमधील घटकांची स्थिरता सुनिश्चित होते आणि त्यांचे आयुष्यमान वाढते. सीव्हीडी एसआयसी (CVD SiC) कोटिंग आणि सीसी (CC) कंपोझिट संरचनेच्या संयोगामुळे एक असे उत्पादन तयार होते, जे केवळ वजनाने हलकेच नाही, तर अत्यंत मजबूत आणि झीज व तुटफुटीस प्रतिरोधक देखील आहे.

 ग्राफाईट पृष्ठभागावर MOCVD ससेप्टर्सद्वारे SiC लेपन प्रक्रिया

मुख्य वैशिष्ट्ये:

१. उच्च तापमानातील ऑक्सिडेशनला प्रतिकारशक्ती:

१६०० अंश सेल्सियस इतक्या उच्च तापमानातही ऑक्सिडेशनला प्रतिकार करण्याची क्षमता खूप चांगली असते.

२. उच्च शुद्धता: उच्च तापमानाच्या क्लोरीनीकरण परिस्थितीत रासायनिक बाष्प निक्षेपणाद्वारे बनवलेले.

३. झीज प्रतिरोध: उच्च कठीणपणा, घट्ट पृष्ठभाग, बारीक कण.

४. क्षरण प्रतिरोध: आम्ल, अल्कली, क्षार आणि सेंद्रिय अभिकर्मक.

 

सीव्हीडी-एसआयसी लेपनांची मुख्य वैशिष्ट्ये:

एसआयसी-सीव्हीडी

घनता

(जी/सीसी)

३.२१

वाकण्याची ताकद

(एमपीए)

४७०

औष्णिक विस्तार

(१०-६/के)

4

औष्णिक वाहकता

(डब्ल्यू/एमके)

३००

तपशीलवार प्रतिमा

ग्राफाईट पृष्ठभागावर MOCVD ससेप्टर्सद्वारे SiC लेपन प्रक्रियाग्राफाईट पृष्ठभागावर MOCVD ससेप्टर्सद्वारे SiC लेपन प्रक्रियाग्राफाईट पृष्ठभागावर MOCVD ससेप्टर्सद्वारे SiC लेपन प्रक्रियाग्राफाईट पृष्ठभागावर MOCVD ससेप्टर्सद्वारे SiC लेपन प्रक्रियाग्राफाईट पृष्ठभागावर MOCVD ससेप्टर्सद्वारे SiC लेपन प्रक्रिया

कंपनीची माहिती

१११

कारखान्याची उपकरणे

२२२

गोदाम

३३३

प्रमाणपत्रे

प्रमाणपत्रे२२

 


  • मागील:
  • पुढील:

  • व्हॉट्सॲपवर ऑनलाइन चॅट!