소식

실리콘 카바이드의 기술적 장벽은 무엇입니까?
2022년 5월 24일 관리자에 의해 작성됨
1세대 반도체 소재는 전통적인 실리콘(Si)과 게르마늄(Ge)으로 대표되며, 집적 회로 제조의 기반이 됩니다. 이 소재들은 저전압, 저주파, 저전력 트랜지스터와 검출기에 널리 사용됩니다. 반도체 제품의 90% 이상이...
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SiC 미세분말은 어떻게 만들어지나요?
2013년 5월 24일 관리자에 의해 작성됨
SiC 단결정은 Si와 C 두 원소가 화학양론비 1:1로 구성된 IV-IV족 화합물 반도체 소재입니다. 경도는 다이아몬드 다음으로 높습니다. SiC를 제조하기 위한 산화규소의 탄소 환원법은 주로 다음과 같은 화학 반응식을 기반으로 합니다.
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에피택셜 층은 반도체 소자에 어떻게 도움이 되나요?
2013년 5월 24일 관리자에 의해 작성됨
에피택셜 웨이퍼라는 이름의 유래 먼저, 간단한 개념을 알려드리겠습니다. 웨이퍼 준비에는 기판 준비와 에피택셜 공정이라는 두 가지 주요 단계가 있습니다. 기판은 반도체 단결정 소재로 만들어진 웨이퍼입니다. 이 기판은 웨이퍼 제조 공정에 직접 투입될 수 있습니다.
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화학기상증착(CVD) 박막증착 기술 소개
2006년 5월 24일 관리자에 의해
화학 기상 증착(CVD)은 다양한 기능성 필름과 박막 소재를 제조하는 데 자주 사용되는 중요한 박막 증착 기술이며, 반도체 제조 및 기타 분야에서 널리 사용됩니다. 1. CVD의 작동 원리 CVD 공정에서는 가스 전구체(하나 또는...
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태양광 반도체 산업의 '블랙골드' 비밀: 등방성 흑연에 대한 욕망과 의존
2006년 5월 24일 관리자에 의해
등방흑연은 태양광 및 반도체 분야에서 매우 중요한 소재입니다. 국내 등방흑연 기업의 급속한 성장으로 중국 내 외국 기업의 독점적 지위가 무너졌습니다. 지속적인 독자적인 연구 개발과 기술 혁신을 통해...
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반도체 세라믹 제조에서 흑연 보트의 필수 특성 공개
2022년 4월 24일 관리자에 의해 작성됨
흑연 보트(Graphite Boat)는 반도체 세라믹 제조의 복잡한 공정에서 중요한 역할을 합니다. 이 특수 용기는 고온 처리 과정에서 반도체 웨이퍼를 안정적으로 운반하여 정밀하고 제어된 공정을 보장합니다. ...
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로관 설비의 내부구조를 자세히 설명합니다.
2022년 4월 24일 관리자에 의해 작성됨
위에 표시된 것처럼, 일반적인 첫 번째 절반은 다음과 같습니다.▪ 가열 요소(가열 코일): 일반적으로 저항선으로 만들어진 용광로 튜브 주위에 위치하며 용광로 튜브 내부를 가열하는 데 사용됩니다.▪ 석영 튜브: 고온 산화로의 핵심으로, 고온을 견딜 수 있는 고순도 석영으로 만들어졌습니다...
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SiC 기판 및 에피택셜 재료가 MOSFET 소자 특성에 미치는 영향
2016년 4월 24일 관리자에 의해
삼각형 결함은 SiC 에피택셜층에서 가장 치명적인 형태 결함입니다. 많은 문헌에서 삼각형 결함의 형성이 3C 결정 형태와 관련이 있음을 보여주고 있습니다. 그러나 성장 메커니즘의 차이로 인해 많은...
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SiC 탄화규소 단결정의 성장
2016년 4월 24일 관리자에 의해
탄화규소는 발견 이후 폭넓은 관심을 받아왔습니다. 탄화규소는 Si 원자와 C 원자의 반으로 구성되어 있으며, 이 원자들은 sp3 혼성 오비탈을 공유하는 전자쌍을 통해 공유 결합으로 연결되어 있습니다. 단결정의 기본 구조 단위인 Si 원자 네 개는...
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