Ştiri

Stadiul cercetării circuitelor integrate SiC
de admin pe 22-08-23
Spre deosebire de dispozitivele discrete S1C care urmăresc caracteristici de înaltă tensiune, putere mare, frecvență înaltă și temperatură înaltă, obiectivul cercetării circuitelor integrate SiC este în principal obținerea unui circuit digital la temperatură înaltă pentru circuitele de control inteligente ale circuitelor integrate de putere. Deoarece circuitul integrat SiC este destinat...
Citeşte mai mult
Aplicarea dispozitivelor SiC în medii cu temperaturi ridicate
de admin pe 22-08-23
În echipamentele aerospațiale și auto, electronica funcționează adesea la temperaturi ridicate, cum ar fi motoarele de avioane, motoarele de mașini, navele spațiale în misiuni în apropierea soarelui și echipamentele pentru temperaturi ridicate din sateliți. Se utilizează dispozitivele obișnuite din Si sau GaAs, deoarece acestea nu funcționează la temperaturi foarte ridicate, așa că...
Citeşte mai mult
Dispozitive semiconductoare de suprafață de a treia generație - SiC (carbură de siliciu) și aplicațiile acestora
de admin pe 22-08-23
Ca nou tip de material semiconductor, SiC a devenit cel mai important material semiconductor pentru fabricarea dispozitivelor optoelectronice cu lungime de undă scurtă, a dispozitivelor la temperatură înaltă, a dispozitivelor rezistente la radiații și a dispozitivelor electronice de mare putere/putere mare, datorită proprietăților sale fizice și...
Citeşte mai mult
Utilizarea carburii de siliciu
de admin pe 22-08-23
Carbura de siliciu este cunoscută și sub denumirea de nisip de oțel auriu sau nisip refractar. Carbura de siliciu este fabricată din nisip de cuarț, cocs de petrol (sau cocs de cărbune), așchii de lemn (producția de carbură de siliciu verde necesită adăugarea de sare) și alte materii prime în cuptorul cu rezistență prin topire la temperatură înaltă. În prezent...
Citeşte mai mult
Introducere în energia hidrogenului și pilele de combustie
de admin pe 22-08-23
Pilele de combustie pot fi împărțite în pile de combustie cu membrană de schimb de protoni (PEMFC) și pile de combustie cu metanol direct, în funcție de proprietățile electrolitului și de combustibilul utilizat (DMFC), pile de combustie cu acid fosforic (PAFC), pile de combustie cu carbonat topit (MCFC), pile de combustie cu oxid solid (SOFC), pile de combustie alcaline (AFC) etc.
Citeşte mai mult
Domenii de aplicare ale SiC/SiC
de admin pe 22-08-23
SiC/SiC are o rezistență excelentă la căldură și va înlocui superaliajul în aplicațiile motoarelor aeronautice. Raportul împingere-greutate ridicat este obiectivul motoarelor aeronautice avansate. Cu toate acestea, odată cu creșterea raportului împingere-greutate, temperatura de admisie a turbinei continuă să crească, iar materialul existent din superaliaj...
Citeşte mai mult
Avantajul principal al fibrei de carbură de siliciu
de admin pe 22-08-23
Fibra de carbură de siliciu și fibra de carbon sunt ambele fibre ceramice cu rezistență ridicată și modul de rezistență ridicat. Comparativ cu fibra de carbon, miezul din fibră de carbură de siliciu are următoarele avantaje: 1. Performanță antioxidantă la temperaturi ridicate În aer la temperaturi ridicate sau în mediu aerob, carbura de siliciu...
Citeşte mai mult
Material semiconductor din carbură de siliciu
de admin pe 22-08-01
Materialul semiconductor din carbură de siliciu (SiC) este cel mai matur dintre semiconductorii cu bandă largă de interferență dezvoltați. Materialele semiconductoare SiC au un mare potențial de aplicare în dispozitive rezistente la temperaturi ridicate, frecvență înaltă, putere mare, fotoelectronice și radiații, datorită benzii lor largi...
Citeşte mai mult
Materialul din carbură de siliciu și caracteristicile sale
de admin pe 22-08-01
Dispozitivul semiconductor este nucleul echipamentelor industriale moderne, utilizat pe scară largă în computere, electronică de larg consum, comunicații de rețea, electronică auto și alte domenii ale nucleului, industria semiconductorilor fiind compusă în principal din patru componente de bază: circuite integrate, op...
Citeşte mai mult