Si parties épitaxiales

Composants revêtus de SiC CVD pour l'épitaxie du silicium (Si Epi)

Conçus avec précision pour les systèmes de dépôt épitaxial de silicium monocouche et par lots, nos suscepteurs, disques satellites et composants de champ thermique revêtus de SiC par CVD offrent une uniformité thermique exceptionnelle et une absence totale de dégazage. La couche de revêtement en β-SiC cubique haute densité encapsule entièrement le substrat en graphite de haute pureté, empêchant la gravure par gaz réactifs (SiH₄, SiH₂Cl₂, HCl) et garantissant des niveaux d'impuretés métalliques extrêmement faibles (< 5 ppm) lors du traitement épitaxial du silicium à haute température (1000 °C - 1200 °C).

Uniformité du champ thermique

L'émissivité contrôlée assure une constance précise de l'épaisseur du film du bord au centre de la plaquette.

Résistance à la gravure HCl

Offre une protection robuste contre les produits chimiques de nettoyage de la chambre in situ et les chocs thermiques.

Compatibilité avec les systèmes OEM

Usiné CNC de précision pour s'adapter aux outils Epi mono-plaquette 200 mm/300 mm courants (Applied Materials, ASM).

Paramètre technique	Valeur de spécification	Méthode d'essai/Norme
Matériau de revêtement	β-SiC CVD (phase cubique)	Structure cristalline à haute densité
Matériau du substrat	Graphite isostatique ultra-pur	Densité : 1,82 - 1,88 g/cm³
Pureté chimique	Impuretés totales < 5 ppm	Testé par GDMS
Épaisseur du revêtement	80 μm - 150 μm	Uniformité ≤ ±5%