ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਐਪੀਟੈਕਸੀ ਲਈ ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੇ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਹੀਟਰ ਹੱਲ

ਉੱਚ-ਤਾਪਮਾਨ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਜਿਵੇਂ ਕਿ MOCVD (ਧਾਤੂ-ਜੈਵਿਕ ਰਸਾਇਣਕ ਭਾਫ਼ ਜਮ੍ਹਾ) ਅਤੇ SiC ਐਪੀਟੈਕਸੀਅਲ ਵਿਕਾਸ ਵਿੱਚ, ਥਰਮਲ ਫੀਲਡ ਨਿਯੰਤਰਣ ਸਿੱਧੇ ਤੌਰ 'ਤੇ ਫਿਲਮ ਜਮ੍ਹਾ ਮੋਟਾਈ ਇਕਸਾਰਤਾ, ਡੋਪਿੰਗ ਗਾੜ੍ਹਾਪਣ, ਅਤੇ ਅੰਤਮ ਵੇਫਰ ਉਪਜ ਨੂੰ ਨਿਰਧਾਰਤ ਕਰਦਾ ਹੈ। ਇੱਕ ਮੁੱਖ ਥਰਮਲ ਫੀਲਡ ਕੰਪੋਨੈਂਟ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ,ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲਾ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਹੀਟਰਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਖਰਾਬ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਗੈਸ ਵਾਤਾਵਰਣਾਂ ਦੇ ਅੰਦਰ 1600°C ਤੋਂ ਵੱਧ ਤਾਪਮਾਨਾਂ ਦੇ ਅਧੀਨ ਸਥਿਰ ਅਤੇ ਨਿਰੰਤਰ ਕੰਮ ਕਰਨਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ। ਪ੍ਰਮਾਣਿਕ ​​ਗਾਹਕ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ ਕੇਸ ਸਟੱਡੀਜ਼ ਨੂੰ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਉਤਪਾਦ ਗਿਆਨ ਨਾਲ ਜੋੜਦੇ ਹੋਏ, ਇਹ ਲੇਖ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਵੇਫਰ ਨਿਰਮਾਣ ਵਿੱਚ ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੇ ਗ੍ਰਾਫਾਈਟ ਹੀਟਰਾਂ ਦੇ ਤਕਨੀਕੀ ਫਾਇਦਿਆਂ, ਢਾਂਚਾਗਤ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਅਤੇ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਭੂਮਿਕਾ ਦਾ ਡੂੰਘਾਈ ਨਾਲ ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦਾ ਹੈ।

MOCVD ਸਿਸਟਮਾਂ ਲਈ ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲਾ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਹੀਟਰ ਕਿਉਂ ਚੁਣੋ?

MOCVD ਅਤੇ GaN/SiC ਐਪੀਟੈਕਸੀ ਵਰਗੀਆਂ ਨਾਜ਼ੁਕ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਵਿੱਚ, ਤਾਪਮਾਨ ਦੇ ਮਾਮੂਲੀ ਉਤਰਾਅ-ਚੜ੍ਹਾਅ (>2°C) ਵੀ ਐਪੀਟੈਕਸੀਅਲ ਪਰਤ ਵਿੱਚ ਤਰੰਗ-ਲੰਬਾਈ ਵਿੱਚ ਤਬਦੀਲੀਆਂ ਜਾਂ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਨੁਕਸ ਪੈਦਾ ਕਰ ਸਕਦੇ ਹਨ। ਉੱਚ ਥਰਮਲ ਚਾਲਕਤਾ (100–150 W/m·K) ਅਤੇ ਥਰਮਲ ਵਿਸਥਾਰ (CTE) ਦੇ ਇੱਕ ਬਹੁਤ ਹੀ ਘੱਟ ਗੁਣਾਂਕ ਦਾ ਲਾਭ ਉਠਾਉਂਦੇ ਹੋਏ, ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੇ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਸਮੱਗਰੀ ਪੂਰੇ ਸਸੈਪਟਰ ਅਤੇ ਵੇਫਰ ਸਤਹ ਵਿੱਚ ਸੁਚਾਰੂ ਅਤੇ ਤੇਜ਼ੀ ਨਾਲ ਗਰਮੀ ਦਾ ਸੰਚਾਲਨ ਕਰਦੇ ਹਨ।

ਤਾਪਮਾਨ ਖੇਤਰ ਇਕਸਾਰਤਾ ਅਤੇ ਮਲਟੀ-ਜ਼ੋਨ ਨਿਯੰਤਰਣ

ਐਪੀਟੈਕਸੀ ਚੈਂਬਰ ਦੇ ਕਿਨਾਰਿਆਂ 'ਤੇ ਥਰਮਲ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਦੇ ਨੁਕਸਾਨ ਦਾ ਮੁਕਾਬਲਾ ਕਰਨ ਲਈ, ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੇ ਗ੍ਰਾਫਾਈਟ ਹੀਟਰ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਇੱਕ ਮਲਟੀ-ਜ਼ੋਨ ਸੁਤੰਤਰ ਤਾਪਮਾਨ ਨਿਯੰਤਰਣ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਨੂੰ ਸ਼ਾਮਲ ਕਰਦੇ ਹਨ। ਸਟੀਕ ਰੋਧਕ ਜ਼ੋਨਿੰਗ ਸਮਾਯੋਜਨ ਦੁਆਰਾ, ਇੰਜੀਨੀਅਰ ਚੈਂਬਰ ਫਲੋ ਫੀਲਡ ਦੀਆਂ ਥਰਮਲ ਨੁਕਸਾਨ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ ਸਰਕਟ ਕਰਾਸ-ਸੈਕਸ਼ਨਲ ਖੇਤਰਾਂ ਅਤੇ ਬਿਜਲੀ ਰੋਧਕ ਨੂੰ ਅਨੁਕੂਲਿਤ ਕਰਦੇ ਹਨ। ਇਹ ਵੇਫਰ ਵਿਕਾਸ ਖੇਤਰ ਵਿੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਖੇਤਰ ਦੇ ਭਿੰਨਤਾ ਨੂੰ ±1°C ਦੇ ਅੰਦਰ ਸਖਤੀ ਨਾਲ ਬਣਾਈ ਰੱਖਦਾ ਹੈ, ਡਿਸਕ 'ਤੇ ਸਾਰੇ ਵੇਫਰਾਂ ਵਿੱਚ ਬਿਜਲੀ ਦੀ ਇਕਸਾਰਤਾ ਦੀ ਗਰੰਟੀ ਦਿੰਦਾ ਹੈ।

ਸੁਆਹ ਸਮੱਗਰੀ ਨਿਯੰਤਰਣ ਅਤੇ ਅਤਿ-ਸ਼ੁੱਧ ਵਾਤਾਵਰਣ ਭਰੋਸਾ

ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਐਪੀਟੈਕਸੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਧਾਤੂ ਅਸ਼ੁੱਧੀਆਂ ਪ੍ਰਤੀ ਬਹੁਤ ਸੰਵੇਦਨਸ਼ੀਲ ਹੁੰਦੀਆਂ ਹਨ। ਸਟੈਂਡਰਡ ਇੰਡਸਟਰੀਅਲ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਵਿੱਚ ਲੋਹਾ (Fe), ਨਿੱਕਲ (Ni), ਅਤੇ ਤਾਂਬਾ (Cu) ਵਰਗੇ ਟਰੇਸ ਧਾਤੂ ਤੱਤ ਹੁੰਦੇ ਹਨ, ਜੋ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ 'ਤੇ ਐਪੀਟੈਕਸੀਅਲ ਪਰਤ ਵਿੱਚ ਆਸਾਨੀ ਨਾਲ ਅਸਥਿਰ ਹੋ ਜਾਂਦੇ ਹਨ ਅਤੇ ਫੈਲ ਜਾਂਦੇ ਹਨ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਡਿਵਾਈਸ ਬ੍ਰੇਕਡਾਊਨ ਵੋਲਟੇਜ ਅਤੇ ਕੈਰੀਅਰ ਗਤੀਸ਼ੀਲਤਾ ਨਾਲ ਸਮਝੌਤਾ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੇ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਹੀਟਰ ਉੱਚ-ਤਾਪਮਾਨ ਕਲੋਰੀਨੇਸ਼ਨ ਸ਼ੁੱਧੀਕਰਨ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਵਿੱਚੋਂ ਗੁਜ਼ਰਦੇ ਹਨ, ਕੁੱਲ ਸੁਆਹ ਸਮੱਗਰੀ ਨੂੰ 5 ppm ਤੋਂ ਘੱਟ (ਅਤੇ ਉੱਚ-ਅੰਤ ਵਾਲੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਗ੍ਰੇਡ ਲਈ 2 ppm ਤੋਂ ਘੱਟ) ਤੱਕ ਘਟਾਉਂਦੇ ਹਨ, ਸਰੋਤ 'ਤੇ ਥਰਮਲ ਫੀਲਡ ਅਸ਼ੁੱਧੀਆਂ ਤੋਂ ਐਪੀਟੈਕਸੀਅਲ ਵੇਫਰਾਂ ਦੇ ਕਰਾਸ-ਦੂਸ਼ਣ ਨੂੰ ਰੋਕਦੇ ਹਨ।

ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਵੇਫਰ ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ ਵਿੱਚ ਉੱਨਤ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਹੀਟਿੰਗ ਐਲੀਮੈਂਟਸ

ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਹੀਟਿੰਗ ਐਲੀਮੈਂਟ ਕਮਰੇ ਦੇ ਤਾਪਮਾਨ ਤੋਂ ਲੈ ਕੇ ਹਜ਼ਾਰਾਂ ਡਿਗਰੀ ਸੈਲਸੀਅਸ ਤੱਕ ਅਕਸਰ ਤੇਜ਼ ਹੀਟਿੰਗ ਅਤੇ ਕੂਲਿੰਗ ਚੱਕਰਾਂ ਵਿੱਚੋਂ ਗੁਜ਼ਰਦੇ ਹਨ। ਧਾਤ ਦੀਆਂ ਹੀਟਿੰਗ ਤਾਰਾਂ (ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਟੰਗਸਟਨ ਜਾਂ ਮੋਲੀਬਡੇਨਮ) ਦੇ ਉਲਟ, ਜੋ ਉੱਚੇ ਤਾਪਮਾਨ 'ਤੇ ਦੁਬਾਰਾ ਕ੍ਰਿਸਟਲਾਈਜ਼ ਹੁੰਦੀਆਂ ਹਨ, ਭੁਰਭੁਰਾ ਬਣ ਜਾਂਦੀਆਂ ਹਨ, ਜਾਂ ਝੁਲਸ ਜਾਂਦੀਆਂ ਹਨ, ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਇੱਕ ਵਿਲੱਖਣ ਭੌਤਿਕ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਿਤ ਕਰਦੀ ਹੈ: ਤਾਪਮਾਨ ਦੇ ਨਾਲ ਤਾਕਤ ਵਧਦੀ ਹੈ।

ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ 'ਤੇ ਮਕੈਨੀਕਲ ਤਾਕਤ ਅਤੇ ਢਾਂਚਾਗਤ ਥਕਾਵਟ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ

ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਦੀ ਤਣਾਅਪੂਰਨ ਅਤੇ ਲਚਕੀਲਾ ਤਾਕਤ ਤਾਪਮਾਨ ਵਧਣ ਦੇ ਨਾਲ ਵਧਦੀ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ 2000°C ਅਤੇ 2500°C ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਸਿਖਰ 'ਤੇ ਪਹੁੰਚਦੀ ਹੈ। ਇਹ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾ ਇਹ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ ਕਿ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਹੀਟਰਾਂ ਨੂੰ ਤੀਬਰ ਥਰਮਲ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਅਤੇ ਉੱਚ-ਤਾਪਮਾਨ ਸੰਚਾਲਨ ਦੇ ਅਧੀਨ ਕੋਈ ਮਕੈਨੀਕਲ ਝੁਕਣ ਜਾਂ ਢਾਂਚਾਗਤ ਭੰਜਨ ਦਾ ਸਾਹਮਣਾ ਨਹੀਂ ਕਰਨਾ ਪੈਂਦਾ। ਸਿੱਟੇ ਵਜੋਂ, ਲੰਬੇ ਸੰਚਾਲਨ ਚੱਕਰਾਂ ਵਿੱਚ ਬਿਜਲੀ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਸਥਿਰਤਾ ਸੁਰੱਖਿਅਤ ਰਹਿੰਦੀ ਹੈ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਗੈਰ-ਯੋਜਨਾਬੱਧ ਰੱਖ-ਰਖਾਅ ਡਾਊਨਟਾਈਮ ਵਿੱਚ ਨਾਟਕੀ ਢੰਗ ਨਾਲ ਕਮੀ ਆਉਂਦੀ ਹੈ।

