ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಗಾಗಿ ಹೈ-ಪ್ಯೂರಿಟಿ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಹೀಟರ್ ಪರಿಹಾರಗಳು

MOCVD (ಲೋಹ-ಸಾವಯವ ರಾಸಾಯನಿಕ ಆವಿ ಶೇಖರಣೆ) ಮತ್ತು SiC ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ಬೆಳವಣಿಗೆಯಂತಹ ಹೆಚ್ಚಿನ-ತಾಪಮಾನದ ಅರೆವಾಹಕ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳಲ್ಲಿ, ಉಷ್ಣ ಕ್ಷೇತ್ರ ನಿಯಂತ್ರಣವು ನೇರವಾಗಿ ಪದರ ಶೇಖರಣೆಯ ದಪ್ಪ ಏಕರೂಪತೆ, ಡೋಪಿಂಗ್ ಸಾಂದ್ರತೆ ಮತ್ತು ಅಂತಿಮ ವೇಫರ್ ಇಳುವರಿಯನ್ನು ನಿರ್ಧರಿಸುತ್ತದೆ. ಒಂದು ಕೋರ್ ಉಷ್ಣ ಕ್ಷೇತ್ರ ಘಟಕವಾಗಿ,ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆಯ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಹೀಟರ್ಹೆಚ್ಚು ನಾಶಕಾರಿ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ ಅನಿಲ ಪರಿಸರಗಳಲ್ಲಿ 1600°C ಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ಸ್ಥಿರವಾಗಿ ಮತ್ತು ನಿರಂತರವಾಗಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸಬೇಕು. ಅಧಿಕೃತ ಗ್ರಾಹಕ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ಪ್ರಕರಣ ಅಧ್ಯಯನಗಳನ್ನು ನಿರ್ಣಾಯಕ ಉತ್ಪನ್ನ ಜ್ಞಾನದೊಂದಿಗೆ ಸಂಯೋಜಿಸಿ, ಈ ಲೇಖನವು ಅರೆವಾಹಕ ವೇಫರ್ ತಯಾರಿಕೆಯಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆಯ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಹೀಟರ್‌ಗಳ ತಾಂತ್ರಿಕ ಅನುಕೂಲಗಳು, ರಚನಾತ್ಮಕ ವಿನ್ಯಾಸ ಮತ್ತು ಪ್ರಮುಖ ಪಾತ್ರದ ಆಳವಾದ ವಿಶ್ಲೇಷಣೆಯನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತದೆ.

MOCVD ವ್ಯವಸ್ಥೆಗಳಿಗೆ ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆಯ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಹೀಟರ್ ಅನ್ನು ಏಕೆ ಆರಿಸಬೇಕು?

MOCVD ಮತ್ತು GaN/SiC ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಂತಹ ನಿರ್ಣಾಯಕ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳಲ್ಲಿ, ಸಣ್ಣ ತಾಪಮಾನ ಏರಿಳಿತಗಳು (>2°C) ಸಹ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ಪದರದಲ್ಲಿ ತರಂಗಾಂತರ ಬದಲಾವಣೆಗಳು ಅಥವಾ ಸ್ಫಟಿಕ ದೋಷಗಳಿಗೆ ಕಾರಣವಾಗಬಹುದು. ಹೆಚ್ಚಿನ ಉಷ್ಣ ವಾಹಕತೆ (100–150 W/m·K) ಮತ್ತು ಅತ್ಯಂತ ಕಡಿಮೆ ಉಷ್ಣ ವಿಸ್ತರಣಾ ಗುಣಾಂಕ (CTE) ವನ್ನು ನಿಯಂತ್ರಿಸುವ ಮೂಲಕ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆಯ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ವಸ್ತುಗಳು ಸಂಪೂರ್ಣ ಸಸೆಪ್ಟರ್ ಮತ್ತು ವೇಫರ್ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಶಾಖವನ್ನು ಸರಾಗವಾಗಿ ಮತ್ತು ವೇಗವಾಗಿ ಏಕರೂಪವಾಗಿ ನಡೆಸುತ್ತವೆ.

