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炭化ケイ素コーティング：SiCエピタキシャル成長のための主要コア材料における画期的な進歩
管理者による投稿（2020年5月26日）
エピタキシャル層とは、エピタキシャルプロセスによってウェハ基板上に成長させた特定の単結晶薄膜のことである。基板ウェハとエピタキシャル膜をまとめてエピタキシャルウェハと呼ぶ。中でも、導電性炭化ケイ素基板上に炭化ケイ素エピタキシャル層を成長させる方法は、…
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SiCカンチレバーパドルが現代のLPCVD炉プロセスにおいて重要な理由
管理者による投稿（2014年5月26日）
半導体製造は、より小型のデバイス形状、より高いウェハスループット、そしてますます厳格化する汚染管理基準へと進化するにつれて、熱処理装置は前例のない技術的課題に直面しています。LPCVD、熱酸化、ドーパント拡散などのプロセスは、...
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SiC拡散管とは何か？機能、材料、および半導体プロセスへの応用
管理者による投稿（2008年5月26日）
半導体製造において、酸化、拡散、アニーリング、LPCVD成膜などのウェーハ製造工程には高温熱処理が不可欠です。これらの工程は通常、800℃～1200℃の温度範囲で動作する半導体炉システム内で行われ、そこで温度が制御されます。
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多孔質グラファイトとは？特性、用途、半導体における利点
管理者による投稿（2024年4月26日）
はじめに：半導体製造において多孔質グラファイトが重要な理由半導体製造が先端ノードや化合物半導体（SiCなど）へと移行するにつれて、材料に対する要求はますます厳しくなっています。高温安定性、超高純度、精密なガス流量制御など、
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半導体製造プロセスにおけるグラファイトフェルトの用途は何ですか？
管理者による投稿（2017年4月26日）
半導体製造は、極めて高い精度と極めて過酷な環境が交わる領域で行われています。エピタキシャル成長、結晶成長、高温アニーリングなどのプロセスは日常的に1000℃を超え、わずかな温度変動でさえ膜厚の測定可能な変化につながる可能性があります。
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燃料電池におけるグラファイト製バイポーラプレートはどのように機能するのでしょうか？
管理者による投稿（2010年4月26日）
I. 産業ブームにおけるグラファイトバイポーラプレートの中心的役割「デュアルカーボン」目標と水素経済の急速な発展を背景に、燃料電池（特にPEM燃料電池）は実証段階から大規模応用へと移行しつつあります。乗用車から…
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燃料電池技術におけるグラファイトフェルトの用途は何ですか？
管理者による投稿（2003年4月26日）
絶えず進化する電気化学エネルギーシステムにおいて、グラファイトフェルトは、独自の構造的、電気的、化学的特性を備えた多用途な炭素系材料として際立っています。すべての燃料電池アーキテクチャがグラファイトフェルトを普遍的に使用しているわけではありませんが、特に先進的な燃料電池において、その役割は重要です。
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半導体グラファイト治具：半導体製造における重要なプロセス部品
管理者による投稿（2020年3月26日）
半導体製造プロセスにおいて、多くの重要な材料と部品がプロセスの安定性と製品歩留まりを左右します。半導体グラファイト治具は、ウェーハやターゲットほど注目されることはありませんが、高温プロセス、エピタキシャル成長、および半導体製造において常に重要な役割を果たしています。
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高精度半導体エッチングにおいて、CVDコーティング用フォーカスリングが重要な理由は？
管理者による投稿（2020年3月26日）
CVDコーティングフォーカスリングは、プラズマ境界を安定化させ、ウェーハ全体に均一なイオン分布を確保することで、現代の半導体エッチングにおいて重要な役割を果たします。この記事では、先端ノードにおいてフォーカスリングが不可欠な理由を説明し、エッチングの均一性、CD制御、汚染などへの影響を強調します。
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