Nuntii

Intellegendo contaminationem laminarum semiconductorum et rationem purgationis
ab administratore die XXIV mensis Octobris, anno XXIX
Cum ad nuntios commerciales pervenitur, necesse est intellegere subtilitatem fabricationis semiconductorum. Lamellae semiconductorum pars magni momenti sunt in hac industria, sed saepe contaminationem ex variis impuritatibus patiuntur. Hae contaminantes includunt atomos, materiam organicam, iones elementorum metallicorum, et...
Plura lege
Promotio in involucris graduum "fan-Out" per duritiam ultraviolaceam
ab administratore die XXIV mensis Octobris, anno XXVIII
Involucrum gradus laminarum "fan out wafer" (FOWLP) in industria semiconductorum notum est propter pretium utile, sed non caret difficultate. Una ex praecipuis difficultatibus quae occurrunt est deformatio et initium fragmenti durante processu formationis. Deformatio potest attribui contractioni chemicae materiae formationis...
Plura lege
Futurum Technologiae Semiconductorum Adamantinorum
ab administratore die XXIV mensis Octobris, anno XXV
Materia semiconductrix, ut fundamentum instrumentorum electronicorum modernorum, mutationem inauditam subit. Hodie, adamas paulatim magnum potentiale suum ut materia semiconductrix quarti aetatis ostendit, propter excellentes proprietates electricas et thermicas necnon stabilitatem sub condicionibus extremis. Est...
Plura lege
Intellegendo technologiam Depositionis Vaporis Chemici (CVD)
ab administratore die XXIV mensis Octobris anni XXIV
Depositio chemica vaporis (CVD) est processus qui implicat depositionem pelliculae solidae in superficie lamellae silicii per reactionem chemicam mixturae gasorum. Hic processus dividi potest in varia exemplaria instrumentorum constituta sub variis condicionibus reactionis chemicae, ut pressione...
Plura lege
Postulatio et applicatio ceramicarum SiC altae conductivitatis thermalis in campo semiconductorum
ab administratore die XXIV mensis Octobris anni XXIV
Carburum silicii (SiC) nunc est materia ceramica thermoducens quae domi et in terris active investigatur. Conductivitas thermalis theoretica SiC valde alta est, et nonnullae formae crystallinae 270W/mK attingere possunt, quod iam inter materias non conductivas dux est. Exempli gratia,...
Plura lege
Status investigationis ceramicarum carburi silicii recrystallizatarum
ab administratore die XXIV mensis Octobris anni XXIV
Ceramica e carburo silicii recrystallizato (RSiC) materia ceramica est magnae efficaciae. Propter excellentem resistentiam temperaturae altae, resistentiam oxidationis, resistentiam corrosionis et magnam duritiem, late in multis campis, ut in fabricatione semiconductorum, industria photovoltaica...
Plura lege
Quid est sic coating? – VET ENERGY
ab administratore die XXIV mensis Octobris anno MMXVIII
Carbidum silicii est compositum durum silicium et carbonem continens, et in natura invenitur ut minerale rarissimum moissanite. Particulae carburi silicii per sinterizationem conjungi possunt ut ceramica durissima formentur, quae late adhibentur in applicationibus quae magnam durabilitatem requirunt, praesertim ...
Plura lege
Usus ceramicae carburi silicii in agro photovoltaico
ab administratore die XXIV mensis Octobris anno MMXV
① Materia vectoria clavis est in processu productionis cellularum photovoltaicarum. Inter ceramica structuralia e carburo silicii, industria photovoltaica sustentaculorum navium e carburo silicii magno prosperitatis gradu crevit, bona electio facta pro materiis vectoriis clavis in processu productionis...
Plura lege
Commoda fulcri navium carburi silicii comparati cum fulcro navium quarzi
ab administratore die XXIV mensis Octobris anno MMXV
Munera principalia fulcri navis e carburo silicii et fulcri navis e quarzo eaedem sunt. Fulcrum navis e carburo silicii praeclaram efficaciam sed pretium altum habet. Relationem alternativam cum fulcro navis e quarzo in apparatu tractationis accumulatorum cum condicionibus laboris asperis (velut...) constituit.
Plura lege