Recubrimiento de SiC, soportes de obleas MOCVD de grafito, susceptores de grafito para epitaxia de SiC

Breve descripción:

 


  • Lugar de origen:Zhejiang, China (continental)
  • Número de modelo:Barco3004
  • Composición química:Grafito recubierto de SiC
  • Resistencia a la flexión:470 MPa
  • Conductividad térmica:300 W/mK
  • Calidad:Perfecto
  • Función:SiC CVD
  • Solicitud:Semiconductores / Fotovoltaicos
  • Densidad:3,21 g/cm³
  • Expansión térmica:4 10-6/K
  • Ceniza: <5 ppm
  • Muestra:Disponible
  • Código HS:6903100000
  • Detalles del producto

    Etiquetas de producto

    Portaobjetos de oblea MOCVD de grafito con recubrimiento de SiCSusceptores de grafitopara la epitaxia de SiC,
    El carbono suministra susceptores, EPITAXIA Y MOCVD, susceptores de epitaxia, El grafito suministra susceptores, Susceptores de grafito, Bandejas de grafito,

    Descripción del Producto

    El recubrimiento de CVD-SiC se caracteriza por tener una estructura uniforme, un material compacto, alta resistencia a la temperatura, resistencia a la oxidación, alta pureza, resistencia a ácidos y álcalis y a reactivos orgánicos, además de propiedades físicas y químicas estables.

    En comparación con los materiales de grafito de alta pureza, el grafito comienza a oxidarse a 400 °C, lo que provoca una pérdida de polvo debido a la oxidación, lo que resulta en contaminación ambiental para los dispositivos periféricos y las cámaras de vacío, y aumenta las impurezas en el entorno de alta pureza.

    Sin embargo, el recubrimiento de SiC puede mantener la estabilidad física y química a 1600 grados, y se utiliza ampliamente en la industria moderna, especialmente en la industria de semiconductores.

    Nuestra empresa ofrece servicios de recubrimiento de SiC mediante el método CVD sobre superficies de grafito, cerámica y otros materiales. Mediante gases especiales que contienen carbono y silicio, se obtienen moléculas de SiC de alta pureza que se depositan sobre la superficie de los materiales recubiertos, formando una capa protectora de SiC. El SiC formado se adhiere firmemente a la base de grafito, otorgándole propiedades especiales. Esto se traduce en una superficie de grafito compacta, sin porosidad, resistente a altas temperaturas, a la corrosión y a la oxidación.

    Solicitud:

    2

    Características principales:

    1. Resistencia a la oxidación a altas temperaturas:

    La resistencia a la oxidación sigue siendo muy buena incluso a temperaturas tan altas como 1700 °C.

    2. Alta pureza: fabricado mediante deposición química de vapor bajo condiciones de cloración a alta temperatura.

    3. Resistencia a la erosión: alta dureza, superficie compacta, partículas finas.

    4. Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sales y reactivos orgánicos.

    Especificaciones principales de los recubrimientos CVD-SIC:

    SiC-CVD

    Densidad

    (g/cc)

    3.21

    Resistencia a la flexión

    (Mpa)

    470

    Expansión térmica

    (10-6/K)

    4

    Conductividad térmica

    (W/mK)

    300

    Capacidad de suministro:

    10.000 piezas al mes
    Embalaje y entrega:
    Embalaje: Embalaje estándar y resistente
    Bolsa de polietileno + Caja + Cartón + Palé
    Puerto:
    Ningbo/Shenzhen/Shanghái
    Plazo de entrega:

    Cantidad (piezas) 1 – 1000 >1000
    Tiempo estimado (días) 15 Por negociar


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