ਸ਼ੁੱਧਤਾ 3D ਮਸ਼ੀਨਿੰਗ ਅਤੇ ਗੁੰਝਲਦਾਰ ਸਰਕਟ ਲੇਆਉਟ

ਆਧੁਨਿਕ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਰਿਐਕਟਰ ਬਹੁਤ ਹੀ ਸੰਖੇਪ ਸਥਾਨਿਕ ਲੇਆਉਟ ਦੀ ਮੰਗ ਕਰਦੇ ਹਨ। ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੇ ਗ੍ਰਾਫਾਈਟ ਵਿੱਚ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਮਸ਼ੀਨੀਬਿਲਟੀ ਹੈ ਅਤੇ ਇਸਨੂੰ ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ 5-ਧੁਰੀ CNC ਮਸ਼ੀਨਿੰਗ ਦੁਆਰਾ ਗੁੰਝਲਦਾਰ ਸਰਕਟ ਪੈਟਰਨਾਂ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰੋਸੈਸ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ—ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਤਿੰਨ-ਪੜਾਅ ਵਾਲੇ ਥਰਿੱਡਡ ਢਾਂਚੇ, ਸਰਪੈਂਟਾਈਨ ਫੋਲਡ ਮਾਰਗ, ਅਤੇ ਦੋਹਰੇ-ਹੈਲਿਕਸ ਸਟੈਗਰਡ ਸਰਕਟ। ਇਹ ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੇ ਜਿਓਮੈਟ੍ਰਿਕ ਸੰਰਚਨਾਵਾਂ ਸੀਮਤ ਜਗ੍ਹਾ ਦੇ ਅੰਦਰ ਹੀਟਿੰਗ ਸਤਹ ਖੇਤਰ ਨੂੰ ਵੱਧ ਤੋਂ ਵੱਧ ਕਰਦੀਆਂ ਹਨ, ਘੱਟ ਇੰਡਕਟੈਂਸ ਪ੍ਰਭਾਵਾਂ ਦੇ ਨਾਲ ਉੱਚ ਪਾਵਰ ਘਣਤਾ ਆਉਟਪੁੱਟ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਦੀਆਂ ਹਨ।

SiC ਕੋਟੇਡ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਹੀਟਰ ਦੇ ਮੁੱਖ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਫਾਇਦੇ

ਉੱਚ-ਤਾਪਮਾਨ ਵਾਲੇ ਹਾਈਡ੍ਰੋਜਨ ਘਟਾਉਣ ਵਾਲੇ ਵਾਯੂਮੰਡਲ ਜਾਂ ਕਲੋਰੀਨ/ਫਲੋਰੀਨ ਵਾਲੀਆਂ ਐਚਿੰਗ ਗੈਸਾਂ ਵਰਗੇ ਕਠੋਰ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਵਾਤਾਵਰਣਾਂ ਦਾ ਸਾਹਮਣਾ ਕਰਨ ਲਈ, ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੇ ਗ੍ਰਾਫਾਈਟ ਸਬਸਟਰੇਟ ਦੀ ਸਤ੍ਹਾ 'ਤੇ ਇੱਕ ਸੰਘਣੀ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਪਰਤ (CVD SiC ਕੋਟਿੰਗ) ਜਮ੍ਹਾ ਕਰਨਾ ਉਦਯੋਗ-ਮਿਆਰੀ ਹੱਲ ਬਣ ਗਿਆ ਹੈ।

ਹਾਈਡ੍ਰੋਜਨ ਐਚਿੰਗ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਅਤੇ ਜ਼ੀਰੋ ਪਾਰਟੀਕਲ ਸ਼ੈਡਿੰਗ

