የሲሲ ሽፋን ግራፋይት MOCVD Wafer ተሸካሚዎች፣የግራፋይት የሱስ ተጠቂዎችለሲሲ ኤፒታክሲ፣
የካርቦን አቅራቢዎች, ኤፒታክሲ እና ሞክቪዲ, ኤፒታክሲ የሱስ ተጠቂዎች, ግራፋይት ለተሳሳቢዎች ያቀርባል, የግራፋይት የሱስ ተጠቂዎች, የግራፋይት ትሪዎች,

የሲቪዲ-ሲሲ ሽፋን ወጥ የሆነ መዋቅር፣ የታመቀ ቁሳቁስ፣ ከፍተኛ የሙቀት መቋቋም፣ የኦክሳይድ መቋቋም፣ ከፍተኛ ንፅህና፣ የአሲድ እና የአልካላይን መቋቋም እና ኦርጋኒክ ሪአጀንት ባህሪያት ያሉት ሲሆን የተረጋጋ አካላዊ እና ኬሚካላዊ ባህሪያት አሉት።

ከፍተኛ ንፁህ ከሆኑ የግራፋይት ቁሳቁሶች ጋር ሲነጻጸር፣ ግራፋይት በ400C ኦክሳይድ ማድረግ ይጀምራል፣ ይህም በኦክሳይድ ምክንያት የዱቄት መጥፋት ያስከትላል፣ ይህም በአካባቢያዊ መሳሪያዎች እና በቫክዩም ክፍሎች ላይ የአካባቢ ብክለት ያስከትላል፣ እና ከፍተኛ ንፁህ አካባቢ ብክለትን ይጨምራል።

ሆኖም የሲሲ ሽፋን በ1600 ዲግሪዎች አካላዊ እና ኬሚካላዊ መረጋጋትን ሊጠብቅ ይችላል፣ በተለይም በሴሚኮንዳክተር ኢንዱስትሪ ውስጥ በስፋት ጥቅም ላይ ይውላል።

ኩባንያችን በግራፍይት፣ በሴራሚክስ እና በሌሎች ቁሳቁሶች ወለል ላይ የሲሲ ሽፋን ሂደት አገልግሎቶችን በሲቪዲ ዘዴ ይሰጣል፣ በዚህም ምክንያት ካርቦን እና ሲሊከን የያዙ ልዩ ጋዞች ከፍተኛ ንፅህና ባለው የSiC ሞለኪውሎች፣ በተሸፈኑት ቁሳቁሶች ወለል ላይ የተቀመጡ ሞለኪውሎች፣ የSIC መከላከያ ንብርብር ይፈጥራሉ። የተፈጠረው SIC ከግራፋይት መሠረት ጋር በጥብቅ የተሳሰረ ሲሆን የግራፋይት መሠረት ልዩ ባህሪያትን ይሰጣል፣ በዚህም የግራፋይት ወለል የታመቀ፣ ፖሮስቲስ የሌለው፣ ከፍተኛ የሙቀት መቋቋም፣ የዝገት መቋቋም እና የኦክሳይድ መቋቋም ያደርገዋል።

ማመልከቻ፡

ዋና ዋና ባህሪያት:

1. ከፍተኛ የሙቀት መጠን ኦክሳይድ መቋቋም፡

የሙቀት መጠኑ እስከ 1700 ዲግሪ ሴልሺየስ ሲደርስ የኦክሳይድ መቋቋም ችሎታው አሁንም በጣም ጥሩ ነው።

2. ከፍተኛ ንፅህና፡- በከፍተኛ ሙቀት ክሎሪን በማጣራት በኬሚካል ትነት ክምችት የተሰራ።

3. የአፈር መሸርሸር መቋቋም፡ ከፍተኛ ጥንካሬ፣ የታመቀ ወለል፣ ጥቃቅን ቅንጣቶች።

4. የዝገት መቋቋም፡ አሲድ፣ አልካላይ፣ ጨው እና ኦርጋኒክ ሪአጀንቶች።

የCVD-SIC ሽፋኖች ዋና ዋና ዝርዝሮች፡

የአቅርቦት አቅም፡

በወር 10000 ቁርጥራጮች/ቁሳቁሶች
ማሸግ እና ማድረስ፡
ማሸግ፡ መደበኛ እና ጠንካራ ማሸጊያ
ፖሊ ቦርሳ + ሣጥን + ካርቶን + ፓሌት
ወደብ፡
ኒንቦ/ሼንዘን/ሻንጋይ
የመምራት ጊዜ፥