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Quels sont les obstacles techniques au carbure de silicium ?
La première génération de matériaux semi-conducteurs est représentée par le silicium (Si) et le germanium (Ge), matériaux traditionnels à la base de la fabrication de circuits intégrés. Ils sont largement utilisés dans les transistors et détecteurs basse tension, basse fréquence et faible puissance. Plus de 90 % de la production de semi-conducteurs…En savoir plus -
Comment est fabriquée la micropoudre de SiC ?
Le monocristal de SiC est un matériau semi-conducteur composé du groupe IV-IV, composé de deux éléments, Si et C, dans un rapport stœchiométrique de 1:1. Sa dureté est surpassée par celle du diamant. La méthode de réduction du carbone de l'oxyde de silicium pour préparer le SiC repose principalement sur la formule de réaction chimique suivante :En savoir plus -
Comment les couches épitaxiales aident-elles les dispositifs semi-conducteurs ?
Origine du terme « wafer épitaxial » : vulgarisons d'abord un concept : la préparation d'un wafer comprend deux étapes principales : la préparation du substrat et le processus d'épitaxie. Le substrat est une plaquette de matériau monocristallin semi-conducteur. Il peut être directement intégré au processus de fabrication du wafer.En savoir plus -
Introduction à la technologie de dépôt de couches minces par dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est une technologie importante de dépôt de couches minces, souvent utilisée pour préparer divers films fonctionnels et matériaux en couches minces, et est largement utilisée dans la fabrication de semi-conducteurs et d'autres domaines. 1. Principe de fonctionnement du CVD Dans le processus CVD, un précurseur de gaz (un ou...En savoir plus -
Le secret de « l’or noir » derrière l’industrie des semi-conducteurs photovoltaïques : le désir et la dépendance au graphite isostatique
Le graphite isostatique est un matériau essentiel dans le photovoltaïque et les semi-conducteurs. L'essor rapide des entreprises chinoises spécialisées dans le graphite isostatique a brisé le monopole des entreprises étrangères en Chine. Grâce à des activités de recherche et développement indépendantes continues et à des avancées technologiques...En savoir plus -
Dévoilement des caractéristiques essentielles des nacelles en graphite dans la fabrication de céramiques semi-conductrices
Les nacelles en graphite jouent un rôle crucial dans les processus complexes de fabrication des céramiques semi-conductrices. Ces cuves spécialisées servent de support fiable aux plaquettes de semi-conducteurs lors des traitements à haute température, garantissant un traitement précis et contrôlé. Avec…En savoir plus -
La structure interne de l'équipement du tube du four est expliquée en détail
Comme indiqué ci-dessus, voici un exemple typique de la première moitié : ▪ Élément chauffant (serpentin chauffant) : situé autour du tube du four, généralement constitué de fils de résistance, utilisé pour chauffer l'intérieur du tube du four. ▪ Tube de quartz : Le cœur d'un four d'oxydation à chaud, constitué de quartz de haute pureté qui peut résister à...En savoir plus -
Effets du substrat SiC et des matériaux épitaxiaux sur les caractéristiques des dispositifs MOSFET
Défaut triangulaire. Les défauts triangulaires sont les défauts morphologiques les plus fatals dans les couches épitaxiales de SiC. De nombreuses publications ont montré que leur formation est liée à la forme cristalline 3C. Cependant, en raison de mécanismes de croissance différents, la morphologie de nombreux...En savoir plus -
Croissance d'un monocristal de carbure de silicium SiC
Depuis sa découverte, le carbure de silicium a suscité un vif intérêt. Il est composé pour moitié d'atomes de silicium et pour moitié d'atomes de carbone, reliés par des liaisons covalentes par des paires d'électrons partageant des orbitales hybrides sp3. Dans l'unité structurale de base de son monocristal, quatre atomes de silicium forment un…En savoir plus
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