SiC ਅਤੇ ਸਿਲੀਕਾਨ ਐਪੀਟੈਕਸੀ ਦੌਰਾਨ, H ਦੀ ਉੱਚ ਗਾੜ੍ਹਾਪਣ₂ਗੈਸ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨਾਂ 'ਤੇ ਬਿਨਾਂ ਕੋਟ ਕੀਤੇ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਨੂੰ ਬੁਰੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਖੋਦਦੀ ਹੈ (ਹਾਈਡ੍ਰੋਜਨ ਐਚਿੰਗ ਮੀਥੇਨ ਗੈਸ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ), ਜਿਸ ਨਾਲ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਸਤ੍ਹਾ ਢਿੱਲੀ ਹੋ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਫਲੇਕਿੰਗ ਹੋਣ ਦੀ ਸੰਭਾਵਨਾ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਕਣਾਂ ਦੀ ਗੰਦਗੀ ਪੈਦਾ ਹੁੰਦੀ ਹੈ। ਇੱਕ ਸੰਘਣੀ CVD SiC ਕੋਟਿੰਗ 100% ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਸਤ੍ਹਾ 'ਤੇ ਸੂਖਮ-ਛਿਦ੍ਰਾਂ ਨੂੰ ਸੀਲ ਕਰਦੀ ਹੈ, ਗੈਸ ਦੇ ਕਟੌਤੀ ਨੂੰ ਪੂਰੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਅਲੱਗ ਕਰਦੀ ਹੈ ਅਤੇ ਜ਼ੀਰੋ ਕਣ ਸ਼ੈਡਿੰਗ ਦੇ ਨਾਲ ਇੱਕ ਅਤਿ-ਸਾਫ਼ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਵਾਤਾਵਰਣ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ।

ਹਮਲਾਵਰ ਮੀਡੀਆ ਵਿੱਚ ਟਿਕਾਊਤਾ ਅਤੇ ਮਾਲਕੀ ਦੀ ਕੁੱਲ ਲਾਗਤ (TCO) ਵਿੱਚ ਕਮੀ

HCl ਅਤੇ NH ਵਰਗੀਆਂ ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਕਿਰਿਆਸ਼ੀਲ ਗੈਸਾਂ ਵਾਲੇ ਪ੍ਰਤੀਕ੍ਰਿਆ ਵਾਤਾਵਰਣਾਂ ਵਿੱਚ₃, CVD SiC ਕੋਟਿੰਗਾਂ ਉੱਤਮ ਰਸਾਇਣਕ ਜੜਤਾ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਿਤ ਕਰਦੀਆਂ ਹਨ। ਇਹ ਨਾ ਸਿਰਫ਼ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਸਬਸਟਰੇਟ ਨੂੰ ਖੋਰ ਤੋਂ ਬਚਾਉਂਦੀਆਂ ਹਨ ਬਲਕਿ ਹੀਟਿੰਗ ਤੱਤਾਂ ਦੇ ਬਦਲਵੇਂ ਚੱਕਰ ਨੂੰ ਵੀ ਵਧਾਉਂਦੀਆਂ ਹਨ (ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਸੇਵਾ ਜੀਵਨ ਨੂੰ 200% ਤੋਂ ਵੱਧ ਵਧਾਉਂਦੀਆਂ ਹਨ)। ਇਹ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਫੈਬ ਦੀ ਕੁੱਲ ਮਾਲਕੀ ਲਾਗਤ (TCO) ਅਤੇ ਪ੍ਰਤੀ ਵੇਫਰ ਅਮੋਰਟਾਈਜ਼ਡ ਲਾਗਤ ਨੂੰ ਕਾਫ਼ੀ ਹੱਦ ਤੱਕ ਘਟਾਉਂਦੀ ਹੈ।