ತಾಪಮಾನ ಕ್ಷೇತ್ರ ಏಕರೂಪತೆ ಮತ್ತು ಬಹು-ವಲಯ ನಿಯಂತ್ರಣ

ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿ ಕೊಠಡಿಯ ಅಂಚುಗಳಲ್ಲಿ ಉಷ್ಣ ವಿಕಿರಣ ನಷ್ಟವನ್ನು ಎದುರಿಸಲು, ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆಯ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಶಾಖೋತ್ಪಾದಕಗಳು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಬಹು-ವಲಯ ಸ್ವತಂತ್ರ ತಾಪಮಾನ ನಿಯಂತ್ರಣ ವಿನ್ಯಾಸವನ್ನು ಸಂಯೋಜಿಸುತ್ತವೆ. ನಿಖರವಾದ ಪ್ರತಿರೋಧ ವಲಯ ಹೊಂದಾಣಿಕೆಗಳ ಮೂಲಕ, ಎಂಜಿನಿಯರ್‌ಗಳು ಕೊಠಡಿಯ ಹರಿವಿನ ಕ್ಷೇತ್ರದ ಉಷ್ಣ ನಷ್ಟದ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳಿಗೆ ಅನುಗುಣವಾಗಿ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಅಡ್ಡ-ವಿಭಾಗದ ಪ್ರದೇಶಗಳು ಮತ್ತು ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಕಸ್ಟಮೈಸ್ ಮಾಡುತ್ತಾರೆ. ಇದು ವೇಫರ್ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಪ್ರದೇಶದಾದ್ಯಂತ ತಾಪಮಾನ ಕ್ಷೇತ್ರ ವ್ಯತ್ಯಾಸವನ್ನು ಕಟ್ಟುನಿಟ್ಟಾಗಿ ±1°C ಒಳಗೆ ನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತದೆ, ಡಿಸ್ಕ್‌ನಲ್ಲಿರುವ ಎಲ್ಲಾ ವೇಫರ್‌ಗಳಲ್ಲಿ ವಿದ್ಯುತ್ ಸ್ಥಿರತೆಯನ್ನು ಖಾತರಿಪಡಿಸುತ್ತದೆ.

ಬೂದಿ ಅಂಶ ನಿಯಂತ್ರಣ ಮತ್ತು ಅಲ್ಟ್ರಾ-ಪ್ಯೂರ್ ಪರಿಸರ ಭರವಸೆ

ಅರೆವಾಹಕ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳು ಲೋಹೀಯ ಕಲ್ಮಶಗಳಿಗೆ ಅಸಾಧಾರಣವಾಗಿ ಸೂಕ್ಷ್ಮವಾಗಿರುತ್ತವೆ. ಪ್ರಮಾಣಿತ ಕೈಗಾರಿಕಾ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಕಬ್ಬಿಣ (Fe), ನಿಕಲ್ (Ni), ಮತ್ತು ತಾಮ್ರ (Cu) ನಂತಹ ಜಾಡಿನ ಲೋಹೀಯ ಅಂಶಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತದೆ, ಇವು ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ಸುಲಭವಾಗಿ ಆವಿಯಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ಪದರಕ್ಕೆ ಹರಡುತ್ತವೆ, ಸಾಧನದ ಸ್ಥಗಿತ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮತ್ತು ವಾಹಕ ಚಲನಶೀಲತೆಯನ್ನು ರಾಜಿ ಮಾಡಿಕೊಳ್ಳುತ್ತವೆ. ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆಯ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಹೀಟರ್‌ಗಳು ಹೆಚ್ಚಿನ-ತಾಪಮಾನದ ಕ್ಲೋರಿನೀಕರಣ ಶುದ್ಧೀಕರಣ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳಿಗೆ ಒಳಗಾಗುತ್ತವೆ, ಒಟ್ಟು ಬೂದಿ ಅಂಶವನ್ನು 5 ppm ಗಿಂತ ಕಡಿಮೆ (ಮತ್ತು ಉನ್ನತ-ಮಟ್ಟದ ಅರೆವಾಹಕ ದರ್ಜೆಗೆ 2 ppm ಗಿಂತ ಕಡಿಮೆ) ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ, ಮೂಲದಲ್ಲಿ ಉಷ್ಣ ಕ್ಷೇತ್ರ ಕಲ್ಮಶಗಳಿಂದ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ವೇಫರ್‌ಗಳ ಅಡ್ಡ-ಮಾಲಿನ್ಯವನ್ನು ತಡೆಯುತ್ತದೆ.

ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ವೇಫರ್ ಸಂಸ್ಕರಣೆಯಲ್ಲಿ ಸುಧಾರಿತ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ತಾಪನ ಅಂಶಗಳು

ಅರೆವಾಹಕ ತಾಪನ ಅಂಶಗಳು ಕೋಣೆಯ ಉಷ್ಣತೆಯಿಂದ ಸಾವಿರಾರು ಡಿಗ್ರಿ ಸೆಲ್ಸಿಯಸ್ ವರೆಗೆ ಆಗಾಗ್ಗೆ ತ್ವರಿತ ತಾಪನ ಮತ್ತು ತಂಪಾಗಿಸುವ ಚಕ್ರಗಳಿಗೆ ಒಳಗಾಗುತ್ತವೆ. ಟಂಗ್‌ಸ್ಟನ್ ಅಥವಾ ಮಾಲಿಬ್ಡಿನಮ್‌ನಂತಹ ಲೋಹದ ತಾಪನ ತಂತಿಗಳಿಗಿಂತ ಭಿನ್ನವಾಗಿ, ಅವು ಎತ್ತರದ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ಮರುಸ್ಫಟಿಕೀಕರಣಗೊಳ್ಳುವ, ಸುಲಭವಾಗಿ ಒಡೆಯುವ ಅಥವಾ ಕುಸಿಯುವ ಪ್ರವೃತ್ತಿಯನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತವೆ, ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಒಂದು ವಿಶಿಷ್ಟ ಭೌತಿಕ ಗುಣವನ್ನು ಪ್ರದರ್ಶಿಸುತ್ತದೆ: ತಾಪಮಾನದೊಂದಿಗೆ ಶಕ್ತಿ ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ.

ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ಯಾಂತ್ರಿಕ ಶಕ್ತಿ ಮತ್ತು ರಚನಾತ್ಮಕ ಆಯಾಸ ನಿರೋಧಕತೆ

ತಾಪಮಾನ ಹೆಚ್ಚಾದಂತೆ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ವಸ್ತುಗಳ ಕರ್ಷಕ ಮತ್ತು ಬಾಗುವ ಶಕ್ತಿ ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ, ಇದು 2000°C ಮತ್ತು 2500°C ನಡುವೆ ಗರಿಷ್ಠ ಮಟ್ಟವನ್ನು ತಲುಪುತ್ತದೆ. ಈ ಗುಣಲಕ್ಷಣವು ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಹೀಟರ್‌ಗಳು ತೀವ್ರವಾದ ಉಷ್ಣ ವಿಕಿರಣ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ-ತಾಪಮಾನದ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಯ ಅಡಿಯಲ್ಲಿ ಯಾಂತ್ರಿಕ ಕುಗ್ಗುವಿಕೆ ಅಥವಾ ರಚನಾತ್ಮಕ ಮುರಿತಗಳಿಗೆ ಒಳಗಾಗುವುದಿಲ್ಲ ಎಂದು ಖಚಿತಪಡಿಸುತ್ತದೆ. ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ, ದೀರ್ಘ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಯ ಚಕ್ರಗಳಲ್ಲಿ ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರತಿರೋಧ ಸ್ಥಿರತೆಯನ್ನು ಸಂರಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಯೋಜಿತವಲ್ಲದ ನಿರ್ವಹಣಾ ಡೌನ್‌ಟೈಮ್ ಅನ್ನು ನಾಟಕೀಯವಾಗಿ ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ.

ನಿಖರವಾದ 3D ಯಂತ್ರೋಪಕರಣ ಮತ್ತು ಸಂಕೀರ್ಣ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ವಿನ್ಯಾಸಗಳು

ಆಧುನಿಕ ಅರೆವಾಹಕ ರಿಯಾಕ್ಟರ್‌ಗಳು ಅತ್ಯಂತ ಸಾಂದ್ರವಾದ ಪ್ರಾದೇಶಿಕ ವಿನ್ಯಾಸಗಳನ್ನು ಬಯಸುತ್ತವೆ. ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆಯ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಅತ್ಯುತ್ತಮ ಯಂತ್ರೋಪಕರಣ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ನಿಖರತೆಯ 5-ಅಕ್ಷದ CNC ಯಂತ್ರದ ಮೂಲಕ ಸಂಕೀರ್ಣ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಮಾದರಿಗಳಾಗಿ ಸಂಸ್ಕರಿಸಬಹುದು - ಉದಾಹರಣೆಗೆ ಮೂರು-ಹಂತದ ಥ್ರೆಡ್ ರಚನೆಗಳು, ಸರ್ಪೆಂಟೈನ್ ಮಡಿಸಿದ ಮಾರ್ಗಗಳು ಮತ್ತು ಡ್ಯುಯಲ್-ಹೆಲಿಕ್ಸ್ ಸ್ಟಾಗರ್ಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳು. ಈ ಹೆಚ್ಚಿನ ನಿಖರತೆಯ ಜ್ಯಾಮಿತೀಯ ಸಂರಚನೆಗಳು ಸೀಮಿತ ಜಾಗದಲ್ಲಿ ತಾಪನ ಮೇಲ್ಮೈ ವಿಸ್ತೀರ್ಣವನ್ನು ಗರಿಷ್ಠಗೊಳಿಸುತ್ತವೆ, ಕಡಿಮೆ ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಪರಿಣಾಮಗಳೊಂದಿಗೆ ಹೆಚ್ಚಿನ ವಿದ್ಯುತ್ ಸಾಂದ್ರತೆಯ ಉತ್ಪಾದನೆಯನ್ನು ಸಾಧಿಸುತ್ತವೆ.

SiC ಲೇಪಿತ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಹೀಟರ್‌ಗಳ ಪ್ರಮುಖ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯ ಅನುಕೂಲಗಳು

ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದ ಹೈಡ್ರೋಜನ್ ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುವ ವಾತಾವರಣ ಅಥವಾ ಕ್ಲೋರಿನ್/ಫ್ಲೋರಿನ್ ಹೊಂದಿರುವ ಎಚ್ಚಣೆ ಅನಿಲಗಳಂತಹ ಕಠಿಣ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ಪರಿಸರಗಳನ್ನು ತಡೆದುಕೊಳ್ಳಲು, ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆಯ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ತಲಾಧಾರದ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ದಟ್ಟವಾದ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ ಪದರವನ್ನು (CVD SiC ಲೇಪನ) ಠೇವಣಿ ಮಾಡುವುದು ಉದ್ಯಮ-ಪ್ರಮಾಣಿತ ಪರಿಹಾರವಾಗಿದೆ.

