Si epitaksinės dalys

CVD SiC dengti komponentai silicio epitaksijai (Si Epi)

Mūsų CVD SiC dengti susceptoriai, palydoviniai diskai ir terminio lauko komponentai, tiksliai suprojektuoti pavienių plokštelių ir partijų silicio epitaksinio nusodinimo sistemoms, užtikrina išskirtinį terminį vienodumą ir nulinį dujų išsiskyrimą. Didelio tankio kubinis β-SiC dangos sluoksnis visiškai apgaubia didelio grynumo grafito substratą, užkertant kelią reaktyviam dujų ėsdinimui (SiH₄, SiH₂Cl₂, HCl) ir užtikrinant itin mažą metalinių priemaišų kiekį (< 5 ppm) aukštos temperatūros Si Epi apdorojimo metu (1000 °C–1200 °C).

Terminio lauko vienodumas

Kontroliuojamas spinduliavimo gebėjimas užtikrina tikslų plėvelės storio nuoseklumą nuo krašto iki centro.

Atsparumas HCl ėsdinimui

Užtikrina patikimą apsaugą nuo cheminių medžiagų, naudojamų valyti kamerą vietoje, ir terminių šokų.

OEM sistemos suderinamumas

Tiksliai apdirbta CNC staklėmis, kad tiktų įprastiems 200 mm / 300 mm vienos plokštelės „Epi“ įrankiams („Applied Materials“, ASM).

Techninis parametras	Specifikacijos vertė	Standartas / bandymo metodas
Dangos medžiaga	CVD β-SiC (kubinė fazė)	Didelio tankio kristalinė struktūra
Pagrindo medžiaga	Itin grynas izostatinis grafitas	Tankis: 1,82–1,88 g/cm³
Cheminis grynumas	Bendras priemaišų kiekis < 5 ppm	GDMS išbandyta
Dangos storis	80 μm–150 μm	Vienodumas ≤ ±5%