Նորություններ

Որո՞նք են սիլիցիումի կարբիդի տեխնիկական խոչընդոտները։
հեղինակ՝ admin 24-05-22
Կիսահաղորդչային նյութերի առաջին սերունդը ներկայացված է ավանդական սիլիցիումով (Si) և գերմանիումով (Ge), որոնք ինտեգրալ սխեմաների արտադրության հիմքն են։ Դրանք լայնորեն կիրառվում են ցածր լարման, ցածր հաճախականության և ցածր հզորության տրանզիստորներում և դետեկտորներում։ Կիսահաղորդչային արտադրանքի ավելի քան 90%-ը...
Կարդալ ավելին
Ինչպե՞ս է պատրաստվում SiC միկրոփոշին։
հեղինակ՝ admin 24-05-13
SiC միաբյուրեղը IV-IV խմբի միացյալ կիսահաղորդչային նյութ է, որը կազմված է երկու տարրերից՝ Si և C, 1:1 ստոխիոմետրիկ հարաբերակցությամբ: Դրա կարծրությունը զիջում է միայն ադամանդին: SiC ստանալու համար սիլիցիումի օքսիդի ածխածնային վերականգնման մեթոդը հիմնականում հիմնված է հետևյալ քիմիական ռեակցիայի բանաձևի վրա...
Կարդալ ավելին
Ինչպե՞ս են էպիտաքսիալ շերտերը օգնում կիսահաղորդչային սարքերին։
հեղինակ՝ admin 24-05-13
Էպիտաքսիալ վաֆլի անվանման ծագումը Նախ, եկեք տարածենք մի փոքր հասկացություն. վաֆլիի պատրաստումը ներառում է երկու հիմնական օղակ՝ հիմքի պատրաստում և էպիտաքսիալ գործընթաց: Հիմքը կիսահաղորդչային միաբյուրեղային նյութից պատրաստված վաֆլի է: Հիմքը կարող է անմիջապես մտնել վաֆլիի արտադրողի մեջ...
Կարդալ ավելին
Քիմիական գոլորշու նստեցման (CVD) բարակ թաղանթային նստեցման տեխնոլոգիայի ներածություն
հեղինակ՝ admin 24-05-06
Քիմիական գոլորշու նստեցումը (ՔԳՆ) բարակ թաղանթների նստեցման կարևոր տեխնոլոգիա է, որը հաճախ օգտագործվում է տարբեր ֆունկցիոնալ թաղանթներ և բարակ շերտավոր նյութեր պատրաստելու համար և լայնորեն կիրառվում է կիսահաղորդչային արտադրության և այլ ոլորտներում: 1. ՔԳՆ-ի աշխատանքի սկզբունքը ՔԳՆ գործընթացում գազի նախորդը (մեկ կամ...)
Կարդալ ավելին
«Սև ոսկու» գաղտնիքը ֆոտովոլտային կիսահաղորդչային արդյունաբերության հետևում. ցանկությունը և կախվածությունը իզոստատիկ գրաֆիտից
հեղինակ՝ admin 24-05-06
Իզոստատիկ գրաֆիտը շատ կարևոր նյութ է ֆոտովոլտային և կիսահաղորդիչների մեջ: Տեղական իզոստատիկ գրաֆիտ արտադրող ընկերությունների արագ աճի հետ մեկտեղ, Չինաստանում արտասահմանյան ընկերությունների մենաշնորհը կոտրվել է: Անընդհատ անկախ հետազոտությունների և զարգացման, ինչպես նաև տեխնոլոգիական առաջընթացների շնորհիվ, ...
Կարդալ ավելին
Կիսահաղորդչային կերամիկայի արտադրության մեջ գրաֆիտային նավակների հիմնական բնութագրերի բացահայտումը
հեղինակ՝ admin 24-04-22
Գրաֆիտային նավակները, որոնք հայտնի են նաև որպես գրաֆիտային նավակներ, կարևոր դեր են խաղում կիսահաղորդչային կերամիկայի արտադրության բարդ գործընթացներում: Այս մասնագիտացված անոթները ծառայում են որպես կիսահաղորդչային թիթեղների հուսալի կրողներ բարձր ջերմաստիճանային մշակումների ընթացքում՝ ապահովելով ճշգրիտ և վերահսկվող մշակում: ...
Կարդալ ավելին
Վառարանի խողովակային սարքավորումների ներքին կառուցվածքը մանրամասն բացատրվում է
հեղինակ՝ admin 24-04-22
Ինչպես ցույց է տրված վերևում, տիպիկ առաջին կեսն է՝ ▪ Ջեռուցման տարր (ջեռուցման կծիկ). տեղադրված է վառարանի խողովակի շուրջը, սովորաբար պատրաստված է դիմադրության լարերից, օգտագործվում է վառարանի խողովակի ներսը տաքացնելու համար։ ▪ Քվարցե խողովակ. Տաք օքսիդացման վառարանի միջուկը, պատրաստված բարձր մաքրության քվարցից, որը կարող է դիմանալ...
Կարդալ ավելին
SiC հիմքի և էպիտաքսիալ նյութերի ազդեցությունը MOSFET սարքի բնութագրերի վրա
հեղինակ՝ admin 24-04-16
Եռանկյունային արատ Եռանկյունային արատները SiC էպիտաքսիալ շերտերի ամենամահացու ձևաբանական արատներն են: Գրականության մեջ մեծ թվով հրապարակումներ ցույց են տվել, որ եռանկյունային արատների առաջացումը կապված է 3C բյուրեղային ձևի հետ: Այնուամենայնիվ, տարբեր աճի մեխանիզմների պատճառով, շատերի ձևաբանությունը...
Կարդալ ավելին
SiC սիլիցիումի կարբիդի միաբյուրեղի աճեցում
հեղինակ՝ admin 24-04-16
Հայտնաբերումից ի վեր սիլիցիումի կարբիդը լայն ուշադրություն է գրավել: Սիլիցիումի կարբիդը կազմված է կես Si և կես C ատոմներից, որոնք միացված են կովալենտ կապերով՝ sp3 հիբրիդային օրբիտալներ կիսող էլեկտրոնային զույգերի միջոցով: Միաբյուրեղի հիմնական կառուցվածքային միավորում չորս Si ատոմները...
Կարդալ ավելին