Notizia

Rivestimento in carburo di silicio: una svolta nei materiali chiave per la crescita epitassiale del SiC
di admin il 26-05-20
Uno strato epitassiale è una specifica pellicola sottile monocristallina cresciuta su un substrato di wafer mediante un processo epitassiale; il wafer di substrato e la pellicola epitassiale sono collettivamente indicati come wafer epitassiale. Tra questi, la crescita di uno strato epitassiale di carburo di silicio su un substrato conduttivo di carburo di silicio...
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Perché la paletta a sbalzo in SiC è fondamentale per i moderni processi di deposizione chimica in fase vapore assistita da laser (LPCVD)
di admin il 26-05-14
Con l'evoluzione della produzione di semiconduttori verso geometrie di dispositivi più piccole, una maggiore produttività dei wafer e standard di controllo della contaminazione sempre più rigorosi, le apparecchiature per i processi termici si trovano ad affrontare sfide ingegneristiche senza precedenti. Processi come LPCVD, ossidazione termica, diffusione di droganti, ...
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Che cos'è un tubo di diffusione in SiC? Funzioni, materiali e applicazioni nei processi dei semiconduttori.
di admin il 26-05-08
Nella produzione di semiconduttori, il trattamento termico ad alta temperatura è essenziale per le fasi di fabbricazione dei wafer, come l'ossidazione, la diffusione, la ricottura e la deposizione LPCVD. Questi processi vengono tipicamente eseguiti all'interno di sistemi di forni per semiconduttori che operano tra 800 °C e 1200 °C, dove la temperatura...
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Cos'è la grafite porosa? Proprietà, applicazioni e vantaggi per i semiconduttori
di admin il 26-04-24
Introduzione: Perché la grafite porosa è importante nella produzione di semiconduttori Con l'avanzamento della produzione di semiconduttori verso nodi tecnologici avanzati e semiconduttori composti (come il SiC), i requisiti dei materiali sono diventati sempre più stringenti. Stabilità alle alte temperature, purezza ultra-elevata e precisione nella formazione di gas...
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Quali sono le applicazioni del feltro di grafite nei processi di produzione dei semiconduttori?
di admin il 26-04-17
La produzione di semiconduttori si colloca all'incrocio tra estrema precisione e ambienti estremi. Processi come l'epitassia, la crescita dei cristalli e la ricottura ad alta temperatura superano regolarmente i 1000 °C, dove anche minime fluttuazioni termiche possono tradursi in variazioni misurabili dello spessore del film...
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Come funzionano le piastre bipolari in grafite nelle celle a combustibile?
di admin il 26-04-10
I. Il ruolo centrale delle piastre bipolari in grafite nel boom industriale Nel contesto degli obiettivi del “doppio carbonio” e del rapido sviluppo dell’economia dell’idrogeno, le celle a combustibile (in particolare le celle a combustibile PEM) stanno passando dalla fase dimostrativa all’applicazione su larga scala. Dalle autovetture...
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Quali sono le applicazioni del feltro di grafite nella tecnologia delle celle a combustibile?
di admin il 26-04-03
Nel campo dei sistemi di energia elettrochimica in continua evoluzione, il feltro di grafite si distingue come un materiale versatile a base di carbonio, dotato di proprietà strutturali, elettriche e chimiche uniche. Sebbene non tutte le architetture di celle a combustibile utilizzino universalmente il feltro di grafite, il suo ruolo, soprattutto nelle celle a combustibile avanzate...
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Dispositivi di fissaggio in grafite per semiconduttori: componenti di processo critici nella produzione di semiconduttori
di admin il 26-03-30
Nel processo di produzione dei semiconduttori, molti materiali e componenti chiave determinano la stabilità del processo e la resa del prodotto. Sebbene i dispositivi di fissaggio in grafite per semiconduttori non ricevano la stessa attenzione dei wafer o dei target, svolgono costantemente un ruolo vitale nei processi ad alta temperatura, nell'epitassia...
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Perché un anello di focalizzazione per il rivestimento CVD è fondamentale per l'incisione di semiconduttori ad alta precisione?
di admin il 26-03-20
Gli anelli di focalizzazione del rivestimento CVD svolgono un ruolo fondamentale nella moderna incisione dei semiconduttori, stabilizzando i confini del plasma e garantendo una distribuzione uniforme degli ioni su tutta la superficie del wafer. Questo articolo spiega perché sono essenziali per i nodi tecnologici avanzati, evidenziando il loro impatto sull'uniformità dell'incisione, sul controllo del CD, sulla contaminazione...
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