-
Puslaidininkinių plokštelių užteršimo šaltiniai ir valymas
Puslaidininkių gamyboje būtinos kai kurios organinės ir neorganinės medžiagos. Be to, kadangi procesas visada atliekamas švarioje patalpoje, dalyvaujant žmonėms, puslaidininkinės plokštelės neišvengiamai užteršiamos įvairiomis priemaišomis. Pagal...Skaityti daugiau -
Taršos šaltiniai ir prevencija puslaidininkių gamybos pramonėje
Puslaidininkinių įtaisų gamyba daugiausia apima diskrečius įtaisus, integrinius grandynus ir jų pakavimo procesus. Puslaidininkių gamybą galima suskirstyti į tris etapus: gaminio korpuso medžiagos gamybą, gaminio plokštelių gamybą ir įtaisų surinkimą. Tarp jų...Skaityti daugiau -
Kodėl reikia retinimo?
Užpakalinio proceso etape prieš pjaustymą, suvirinimą ir pakavimą plokštelę (silicio plokštelę su grandinėmis priekyje) reikia ploninti iš galo, kad sumažėtų korpuso tvirtinimo aukštis, sumažėtų lusto korpuso tūris, pagerėtų lusto šiluminė difuzija...Skaityti daugiau -
Didelio grynumo SiC monokristalų miltelių sintezės procesas
Silicio karbido monokristalų auginimo procese fizinis garų pernašos būdas yra dabartinis pagrindinis industrializacijos metodas. PVT auginimo metodui silicio karbido milteliai daro didelę įtaką augimo procesui. Visi silicio karbido miltelių parametrai tiesiogiai...Skaityti daugiau -
Kodėl vaflių dėžutėje yra 25 vafliai?
Šiuolaikinių technologijų pasaulyje silicio plokštelės yra pagrindiniai puslaidininkių pramonės komponentai. Jos yra įvairių elektroninių komponentų, tokių kaip mikroprocesoriai, atmintis, jutikliai ir kt., gamybos pagrindas, ir kiekviena plokštelė...Skaityti daugiau -
Dažniausiai naudojami garų fazės epitaksijos stovai
Garų fazės epitaksijos (VPE) proceso metu pagrindo vaidmuo yra palaikyti substratą ir užtikrinti vienodą kaitinimą augimo proceso metu. Skirtingi pagrindo tipai tinka skirtingoms augimo sąlygoms ir medžiagų sistemoms. Toliau pateikiami keli...Skaityti daugiau -
Kaip prailginti tantalo karbido dengtų gaminių tarnavimo laiką?
Tantalo karbido dengti gaminiai yra dažniausiai naudojama aukštos temperatūros medžiaga, pasižyminti atsparumu aukštai temperatūrai, atsparumu korozijai, atsparumu dilimui ir kt. Todėl jie plačiai naudojami tokiose pramonės šakose kaip aviacijos ir kosmoso, chemijos ir energetikos. Siekiant...Skaityti daugiau -
Kuo skiriasi PECVD ir LPCVD puslaidininkinėje CVD įrangoje?
Cheminis garų nusodinimas (CVD) – tai kietos plėvelės nusodinimo ant silicio plokštelės paviršiaus procesas, kurio metu vyksta cheminė dujų mišinio reakcija. Pagal skirtingas reakcijos sąlygas (slėgį, pirmtaką) jį galima suskirstyti į įvairius įrenginius...Skaityti daugiau -
Silicio karbido grafito formos charakteristikos
Silicio karbido grafito forma Silicio karbido grafito forma yra sudėtinė forma, kurios pagrindas yra silicio karbidas (SiC), o armavimo medžiaga – grafitas. Ši forma pasižymi puikiu šilumos laidumu, atsparumu aukštai temperatūrai, atsparumu korozijai ir...Skaityti daugiau
- English
- French
- German
- Portuguese
- Spanish
- Russian
- Japanese
- Korean
- Arabic
- Irish
- Greek
- Turkish
- Italian
- Danish
- Romanian
- Indonesian
- Czech
- Afrikaans
- Swedish
- Polish
- Basque
- Catalan
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- Albanian
- Amharic
- Armenian
- Azerbaijani
- Belarusian
- Bengali
- Bosnian
- Bulgarian
- Cebuano
- Chichewa
- Corsican
- Croatian
- Dutch
- Estonian
- Filipino
- Finnish
- Frisian
- Galician
- Georgian
- Gujarati
- Haitian
- Hausa
- Hawaiian
- Hebrew
- Hmong
- Hungarian
- Icelandic
- Igbo
- Javanese
- Kannada
- Kazakh
- Khmer
- Kurdish
- Kyrgyz
- Latin
- Latvian
- Lithuanian
- Luxembou..
- Macedonian
- Malagasy
- Malay
- Malayalam
- Maltese
- Maori
- Marathi
- Mongolian
- Burmese
- Nepali
- Norwegian
- Pashto
- Persian
- Punjabi
- Serbian
- Sesotho
- Sinhala
- Slovak
- Slovenian
- Somali
- Samoan
- Scots Gaelic
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- Ukrainian
- Urdu
- Uzbek
- Vietnamese
- Welsh
- Xhosa
- Yiddish
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur