SiC-Beschichtung Graphit MOCVD Waferträger, Graphit-Suszeptoren fir SiC-Epitaxie

Kuerz Beschreiwung:

 


  • Ursprungsplaz:Zhejiang, China (Festland)
  • Modellnummer:Boot3004
  • Chemesch Zesummesetzung:SiC-beschichtete Graphit
  • Biegefestigkeit:470 MPa
  • Wärmeleitfäegkeet:300 W/mK
  • Qualitéit:Perfekt
  • Funktioun:CVD-SiC
  • Applikatioun:Hallefleiter / Photovoltaik
  • Dicht:3,21 g/cc
  • Thermesch Expansioun:4 10-6/K
  • Äsch: <5ppm
  • Beispill:Verfügbar
  • HS-Code:6903100000
  • Produktdetailer

    Produkt Tags

    SiC Beschichtung Graphit MOCVD Wafer Träger,Grafit-Suszeptorenfir SiC-Epitaxie,
    Kuelestoff liwwert Susceptoren, EPITAXY AN MOCVD, Epitaxie-Suszeptoren, Grafit liwwert Susceptoren, Grafit-Suszeptoren, Grafit-Schachten,

    Produktbeschreiwung

    CVD-SiC Beschichtung huet d'Charakteristike vun enger eenheetlecher Struktur, engem kompakten Material, héijer Temperaturbeständegkeet, Oxidatiounsbeständegkeet, héijer Rengheet, Säure- a Alkaliresistenz an organesche Reagenzien, mat stabile physikaleschen a chemeschen Eegeschaften.

    Am Verglach mat héichreine Graphitmaterialien fänkt Graphit bei 400°C un ze oxidéieren, wat zu engem Pulververloscht duerch Oxidatioun féiert, wat zu Ëmweltverschmotzung vun Peripheriegeräter a Vakuumkammeren féiert, an d'Onreinheeten an der héichreiner Ëmwelt erhéicht.

    Wéi och ëmmer, kann d'SiC-Beschichtung physikalesch a chemesch Stabilitéit bei 1600 Grad behalen, si gëtt wäit an der moderner Industrie benotzt, besonnesch an der Hallefleederindustrie.

    Eis Firma bitt SiC-Beschichtungsprozessdéngschter mat der CVD-Method op der Uewerfläch vu Graphit, Keramik an aner Materialien un, sou datt speziell Gaser, déi Kuelestoff a Silizium enthalen, bei héijer Temperatur reagéieren, fir héichreine SiC-Moleküle ze kréien, déi sech op der Uewerfläch vun de beschichtete Materialien ofsetzen an doduerch eng SIC-Schutzschicht bilden. Déi entstane SIC ass fest un d'Graphitbasis gebonnen, wat der Graphitbasis speziell Eegeschafte gëtt, wouduerch d'Uewerfläch vum Graphit kompakt, porositéitsfräi, héichtemperaturbeständeg, korrosiounsbeständeg an oxidationsbeständeg ass.

    Applikatioun:

    2

    Haaptmerkmale:

    1. Oxidatiounsbeständegkeet bei héijen Temperaturen:

    D'Oxidatiounsbeständegkeet ass ëmmer nach ganz gutt bei Temperaturen bis zu 1700 °C.

    2. Héich Rengheet: duerch chemesch Gasoflagerung ënner héijer Temperaturchloréierungsbedingung hiergestallt.

    3. Erosiounsbeständegkeet: héich Häert, kompakt Uewerfläch, fein Partikelen.

    4. Korrosiounsbeständegkeet: Säure, Alkali, Salz an organesch Reagenzien.

    Haaptspezifikatioune vu CVD-SIC Beschichtungen:

    SiC-CVD

    Dicht

    (g/cc)

    3.21

    Biegefestigkeit

    (Mpa)

    470

    Thermesch Expansioun

    (10-6/K)

    4

    Wärmeleitfäegkeet

    (W/mK)

    300

    Liwwerfäegkeet:

    10000 Stéck/Stécker pro Mount
    Verpackung & Liwwerung:
    Verpackung: Standard & staark Verpackung
    Polybeutel + Këscht + Karton + Palette
    Hafen:
    Ningbo/Shenzhen/Shanghai
    Liwwerzäit:

    Quantitéit (Stécker) 1 – 1000 >1000
    Geschätzte Zäit (Deeg) 15 Ze verhandelen


  • Virdrun:
  • Weider:

  • WhatsApp Online Chat!