SiC էպիտաքսիալ աճի համար առաջադեմ CVD ծածկույթներ

Հարմարեցված բարձր հզորության կիսահաղորդչային սարքերի գործընթացների համար, որոնք գործում են ծայրահեղ ջերմային լարվածության (1500°C - 1700°C) տակ, մեր CVD SiC և TaC ծածկույթով մոլորակային ընկալիչները, արբանյակային սկավառակները և գազի շեղիչները կառուցված են գերազանցության համար: Նախագծված մասնիկների առաջացումը, մակերեսի քայքայումը և ռեակտիվ գազային փորագրությունը (H₂, SiH₄, C₃H∯) կանխելու համար, մեր առաջադեմ ծածկույթները ապահովում են երկարատև շահագործման ժամկետ, գերազանց դոպանտի վերահսկողություն և բարձր հաստության միատարրություն ամբողջ մակերեսի վրա:6 և 8 դյույմանոց SiC էպիտաքսիալ թիթեղներ.