Si էպիտաքսիալ մասեր

Սիլիկոնային էպիտաքսիայի (Si Epi) համար CVD SiC ծածկույթով բաղադրիչներ

Ճշգրիտ նախագծված միաշերտ և խմբաքանակային սիլիցիումային էպիտաքսիալ նստեցման համակարգերի համար, մեր CVD SiC ծածկույթով ընկալիչները, արբանյակային սկավառակները և ջերմային դաշտի բաղադրիչները ապահովում են բացառիկ ջերմային միատարրություն և զրոյական գազերի արտանետում: Բարձր խտության խորանարդային β-SiC ծածկույթի շերտը լիովին պարուրում է բարձր մաքրության գրաֆիտային հիմքը՝ կանխելով ռեակտիվ գազային փորագրումը (SiH₄, SiH₂Cl₂, HCl) և երաշխավորելով մետաղական խառնուրդների գերցածր մակարդակներ (< 5 ppm) բարձր ջերմաստիճանային Si Epi մշակման ընթացքում (1000°C - 1200°C):

Ջերմային դաշտի միատարրություն

Կառավարվող ճառագայթողականությունը ապահովում է վաֆլիի թաղանթի հաստության ճշգրիտ համապատասխանություն եզրից կենտրոն։

HCl փորագրման դիմադրություն

Ապահովում է հուսալի պաշտպանություն տեղում կատարվող խցիկի մաքրման քիմիական նյութերից և ջերմային ցնցումներից։

OEM համակարգի համատեղելիություն

Ճշգրիտ CNC մեքենայով մշակված՝ հիմնական 200 մմ/300 մմ միաշերտ Epi գործիքներին համապատասխանելու համար (Applied Materials, ASM):

Տեխնիկական պարամետր	Տեխնիկական արժեք	Ստանդարտ / Փորձարկման մեթոդ
Ծածկույթի նյութ	CVD β-SiC (խորանարդային փուլ)	Բարձր խտության բյուրեղային կառուցվածք
Հիմքի նյութ	Գերմաքուր իզոստատիկ գրաֆիտ	Խտություն՝ 1.82 - 1.88 գ/սմ³
Քիմիական մաքրություն	Ընդհանուր խառնուրդներ < 5 ppm	GDMS թեստավորված
Ծածկույթի հաստությունը	80 մկմ - 150 մկմ	Միատարրություն ≤ ±5%