Pièces épitaxiales en SiC

Revêtements CVD avancés pour la croissance épitaxiale de SiC

Conçus pour les procédés de fabrication de dispositifs semi-conducteurs haute puissance fonctionnant sous contraintes thermiques extrêmes (1500 °C - 1700 °C), nos suscepteurs planétaires, disques satellites et déflecteurs de gaz revêtus de SiC et TaC par CVD sont d'une qualité exceptionnelle. Conçus pour prévenir la génération de particules, la dégradation de surface et la gravure par gaz réactifs (H₂, SiH₄, C₃H∯), nos revêtements avancés garantissent une longue durée de vie, un contrôle optimal du dopage et une grande uniformité d'épaisseur.Plaquettes épitaxiales SiC de 6 et 8 pouces.

Stabilité à très haute température

Stable thermiquement jusqu'à 1700°C dans des environnements réducteurs sévères H₂/silane.

Correspondance CTE par gradient

Élimine le délaminage du revêtement, les microfissures et l'écaillage lors des cycles thermiques rapides.

Préparation à l'échelle des plaquettes de 8 pouces

Usinage CNC de précision adapté aux réacteurs SiC Epi à haut débit de nouvelle génération (LPE, Aixtron, Nuflare).

Paramètre technique	Valeur de spécification	Méthode d'essai/Norme
Options de matériaux de revêtement	SiC CVD / Carbure de tantale (TaC)	Couche hermétique de haute pureté
Substrat de base	Graphite isostatique purifié	Impuretés en vrac < 5 ppm
résistance aux chocs thermiques	Vitesse de montée en température Delta T > 500 °C	Pas de craquelures ni de décollement
Rugosité de surface (Ra)	≤ 0,4 μm (Polissage miroir)	Empêche le collage des plaquettes et l'accumulation de particules