ਕੇਸ ਸਟੱਡੀ: SiC ਐਪੀਟੈਕਸੀ ਵਿੱਚ ਥਰਮਲ ਇਕਸਾਰਤਾ ਅਤੇ ਕਣਾਂ ਦੇ ਪ੍ਰਦੂਸ਼ਣ ਨੂੰ ਹੱਲ ਕਰਨਾ

ਗਾਹਕ ਦੇ ਦਰਦ ਦੇ ਨੁਕਤੇ:ਜਰਮਨੀ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਮਸ਼ਹੂਰ ਤੀਜੀ ਪੀੜ੍ਹੀ ਦੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਐਪੀਟੈਕਸੀ ਨਿਰਮਾਤਾ ਨੂੰ 6-ਇੰਚ SiC ਐਪੀਟੈਕਸੀਅਲ ਵਾਧੇ ਦੌਰਾਨ ਦੋ ਗੰਭੀਰ ਰੁਕਾਵਟਾਂ ਦਾ ਸਾਹਮਣਾ ਕਰਨਾ ਪਿਆ (ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਤਾਪਮਾਨ 1650°C, H₂+ TCS ਵਾਯੂਮੰਡਲ): ਪਹਿਲਾਂ, ਵੇਫਰ ਦੇ ਕਿਨਾਰਿਆਂ 'ਤੇ ਐਪੀਟੈਕਸੀਅਲ ਪਰਤ ਦੀ ਮੋਟਾਈ ਭਟਕਣਾ ±3.8% ਤੱਕ ਪਹੁੰਚ ਗਈ, ਜਿਸ ਕਾਰਨ ਕਿਨਾਰੇ ਵਾਲੇ ਯੰਤਰ ਅਸਫਲ ਹੋ ਗਏ। ਦੂਜਾ, ਅਸਲ OEM ਗ੍ਰਾਫਾਈਟ ਹੀਟਰ ਨੇ ਸਿਰਫ 120 ਘੰਟਿਆਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਤੋਂ ਬਾਅਦ ਗੰਭੀਰ ਸਤਹ ਹਾਈਡ੍ਰੋਜਨ ਐਚਿੰਗ ਅਤੇ ਸਪੈਲਿੰਗ ਦਾ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਕੀਤਾ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਪ੍ਰਤੀਕ੍ਰਿਆ ਚੈਂਬਰ ਵਿੱਚ ਕਣਾਂ ਦੇ ਡਿੱਗਣ ਦਾ ਵਾਧਾ ਹੋਇਆ - ਔਸਤਨ 3× ਗੁਣਵੱਤਾ ਨੁਕਸ ਘਣਤਾ ਥ੍ਰੈਸ਼ਹੋਲਡ ਤੋਂ ਵੱਧ।

VET ਊਰਜਾ ਨਿਦਾਨ ਅਤੇ ਕਸਟਮ ਹੱਲ

ਸ਼ਮੂਲੀਅਤ ਤੋਂ ਬਾਅਦ, VET ਐਨਰਜੀ ਇੰਜੀਨੀਅਰਿੰਗ ਟੀਮ ਨੇ ਮੂਲ OEM ਹੀਟਰ 'ਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋ-ਥਰਮਲ ਅਤੇ ਤਰਲ-ਪ੍ਰਵਾਹ ਜੋੜੀ ਸਿਮੂਲੇਸ਼ਨ ਕੀਤੇ। ਨਿਦਾਨ ਨੇ ਕਿਨਾਰਿਆਂ 'ਤੇ ਨਾਕਾਫ਼ੀ ਹੀਟਿੰਗ ਪਾਵਰ ਮੁਆਵਜ਼ਾ ਅਤੇ ਸਤਹ SiC ਕੋਟਿੰਗ ਵਿੱਚ ਸੂਖਮ-ਪੋਰਸ/ਥਰਮਲ ਤਣਾਅ ਦਰਾਰਾਂ ਦਾ ਖੁਲਾਸਾ ਕੀਤਾ (ਕੋਟਿੰਗ ਮੋਟਾਈ ਕਮਜ਼ੋਰ ਅਡੈਸ਼ਨ ਦੇ ਨਾਲ ਸਿਰਫ 60μm ਸੀ)। ਜਵਾਬ ਵਿੱਚ, VET ਐਨਰਜੀ ਨੇ ਇੱਕ ਨਿਸ਼ਾਨਾ ਇੰਜੀਨੀਅਰਿੰਗ ਹੱਲ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕੀਤਾ:

