MOCVD Susceptor Kjøp online i Kina, Sic Graphiteepitaksi-susceptorer,
Karbon forsyner susceptorer, EPITAXY OG MOCVD, epitaksi-susceptorer, Grafittmottakere, SiC-epitaksi,

CVD-SiC-belegg har egenskapene ensartet struktur, kompakt materiale, høy temperaturbestandighet, oksidasjonsbestandighet, høy renhet, syre- og alkaliresistens og organiske reagenser, med stabile fysiske og kjemiske egenskaper.

Sammenlignet med grafittmaterialer med høy renhet begynner grafitt å oksidere ved 400 °C, noe som vil føre til tap av pulver på grunn av oksidasjon, noe som resulterer i miljøforurensning av periferiutstyr og vakuumkamre, og øker urenheter i miljøet med høy renhet.

SiC-belegg kan imidlertid opprettholde fysisk og kjemisk stabilitet ved 1600 grader. Det er mye brukt i moderne industri, spesielt i halvlederindustrien.

Vårt firma tilbyr SiC-beleggingsprosesser ved hjelp av CVD-metoden på overflaten av grafitt, keramikk og andre materialer, slik at spesielle gasser som inneholder karbon og silisium reagerer ved høy temperatur for å oppnå SiC-molekyler med høy renhet. Molekylene avsettes på overflaten av det belagte materialet og danner et beskyttende SIC-lag. Det dannede SIC-laget er fast bundet til grafittbasen, noe som gir grafittbasen spesielle egenskaper. Grafittoverflaten blir kompakt, porøsitetsfri, har høy temperaturbestandighet, er korrosjonsbestandig og oksidasjonsbestandig.

Søknad:

Hovedfunksjoner:

1. Høy temperatur oksidasjonsmotstand:

Oksidasjonsmotstanden er fortsatt veldig god selv ved temperaturer så høye som 1700 C.

2. Høy renhet: laget ved kjemisk dampavsetning under høytemperaturkloreringsforhold.

3. Erosjonsmotstand: høy hardhet, kompakt overflate, fine partikler.

4. Korrosjonsbestandighet: syre, alkali, salt og organiske reagenser.

Hovedspesifikasjoner for CVD-SIC-belegg:

Forsyningsevne:

10000 stk/stykker per måned
Emballasje og levering:
Pakking: Standard og sterk pakking
Polypose + eske + kartong + pall
Havn:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Leveringstid: