MOCVD Susceptor Beli dalam talian di China, Sic Graphitesuseptor epitaksi,
Karbon membekalkan suseptor, EPITAKSI DAN MOCVD, suseptor epitaksi, Suseptor Grafit, Epitaksi SiC,

Salutan CVD-SiC mempunyai ciri-ciri struktur seragam, bahan padat, rintangan suhu tinggi, rintangan pengoksidaan, ketulenan tinggi, rintangan asid & alkali dan reagen organik, dengan sifat fizikal dan kimia yang stabil.

Berbanding dengan bahan grafit berketulenan tinggi, grafit mula teroksida pada suhu 400°C, yang akan menyebabkan kehilangan serbuk akibat pengoksidaan, mengakibatkan pencemaran alam sekitar pada peranti periferal dan ruang vakum, dan meningkatkan kekotoran persekitaran berketulenan tinggi.

Walau bagaimanapun, salutan SiC boleh mengekalkan kestabilan fizikal dan kimia pada 1600 darjah, Ia digunakan secara meluas dalam industri moden, terutamanya dalam industri semikonduktor.

Syarikat kami menyediakan perkhidmatan proses salutan SiC melalui kaedah CVD pada permukaan grafit, seramik dan bahan lain, supaya gas khas yang mengandungi karbon dan silikon bertindak balas pada suhu tinggi untuk mendapatkan molekul SiC ketulenan tinggi, molekul yang termendap pada permukaan bahan bersalut, membentuk lapisan pelindung SIC. SIC yang terbentuk terikat kuat pada asas grafit, memberikan sifat khas asas grafit, sekali gus menjadikan permukaan grafit padat, bebas keliangan, tahan suhu tinggi, tahan kakisan dan tahan pengoksidaan.

Permohonan:

Ciri-ciri utama:

1. Rintangan pengoksidaan suhu tinggi:

Rintangan pengoksidaan masih sangat baik apabila suhu setinggi 1700 C.

2. Ketulenan tinggi: dihasilkan melalui pemendapan wap kimia di bawah keadaan pengklorinan suhu tinggi.

3. Rintangan hakisan: kekerasan tinggi, permukaan padat, zarah halus.

4. Rintangan kakisan: reagen asid, alkali, garam dan organik.

Spesifikasi Utama Salutan CVD-SIC:

Keupayaan Bekalan:

10000 Keping/Keping sebulan
Pembungkusan & Penghantaran:
Pembungkusan: Pembungkusan Standard & Kuat
Beg poli + Kotak + Kadbod + Palet
Pelabuhan:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Masa Pendahuluan: