Nutizie

Perchè u siliciu hè cusì duru ma cusì fragile ?
da l'amministratore u 24-12-10
U siliciu hè un cristallu atomicu, chì i so atomi sò cunnessi trà di elli da ligami covalenti, furmendu una struttura di rete spaziale. In questa struttura, i ligami covalenti trà l'atomi sò assai direzionali è anu una alta energia di ligame, ciò chì face chì u siliciu mostri una alta durezza quandu resiste à forze esterne...
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Perchè i muri laterali si pieganu durante l'incisione a secco?
da l'amministratore u 24-12-03
Non uniformità di u bombardamentu ionicu L'incisione secca hè generalmente un prucessu chì combina effetti fisichi è chimichi, in u quale u bombardamentu ionicu hè un metudu impurtante di incisione fisica. Durante u prucessu di incisione, l'angulu d'incidenza è a distribuzione di l'energia di l'ioni ponu esse irregulari. Se l'ione inc...
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Introduzione à trè tecnulugie CVD cumuni
da l'amministratore u 24-12-03
A deposizione chimica da vapore (CVD) hè a tecnulugia più aduprata in l'industria di i semiconduttori per deposità una varietà di materiali, cumprese una vasta gamma di materiali isolanti, a maiò parte di i materiali metallichi è i materiali in lega metallica. A CVD hè una tecnulugia tradiziunale di preparazione di film sottili. U so principiu...
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U diamante pò rimpiazzà altri dispositivi semiconduttori di alta putenza?
da l'amministratore u 24-11-25
Cum'è a petra angulare di i dispusitivi elettronichi muderni, i materiali semiconduttori stanu subendu cambiamenti senza precedenti. Oghje, u diamante mostra gradualmente u so grande putenziale cum'è materiale semiconduttore di quarta generazione cù e so eccellenti proprietà elettriche è termiche è a so stabilità sottu à cundizioni estreme...
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Chì ghjè u mecanismu di planarizazione di CMP?
da l'amministratore u 24-11-25
U Dual-Damascene hè una tecnulugia di prucessu aduprata per fabricà interconnessioni metalliche in circuiti integrati. Hè un ulteriore sviluppu di u prucessu Damascus. Furmendu fori è scanalature passanti à u listessu tempu in a listessa tappa di prucessu è riempienduli di metallu, a fabricazione integrata di m...
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Grafite cù rivestimentu TaC
da l'amministratore u 24-11-21
I. Esplorazione di i parametri di u prucessu 1. Sistema TaCl5-C3H6-H2-Ar 2. Temperatura di deposizione: Sicondu a formula termodinamica, si calcula chì quandu a temperatura hè più grande di 1273K, l'energia libera di Gibbs di a reazione hè assai bassa è a reazione hè relativamente cumpleta. A rea...
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Prucessu di crescita di cristalli di carburo di siliciu è tecnulugia di l'attrezzatura
da l'amministratore u 24-11-21
1. A tecnulugia di crescita di cristalli SiC PVT (metodu di sublimazione), HTCVD (CVD à alta temperatura), LPE (metodu di fase liquida) sò trè metudi cumuni di crescita di cristalli SiC; U metudu u più ricunnisciutu in l'industria hè u metudu PVT, è più di u 95% di i monocristalli SiC sò cultivati da u PVT...
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Preparazione è Miglioramentu di e Prestazioni di Materiali Cumposti Porosi di Carboniu è Siliciu
da l'amministratore u 24-11-13
E batterie à ioni di litiu si sviluppanu principalmente in a direzzione di una alta densità energetica. À temperatura ambiente, i materiali di l'elettrodi negativi à basa di siliciu si leganu cù u litiu per pruduce una fase Li3.75Si ricchi di litiu, cù una capacità specifica finu à 3572 mAh/g, chì hè assai più alta di a teoria...
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Ossidazione Termica di u Siliciu Monocristallinu
da l'amministratore u 24-11-13
A furmazione di diossidu di siliciu nantu à a superficia di u siliciu hè chjamata ossidazione, è a creazione di diossidu di siliciu stabile è fortemente aderente hà purtatu à a nascita di a tecnulugia planare di circuiti integrati di siliciu. Ancu s'ellu ci sò parechji modi per fà cresce u diossidu di siliciu direttamente nantu à a superficia di u siliciu...
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