ለሲሲ ኤፒታክሲያል እድገት የላቀ የሲቪዲ ሽፋኖች
በከፍተኛ የሙቀት ጫና (1500°ሴ - 1700°ሴ) ውስጥ ለሚሰሩ ከፍተኛ ኃይል ላላቸው የሴሚኮንዳክተር መሳሪያ ሂደቶች የተበጀው የእኛ የሲቪዲ ሲሲ እና የታሲ ሽፋን ያላቸው የፕላኔቶች ተከላካይ፣ የሳተላይት ዲስኮች እና የጋዝ ዴፍለሮች እጅግ በጣም ጥሩ እንዲሆኑ የተገነቡ ናቸው። የክፍተት ማመንጨትን፣ የገጽታ መበላሸትን እና ምላሽ ሰጪ የጋዝ መቅረጽን ለመከላከል የተነደፉ (H₂፣ SiH₄፣ C₃H∯)፣ የላቁ ሽፋኖቻችን ረጅም የስራ ዘመን፣ የላቀ የዶፓንት ቁጥጥር እና ከፍተኛ የፊልም ውፍረት ወጥነት ያረጋግጣሉ።ባለ 6 ኢንች እና ባለ 8 ኢንች SiC ኤፒታክሲያል ዋፈሮች.
እጅግ በጣም ከፍተኛ የሙቀት መረጋጋት
በከባድ የH₂/silane ቅነሳ አካባቢዎች እስከ 1700°ሴ ድረስ የሙቀት መጠን የተረጋጋ።
የግራዲየንት CTE ማዛመጃ
በፍጥነት በሚሞቅበት ጊዜ የሽፋን መበስበስን፣ ማይክሮ-ክራኪንግን እና ስፓልን ያስወግዳል።
የ8 ኢንች ዋፈር መለኪያ ዝግጁነት
ለቀጣይ ትውልድ ከፍተኛ-ፍጥነት ላላቸው SiC Epi ሬአክተሮች (LPE፣ Aixtron፣ Nuflare) የተበጀ ትክክለኛ የCNC ማሽነሪ።
| የቴክኒክ መለኪያ | የዝርዝር እሴት | መደበኛ / የሙከራ ዘዴ |
|---|---|---|
| የሽፋን ቁሳቁስ አማራጮች | ሲቪዲ ሲሲ / ታንታለም ካርቢዴ (ታሲ) | ከፍተኛ ንፁህ የሄርሜቲክ ንብርብር |
| የመሠረት ንጣፍ | የተጣራ ኢሶስታቲክ ግራፋይት | የጅምላ ርኩሰት < 5 ppm |
| የሙቀት ድንጋጤ መቋቋም | ዴልታ ቲ > 500°ሴ የራምፕ ፍጥነት | ምንም ስንጥቅ/መላጥ የለም |
| የወለል ሻካራነት (ራ) | ≤ 0.4 μm (መስታወት የተወለወለ) | ዋፈር እንዳይጣበቅ እና ቅንጣቶችን እንዳይጣበቅ ይከላከላል |