ಹೈಡ್ರೋಜನ್ ಎಚ್ಚಿಂಗ್ ಪ್ರತಿರೋಧ ಮತ್ತು ಶೂನ್ಯ ಕಣಗಳ ಚೆಲ್ಲುವಿಕೆ

SiC ಮತ್ತು ಸಿಲಿಕಾನ್ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿ ಸಮಯದಲ್ಲಿ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಾಂದ್ರತೆಯ H₂ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ಅನಿಲವು ಲೇಪಿತವಲ್ಲದ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಅನ್ನು ತೀವ್ರವಾಗಿ ಕೆತ್ತುತ್ತದೆ (ಹೈಡ್ರೋಜನ್ ಎಚ್ಚಣೆ ಮೀಥೇನ್ ಅನಿಲವನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತದೆ), ಇದು ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಮೇಲ್ಮೈಯನ್ನು ಸಡಿಲಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ, ಫ್ಲೇಕಿಂಗ್‌ಗೆ ಗುರಿಯಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಕಣ ಮಾಲಿನ್ಯವನ್ನು ಉಂಟುಮಾಡುತ್ತದೆ. 100% ದಟ್ಟವಾದ CVD SiC ಲೇಪನವು ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿರುವ ಸೂಕ್ಷ್ಮ ರಂಧ್ರಗಳನ್ನು ಮುಚ್ಚುತ್ತದೆ, ಅನಿಲ ಸವೆತವನ್ನು ಸಂಪೂರ್ಣವಾಗಿ ಪ್ರತ್ಯೇಕಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಶೂನ್ಯ ಕಣಗಳ ಚೆಲ್ಲುವಿಕೆಯೊಂದಿಗೆ ಅಲ್ಟ್ರಾ-ಕ್ಲೀನ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ವಾತಾವರಣವನ್ನು ಸೃಷ್ಟಿಸುತ್ತದೆ.

ಆಕ್ರಮಣಕಾರಿ ಮಾಧ್ಯಮದಲ್ಲಿ ಬಾಳಿಕೆ ಮತ್ತು ಮಾಲೀಕತ್ವದ ಒಟ್ಟು ವೆಚ್ಚ (TCO) ಕಡಿತ

HCl ಮತ್ತು NH ನಂತಹ ಹೆಚ್ಚು ಸಕ್ರಿಯ ಅನಿಲಗಳನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುವ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯಾ ಪರಿಸರಗಳಲ್ಲಿ₃, CVD SiC ಲೇಪನಗಳು ಅತ್ಯುತ್ತಮ ರಾಸಾಯನಿಕ ಜಡತ್ವವನ್ನು ಪ್ರದರ್ಶಿಸುತ್ತವೆ. ಇದು ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ತಲಾಧಾರವನ್ನು ಸವೆತದಿಂದ ರಕ್ಷಿಸುವುದಲ್ಲದೆ, ತಾಪನ ಅಂಶಗಳ ಬದಲಿ ಚಕ್ರವನ್ನು ವಿಸ್ತರಿಸುತ್ತದೆ (ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಸೇವಾ ಜೀವನವನ್ನು 200% ಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚು ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತದೆ). ಇದು ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಫ್ಯಾಬ್‌ನ ಒಟ್ಟು ಮಾಲೀಕತ್ವದ ವೆಚ್ಚ (TCO) ಮತ್ತು ಪ್ರತಿ ವೇಫರ್‌ಗೆ ಭೋಗ್ಯ ವೆಚ್ಚವನ್ನು ಗಣನೀಯವಾಗಿ ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ.

ಪ್ರಕರಣ ಅಧ್ಯಯನ: SiC ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ಲಿ ಉಷ್ಣ ಏಕರೂಪತೆ ಮತ್ತು ಕಣ ಮಾಲಿನ್ಯವನ್ನು ಪರಿಹರಿಸುವುದು

