Etiam in emendanda administratione rerum et methodo QC operam damus, ut magnum commodum in negotio acerrime certato pro Optimo Pretio in Ceramica Pyrolytica Bori Nitrida/Lec Pbn Crucible retinere possimus. Si quis ex nostris productis interest vel emptionem personalizatam cupis, libenter nobiscum communicare potes. Speramus societates lucrativas cum novis clientibus toto orbe terrarum in proximo futuro formare.
Etiam in emendanda administratione rerum et methodo QC operam damus ut magnum commodum in negotio acerrime certato retinere possimus.Crucibulum et Tubus Ceramicus Sinensis 99.99% PbnTe libenter invitamus ut nos personaliter invisas. Speramus amicitiam diuturnam, aequalitate et mutuo commodo fundatam, instituere. Si nobiscum contactum facere vis, ne dubita nos vocare. Optima electio tua erimus.
Obductio CVD-SiC has proprietates habet: structura uniformis, materia compacta, resistentia temperaturae altae, resistentia oxidationis, puritas alta, resistentia acidis et alcali, et reagentis organici, cum proprietatibus physicis et chemicis stabilibus.
Comparatus cum materiis graphitis altae puritatis, graphitus incipit oxidari ad 400°C, quod iacturam pulveris propter oxidationem efficiet, pollutionem environmentalem machinarum periphericarum et camerarum vacui efficiens, et impuritates ambientis altae puritatis augens.
Attamen, obductio SiC stabilitatem physicam et chemicam ad 1600 gradus servare potest, late in industria moderna, praesertim in industria semiconductorum, adhibetur.
Societas nostra officia processus obductionis SiC per methodum CVD in superficiebus graphiti, ceramicis, aliarumque materiarum praebet, ut gases speciales, carbonem et silicium continentes, alta temperatura reagant ad moleculas SiC altae puritatis obtinendas, quae moleculae in superficie materiarum obductarum deponuntur, stratum SIC protectivum formantes. SIC formatum firmiter basi graphiti adhaeret, basi graphiti proprietates speciales tribuens, ita superficiem graphiti compactam, sine porositate, resistentem altae temperaturae, corrosioni, et oxidationi reddit.
Applicatio:
Proprietates principales:
1. Resistentia oxidationis altae temperaturae:
Resistentia oxidationis adhuc optima est cum temperatura ad 1700°C pervenit.
2. Alta puritas: facta per depositionem vaporis chemici sub condicione chlorinationis altae temperaturae.
3. Resistentia erosionis: alta duritia, superficies compacta, particulae tenues.
4. Resistentia corrosionis: acidum, alcali, sal et reagentia organica.
Specificationes principales tegumentorum CVD-SIC:
| SiC-CVD | ||
| Densitas | (g/cc)
| 3.21 |
| Robur flexurale | (Mpa)
| 470 |
| Expansio thermalis | (10-6/K) | 4
|
| Conductivitas thermalis | (W/mK) | trecenti |
Facultatem Suppletoriam:
10000 frustum/frustula per mensem
Involucrum et Traditio:
Involucrum: Involucrum Standard et Forte
Saccus polyethylenus + Arca + Carton + Pallet
Portus:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Tempus Ducendi:
| Quantitas (Partes) | 1 – 1000 | >1000 |
| Tempus Aestimatum (dies) | 15 | Ad negotiandum |
Etiam in emendanda administratione rerum et methodo QC operam damus, ut magnum commodum in negotio acerrime certato pro Optimo Pretio in Ceramica Pyrolytica Bori Nitrida/Lec Pbn Crucible retinere possimus. Si quis ex nostris productis interest vel emptionem personalizatam cupis, libenter nobiscum communicare potes. Speramus societates lucrativas cum novis clientibus toto orbe terrarum in proximo futuro formare.
Optimum Pretium inCrucibulum et Tubus Ceramicus Sinensis 99.99% PbnTe libenter invitamus ut nos personaliter invisas. Speramus amicitiam diuturnam, aequalitate et mutuo commodo fundatam, instituere. Si nobiscum contactum facere vis, ne dubita nos vocare. Optima electio tua erimus.
-
Calefactor graphitus carburi silicii (SiC) obductio SiC...
-
Calefactor Graphicus Personalizatus pro Si Semiconductore...
-
Forma lingotum SIC ad usum aptata, liquefactio metalli...
-
Formae siliconis SIC ad personam aptatae, siliconis SSIC RBSIC...
-
CVD SiC Obductum Carbonio-Carbonio Compositum CFC Navicularium...
-
Virga composita cc, tegumento CVD sic, carburo siliconico...
-
Forma fusa aurea et argentea, forma siliconis, Si...
-
Anuli Mechanici Carbonis Graphiti, Siliconis...
-
Calefactor graphito SIC obductus diuturnus pro MOCVD ...
-
Virga siliconis durabilis, altae temperaturae resistentia...
-
Virga siliconis altae qualitatis, virga Silicii ad processum...
-
Forma composita carbonio-carbonio obducta CVD sic
-
Lamina Composita Carbonio-Carbonio cum Indumento SiC