• ਥਰਮਲ ਫੀਲਡ ਸਟ੍ਰਕਚਰਲ ਓਪਟੀਮਾਈਜੇਸ਼ਨ:ਸਥਾਨਕ ਪਾਵਰ ਘਣਤਾ ਨੂੰ ਵਧਾਉਣ ਲਈ, 3-ਜ਼ੋਨ ਸੁਤੰਤਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਨਿਯੰਤਰਣ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਲਾਗੂ ਕੀਤਾ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਕਿਨਾਰਿਆਂ ਦੇ ਡਿਸਸੀਪੇਸ਼ਨ ਜ਼ੋਨਾਂ ਦੇ ਨੇੜੇ ਜਿਓਮੈਟ੍ਰਿਕ ਹੀਟਿੰਗ ਕਰਾਸ-ਸੈਕਸ਼ਨ ਨੂੰ 8% ਤੱਕ ਘਟਾਇਆ ਗਿਆ।
• ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਸਬਸਟਰੇਟ ਅੱਪਗ੍ਰੇਡ:ਚੁਣਿਆ ਗਿਆ ਉੱਚ-ਘਣਤਾ ਵਾਲਾ ਆਈਸੋਟ੍ਰੋਪਿਕ ਆਈਸੋਸਟੈਟਿਕ ਗ੍ਰਾਫਾਈਟ <2 ppm ਸੁਆਹ ਸਮੱਗਰੀ ਦੇ ਨਾਲ, ਜੋ ਕਿ SiC ਕੋਟਿੰਗ (CTE ਮੇਲ ਖਾਂਦਾ >98%) ਦੇ ਨਾਲ ਥਰਮਲ ਵਿਸਥਾਰ (CTE) ਦੇ ਗੁਣਾਂਕ ਨਾਲ ਬਿਲਕੁਲ ਮੇਲ ਖਾਂਦਾ ਹੈ।
• CVD SiC ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਅੱਪਗ੍ਰੇਡ:ਇੱਕ ਵਧੀ ਹੋਈ CVD ਜਮ੍ਹਾਂ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕੀਤੀ, ਸਤਹ SiC ਕੋਟਿੰਗ ਦੀ ਮੋਟਾਈ ਨੂੰ 150 ± 10 μm ਤੱਕ ਵਧਾ ਦਿੱਤਾ, ਇੱਕ ਸੰਘਣੀ, ਪੋਰ-ਮੁਕਤ ਅਨਾਜ ਬਣਤਰ ਦੇ ਨਾਲ ਜੋ 1700° CH ਦਾ ਵਿਰੋਧ ਕਰਨ ਦੇ ਸਮਰੱਥ ਹੈ।₂ਫਲੱਸ਼ਿੰਗ

ਲਾਗੂਕਰਨ ਦੇ ਨਤੀਜੇ ਅਤੇ ਗਾਹਕ ਮੁੱਲ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕੀਤਾ ਗਿਆ

ਲਗਾਤਾਰ 30 ਦਿਨਾਂ ਦੀ ਉਤਪਾਦਨ ਲਾਈਨ ਤਸਦੀਕ ਤੋਂ ਬਾਅਦ, ਗਾਹਕ ਨੇ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਸੁਧਾਰਾਂ ਦੀ ਰਿਪੋਰਟ ਕੀਤੀ: ਫੁੱਲ-ਵੇਫਰ ਐਪੀਟੈਕਸੀਅਲ ਮੋਟਾਈ ਇਕਸਾਰਤਾ (3mm ਕਿਨਾਰੇ ਨੂੰ ਬਾਹਰ ਕੱਢਣ ਸਮੇਤ) ਵਿੱਚ ਨਾਟਕੀ ਢੰਗ ਨਾਲ ਸੁਧਾਰ ਹੋਇਆ ਹੈ±3.8% ਤੋਂ ±0.8%; ਹੀਟਰ ਲਗਾਤਾਰ ਚੱਲਦਾ ਰਿਹਾ400 ਘੰਟਿਆਂ ਤੋਂ ਵੱਧਬਿਨਾਂ ਕਿਸੇ ਕੋਟਿੰਗ ਦੇ ਕ੍ਰੈਕਿੰਗ ਜਾਂ ਸਤ੍ਹਾ ਦੇ ਸਪੈਲਿੰਗ ਦੇ; ਸਿੰਗਲ-ਰਨ ਚੈਂਬਰ ਕਣ ਨੁਕਸ (>0.5μm) ਸਨ85% ਘਟਾਇਆ ਗਿਆ. ਇਸ ਨਾਲ ਪ੍ਰਤੀ ਵੇਫਰ ਪ੍ਰਾਈਮ ਚਿੱਪ ਉਪਜ ਵਿੱਚ ਸਿੱਧੇ ਤੌਰ 'ਤੇ 12% ਵਾਧਾ ਹੋਇਆ ਅਤੇ ਸਾਲਾਨਾ ਉਪਕਰਣਾਂ ਦੇ ਰੱਖ-ਰਖਾਅ ਦੀ ਲਾਗਤ ਲਗਭਗ ਘਟੀ€85,000.

ਅਕਸਰ ਪੁੱਛੇ ਜਾਣ ਵਾਲੇ ਸਵਾਲ