ಗ್ರಾಹಕರ ನೋವಿನ ಅಂಶಗಳು:ಜರ್ಮನಿಯ ಪ್ರಸಿದ್ಧ 3 ನೇ ತಲೆಮಾರಿನ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿ ತಯಾರಕರು 6-ಇಂಚಿನ SiC ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಎರಡು ನಿರ್ಣಾಯಕ ಅಡಚಣೆಗಳನ್ನು ಎದುರಿಸಿದರು (ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ತಾಪಮಾನ 1650°C, H₂+ TCS ವಾತಾವರಣ): ಮೊದಲನೆಯದಾಗಿ, ವೇಫರ್ ಅಂಚುಗಳಲ್ಲಿ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ಪದರದ ದಪ್ಪದ ವಿಚಲನವು ±3.8% ವರೆಗೆ ತಲುಪಿತು, ಇದು ಅಂಚಿನ ಸಾಧನ ವೈಫಲ್ಯಗಳಿಗೆ ಕಾರಣವಾಯಿತು. ಎರಡನೆಯದಾಗಿ, ಮೂಲ OEM ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್ ಹೀಟರ್ ಕೇವಲ 120 ಗಂಟೆಗಳ ಬಳಕೆಯ ನಂತರ ತೀವ್ರವಾದ ಮೇಲ್ಮೈ ಹೈಡ್ರೋಜನ್ ಎಚ್ಚಣೆ ಮತ್ತು ಸ್ಪ್ಯಾಲಿಂಗ್ ಅನ್ನು ಪ್ರದರ್ಶಿಸಿತು, ಇದು ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯಾ ಕೊಠಡಿಯಲ್ಲಿ ಕಣಗಳ ಡ್ರಾಪ್-ಆಫ್‌ಗಳ ಉಲ್ಬಣಕ್ಕೆ ಕಾರಣವಾಯಿತು - ಸರಾಸರಿ ಗುಣಮಟ್ಟದ ದೋಷ ಸಾಂದ್ರತೆಯ ಮಿತಿಗಳನ್ನು 3× ಮೀರಿದೆ.

VET ಶಕ್ತಿ ರೋಗನಿರ್ಣಯ ಮತ್ತು ಕಸ್ಟಮ್ ಪರಿಹಾರ

ತೊಡಗಿಸಿಕೊಂಡ ನಂತರ, VET ಎನರ್ಜಿ ಎಂಜಿನಿಯರಿಂಗ್ ತಂಡವು ಮೂಲ OEM ಹೀಟರ್‌ನಲ್ಲಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋ-ಥರ್ಮಲ್ ಮತ್ತು ದ್ರವ-ಹರಿವಿನ ಸಂಯೋಜಿತ ಸಿಮ್ಯುಲೇಶನ್‌ಗಳನ್ನು ನಡೆಸಿತು. ರೋಗನಿರ್ಣಯವು ಮೇಲ್ಮೈ SiC ಲೇಪನದಲ್ಲಿ ಅಂಚುಗಳು ಮತ್ತು ಸೂಕ್ಷ್ಮ ರಂಧ್ರಗಳು/ಉಷ್ಣ ಒತ್ತಡದ ಬಿರುಕುಗಳಲ್ಲಿ ಸಾಕಷ್ಟು ತಾಪನ ವಿದ್ಯುತ್ ಪರಿಹಾರವನ್ನು ಬಹಿರಂಗಪಡಿಸಿತು (ಲೇಪನದ ದಪ್ಪವು ದುರ್ಬಲ ಅಂಟಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯೊಂದಿಗೆ ಕೇವಲ 60μm ಆಗಿತ್ತು). ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಯಾಗಿ, VET ಎನರ್ಜಿ ಉದ್ದೇಶಿತ ಎಂಜಿನಿಯರಿಂಗ್ ಪರಿಹಾರವನ್ನು ಒದಗಿಸಿತು:

