SiC ਐਪੀਟੈਕਸੀਅਲ ਵਿਕਾਸ ਲਈ ਉੱਨਤ CVD ਕੋਟਿੰਗਸ
ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਥਰਮਲ ਤਣਾਅ (1500°C - 1700°C) ਦੇ ਅਧੀਨ ਕੰਮ ਕਰਨ ਵਾਲੀਆਂ ਉੱਚ-ਸ਼ਕਤੀ ਵਾਲੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਡਿਵਾਈਸ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆਵਾਂ ਲਈ ਤਿਆਰ ਕੀਤੇ ਗਏ, ਸਾਡੇ CVD SiC ਅਤੇ TaC ਕੋਟੇਡ ਪਲੈਨੇਟਰੀ ਸਸੈਪਟਰ, ਸੈਟੇਲਾਈਟ ਡਿਸਕ, ਅਤੇ ਗੈਸ ਡਿਫਲੈਕਟਰ ਉੱਤਮਤਾ ਲਈ ਬਣਾਏ ਗਏ ਹਨ। ਕਣ ਪੈਦਾ ਕਰਨ, ਸਤਹ ਦੇ ਪਤਨ, ਅਤੇ ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆਸ਼ੀਲ ਗੈਸ ਐਚਿੰਗ (H₂, SiH₄, C₃H∯) ਨੂੰ ਰੋਕਣ ਲਈ ਤਿਆਰ ਕੀਤੇ ਗਏ, ਸਾਡੇ ਉੱਨਤ ਕੋਟਿੰਗ ਲੰਬੇ ਕਾਰਜਸ਼ੀਲ ਜੀਵਨ ਕਾਲ, ਉੱਤਮ ਡੋਪੈਂਟ ਨਿਯੰਤਰਣ, ਅਤੇ ਉੱਚ ਫਿਲਮ ਮੋਟਾਈ ਇਕਸਾਰਤਾ ਨੂੰ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਂਦੇ ਹਨ।6-ਇੰਚ ਅਤੇ 8-ਇੰਚ SiC ਐਪੀਟੈਕਸੀਅਲ ਵੇਫਰ.
ਅਤਿ-ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਸਥਿਰਤਾ
ਗੰਭੀਰ H₂/ਸਿਲੇਨ ਘਟਾਉਣ ਵਾਲੇ ਵਾਤਾਵਰਣਾਂ ਵਿੱਚ 1700°C ਤੱਕ ਥਰਮਲ ਤੌਰ 'ਤੇ ਸਥਿਰ।
ਗਰੇਡੀਐਂਟ CTE ਮੈਚਿੰਗ
ਤੇਜ਼ ਥਰਮਲ ਚੱਕਰਾਂ ਦੌਰਾਨ ਕੋਟਿੰਗ ਡੀਲੇਮੀਨੇਸ਼ਨ, ਮਾਈਕ੍ਰੋ-ਕ੍ਰੈਕਿੰਗ ਅਤੇ ਸਪੈਲਿੰਗ ਨੂੰ ਖਤਮ ਕਰਦਾ ਹੈ।
8-ਇੰਚ ਵੇਫਰ ਸਕੇਲ ਤਿਆਰੀ
ਅਗਲੀ ਪੀੜ੍ਹੀ ਦੇ ਉੱਚ-ਥਰੂਪੁੱਟ SiC Epi ਰਿਐਕਟਰਾਂ (LPE, Aixtron, Nuflare) ਲਈ ਤਿਆਰ ਕੀਤੀ ਗਈ ਸ਼ੁੱਧਤਾ CNC ਮਸ਼ੀਨਿੰਗ।
| ਤਕਨੀਕੀ ਪੈਰਾਮੀਟਰ | ਨਿਰਧਾਰਨ ਮੁੱਲ | ਮਿਆਰੀ / ਟੈਸਟ ਵਿਧੀ |
|---|---|---|
| ਕੋਟਿੰਗ ਸਮੱਗਰੀ ਦੇ ਵਿਕਲਪ | CVD SiC / ਟੈਂਟਲਮ ਕਾਰਬਾਈਡ (TaC) | ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੀ ਹਰਮੇਟਿਕ ਪਰਤ |
| ਬੇਸ ਸਬਸਟ੍ਰੇਟ | ਸ਼ੁੱਧ ਆਈਸੋਸਟੈਟਿਕ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ | ਥੋਕ ਅਸ਼ੁੱਧਤਾ < 5 ਪੀਪੀਐਮ |
| ਥਰਮਲ ਸਦਮਾ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ | ਡੈਲਟਾ ਟੀ > 500°C ਰੈਂਪ ਰੇਟ | ਕੋਈ ਕ੍ਰੈਕਿੰਗ / ਪੀਲਿੰਗ ਨਹੀਂ |
| ਸਤ੍ਹਾ ਖੁਰਦਰੀ (Ra) | ≤ 0.4 μm (ਸ਼ੀਸ਼ੇ ਦੀ ਪਾਲਿਸ਼ ਕੀਤੀ) | ਵੇਫਰ ਸਟਿੱਕਿੰਗ ਅਤੇ ਕਣਾਂ ਨੂੰ ਰੋਕਦਾ ਹੈ |
