सीवीडी एसआईसी कोटिंग सीसी कंपोजिट रॉड, सिलिकॉन कार्बाइड कार्बन-कार्बन कंपोजिट रॉड, एसआईसी कोटेड सीसी कंपोजिट रॉड

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सीवीडी एसआईसी कोटिंगसीसी कंपोजिट रॉड,सिलिकॉन कार्बाइड कार्बन-कार्बन मिश्रित छड़वेट-चाइना से प्राप्त SiC कोटेड CC कम्पोजिट रॉड असाधारण गुणों को जोड़ती है।कार्बन-कार्बन (सीसी) कंपोजिटसुरक्षात्मकसीवीडी एसआईसी (सिलिकॉन कार्बाइड) कोटिंगयह उन्नत रॉड उच्च प्रदर्शन वाले अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन की गई है, जिनमें उत्कृष्ट तापीय स्थिरता, यांत्रिक शक्ति और रासायनिक प्रतिरोध की आवश्यकता होती है। कार्बन-कार्बन कोर उत्कृष्ट स्थायित्व और हल्केपन के गुण प्रदान करता है, जबकि SiC कोटिंग घिसाव, ऑक्सीकरण और उच्च तापमान के प्रति प्रतिरोधकता बढ़ाती है।

सीवीडी एसआईसी कोटिंग मजबूत सुरक्षा प्रदान करती है, जिससे रॉड चरम स्थितियों का सामना कर सकती है, जो इसे सेमीकंडक्टर निर्माण, एयरोस्पेस और औद्योगिक प्रक्रियाओं के लिए आदर्श बनाती है। वेट-चाइना यह सुनिश्चित करता है किसीवीडी एसआईसी कोटिंगसीसी कंपोजिट रॉड 1600 डिग्री सेल्सियस से अधिक तापमान को सहन कर सकती है, जिससे ऐसे वातावरण में विश्वसनीयता मिलती है जहां सटीकता और दीर्घायु दोनों की आवश्यकता होती है।

वेट-चाइना कंपोजिट रॉड को सबसे चुनौतीपूर्ण परिस्थितियों में भी बेहतर प्रदर्शन करने के लिए डिज़ाइन किया गया है, जो उच्च मांग वाले उद्योगों में घटकों की स्थिरता और जीवनकाल को बढ़ाता है। सीवीडी एसआईसी कोटिंग और सीसी कंपोजिट संरचना के संयोजन से एक ऐसा उत्पाद बनता है जो न केवल हल्का है बल्कि असाधारण रूप से मजबूत और टूट-फूट के प्रति प्रतिरोधी भी है।

 ग्रेफाइट सतह पर SiC कोटिंग प्रसंस्करण (MOCVD विधि द्वारा)

मुख्य विशेषताएं:

1. उच्च तापमान ऑक्सीकरण प्रतिरोध:

1600 डिग्री सेल्सियस तक के उच्च तापमान पर भी इसकी ऑक्सीकरण प्रतिरोधक क्षमता बहुत अच्छी रहती है।

2. उच्च शुद्धता: उच्च तापमान क्लोरीनीकरण की स्थिति में रासायनिक वाष्प निक्षेपण द्वारा निर्मित।

3. क्षरण प्रतिरोध: उच्च कठोरता, सघन सतह, महीन कण।

4. संक्षारण प्रतिरोध: अम्ल, क्षार, लवण और कार्बनिक अभिकर्मकों के प्रति प्रतिरोध।

 

सीवीडी-एसआईसी कोटिंग्स की मुख्य विशिष्टताएँ:

SiC-CVD

घनत्व

(जी/सीसी)

3.21

आनमनी सार्मथ्य

(एमपीए)

470

थर्मल विस्तार

(10-6/के)

4

ऊष्मीय चालकता

(W/mK)

300

विस्तृत चित्र

ग्रेफाइट सतह पर SiC कोटिंग प्रसंस्करण (MOCVD विधि द्वारा)ग्रेफाइट सतह पर SiC कोटिंग प्रसंस्करण (MOCVD विधि द्वारा)ग्रेफाइट सतह पर SiC कोटिंग प्रसंस्करण (MOCVD विधि द्वारा)ग्रेफाइट सतह पर SiC कोटिंग प्रसंस्करण (MOCVD विधि द्वारा)ग्रेफाइट सतह पर SiC कोटिंग प्रसंस्करण (MOCVD विधि द्वारा)

कारखाना की जानकारी

111

कारखाने के उपकरण

222

गोदाम

333

प्रमाणपत्र

प्रमाणपत्र22

 


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