• ಉಷ್ಣ ಕ್ಷೇತ್ರ ರಚನಾತ್ಮಕ ಆಪ್ಟಿಮೈಸೇಶನ್:ಸ್ಥಳೀಯ ವಿದ್ಯುತ್ ಸಾಂದ್ರತೆಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸಲು ಅಂಚಿನ ಪ್ರಸರಣ ವಲಯಗಳ ಬಳಿ ಜ್ಯಾಮಿತೀಯ ತಾಪನ ಅಡ್ಡ-ವಿಭಾಗವನ್ನು 8% ರಷ್ಟು ಕುಗ್ಗಿಸುವ ಮೂಲಕ 3-ವಲಯ ಸ್ವತಂತ್ರ ಪ್ರತಿರೋಧ ನಿಯಂತ್ರಣ ವಿನ್ಯಾಸವನ್ನು ಅಳವಡಿಸಲಾಗಿದೆ.
• ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆಯ ತಲಾಧಾರದ ನವೀಕರಣ:ಬೂದಿ ಅಂಶ < ppm ಹೊಂದಿರುವ ಆಯ್ದ ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಾಂದ್ರತೆಯ ಐಸೊಸ್ಟ್ಯಾಟಿಕ್ ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್, SiC ಲೇಪನದೊಂದಿಗೆ ಉಷ್ಣ ವಿಸ್ತರಣಾ ಗುಣಾಂಕ (CTE) ಗೆ (CTE ಹೊಂದಾಣಿಕೆ >98%) ನಿಖರವಾಗಿ ಹೊಂದಿಕೆಯಾಗುತ್ತದೆ.
• CVD SiC ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ ನವೀಕರಣ:ವರ್ಧಿತ CVD ಶೇಖರಣಾ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡಿದ್ದು, ಮೇಲ್ಮೈ SiC ಲೇಪನದ ದಪ್ಪವನ್ನು 150 ± 10 μm ಗೆ ಹೆಚ್ಚಿಸಲಾಗಿದ್ದು, 1700°CH ಅನ್ನು ಪ್ರತಿರೋಧಿಸುವ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವಿರುವ ದಟ್ಟವಾದ, ರಂಧ್ರ-ಮುಕ್ತ ಧಾನ್ಯ ರಚನೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ.₂ಫ್ಲಶಿಂಗ್.

ಅನುಷ್ಠಾನ ಫಲಿತಾಂಶಗಳು ಮತ್ತು ಗ್ರಾಹಕ ಮೌಲ್ಯವನ್ನು ತಲುಪಿಸಲಾಗಿದೆ

ಸತತ 30 ದಿನಗಳ ಉತ್ಪಾದನಾ ಮಾರ್ಗ ಪರಿಶೀಲನೆಯ ನಂತರ, ಗ್ರಾಹಕರು ಅತ್ಯುತ್ತಮ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆ ಸುಧಾರಣೆಗಳನ್ನು ವರದಿ ಮಾಡಿದ್ದಾರೆ: ಪೂರ್ಣ-ವೇಫರ್ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ದಪ್ಪ ಏಕರೂಪತೆ (3mm ಅಂಚಿನ ಹೊರಗಿಡುವಿಕೆ ಸೇರಿದಂತೆ) ನಾಟಕೀಯವಾಗಿ ಸುಧಾರಿಸಿದೆ.±3.8% ರಿಂದ ±0.8%; ಹೀಟರ್ ನಿರಂತರವಾಗಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತಿದೆ400 ಗಂಟೆಗಳಿಗೂ ಹೆಚ್ಚುಯಾವುದೇ ಲೇಪನ ಬಿರುಕುಗಳು ಅಥವಾ ಮೇಲ್ಮೈ ಬಿರುಕು ಬಿಡದೆ; ಏಕ-ರನ್ ಚೇಂಬರ್ ಕಣ ದೋಷಗಳು (> 0.5μm) ಇದ್ದವು.85% ರಷ್ಟು ಕಡಿಮೆಯಾಗಿದೆ. ಇದು ಪ್ರತಿ ವೇಫರ್‌ಗೆ ಪ್ರೈಮ್ ಚಿಪ್ ಇಳುವರಿಯಲ್ಲಿ ನೇರವಾಗಿ 12% ಹೆಚ್ಚಳವನ್ನು ನೀಡಿತು ಮತ್ತು ವಾರ್ಷಿಕ ಸಲಕರಣೆ ನಿರ್ವಹಣಾ ವೆಚ್ಚವನ್ನು ಸರಿಸುಮಾರು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಿತು.€85,000.

ಪದೇ ಪದೇ ಕೇಳಲಾಗುವ ಪ್ರಶ್ನೆಗಳು