OEM/ODM చైనా చైనా SIC డీజిల్ పార్టిక్యులేట్ ఫిల్టర్ ఇంజిన్ ఎగ్జాస్ట్ DPF కోసం

సంక్షిప్త వివరణ:


  • పుట్టిన ప్రదేశం :చైనా
  • స్ఫటిక నిర్మాణం :FCCβ దశ
  • సాంద్రత :3.21 గ్రా/సెం.మీ
  • కఠినత్వం :2500 వికర్స్
  • గింజ పరిమాణం :2~10μm
  • రసాయన స్వచ్ఛత :99.99995%
  • ఉష్ణ సామర్థ్యం:640J·kg-1·K-1
  • ఉత్పతనం ఉష్ణోగ్రత :2700℃
  • ఫెలెక్సురల్ స్ట్రెంత్ :415 Mpa (RT 4-పాయింట్)
  • యంగ్ మాడ్యులస్ :430 Gpa (4pt బెండ్, 1300℃)
  • ఉష్ణ వ్యాకోచం (CTE) :4.5 10-6K-1
  • ఉష్ణ వాహకత:300 (డబ్ల్యూ/ఎంకె)
  • ఉత్పత్తి వివరాలు

    ఉత్పత్తి ట్యాగ్‌లు

    మా అత్యాధునిక సాంకేతికతతో పాటు, మా ఆవిష్కరణ స్ఫూర్తి, పరస్పర సహకారం, ప్రయోజనాలు మరియు పురోగతితో, ఇంజిన్ ఎగ్జాస్ట్ DPF కోసం OEM/ODM చైనా సిక్ డీజిల్ పార్టిక్యులేట్ ఫిల్టర్ సరఫరా చేసే మీ గౌరవనీయ సంస్థతో కలిసి మేము ఒక సుసంపన్నమైన భవిష్యత్తును నిర్మిస్తాము. అంతేకాకుండా, సందర్శన కోసం వచ్చిన లేదా వారి కోసం ఇతర వస్తువులను కొనుగోలు చేయడానికి మమ్మల్ని నమ్మిన విదేశీ సన్నిహిత మిత్రులు కూడా చాలా మంది ఉన్నారు. చైనాకు, మా నగరానికి మరియు మా తయారీ కేంద్రానికి రావడానికి మీకు సాదర స్వాగతం!
    మా అత్యాధునిక సాంకేతిక పరిజ్ఞానంతో పాటు, మా ఆవిష్కరణ స్ఫూర్తి, పరస్పర సహకారం, ప్రయోజనాలు మరియు పురోగతితో, మీ గౌరవనీయ సంస్థతో కలిసి మేమంతా ఒక సుసంపన్నమైన భవిష్యత్తును నిర్మిస్తాము.సిరామిక్ తేనెగూడు, చైనా ఉత్ప్రేరకంఈ రోజు వరకు, మాకు USA, రష్యా, స్పెయిన్, ఇటలీ, సింగపూర్, మలేషియా, థాయ్‌లాండ్, పోలాండ్, ఇరాన్ మరియు ఇరాక్‌తో సహా ప్రపంచవ్యాప్తంగా వినియోగదారులు ఉన్నారు. అత్యుత్తమ నాణ్యత గల ఉత్పత్తులను ఉత్తమ ధరకు అందించడమే మా కంపెనీ లక్ష్యం. మీతో వ్యాపారం చేయడానికి మేము ఎదురుచూస్తున్నాము.
    ఉత్పత్తి వివరణ

    మా కంపెనీ గ్రాఫైట్, సిరామిక్స్ మరియు ఇతర పదార్థాల ఉపరితలంపై CVD పద్ధతి ద్వారా SiC పూత ప్రక్రియ సేవలను అందిస్తుంది. ఈ ప్రక్రియలో, కార్బన్ మరియు సిలికాన్ కలిగిన ప్రత్యేక వాయువులు అధిక ఉష్ణోగ్రత వద్ద చర్య జరిపి అధిక స్వచ్ఛత గల SiC అణువులను పొందుతాయి. ఈ అణువులు పూత పూసిన పదార్థాల ఉపరితలంపై నిక్షిప్తమై, SiC రక్షిత పొరను ఏర్పరుస్తాయి.

    ప్రధాన లక్షణాలు:

    1. అధిక ఉష్ణోగ్రత ఆక్సీకరణ నిరోధకత:

    ఉష్ణోగ్రత 1600 C అంత ఎక్కువగా ఉన్నప్పుడు కూడా ఆక్సీకరణ నిరోధకత చాలా బాగుంటుంది.

    2. అధిక స్వచ్ఛత: అధిక ఉష్ణోగ్రత క్లోరినేషన్ పరిస్థితులలో రసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ ద్వారా తయారు చేయబడింది.

    3. కోత నిరోధకత: అధిక కాఠిన్యం, కాంపాక్ట్ ఉపరితలం, సూక్ష్మ కణాలు.

    4. తుప్పు నిరోధకత: ఆమ్లం, క్షారం, లవణం మరియు సేంద్రీయ కారకాలు.

    CVD-SIC కోటింగ్ యొక్క ప్రధాన లక్షణాలు

    SiC-CVD లక్షణాలు

    స్ఫటిక నిర్మాణం FCC β దశ
    సాంద్రత గ్రా/సెం.మీ³ 3.21
    కఠినత్వం విక్కర్స్ కాఠిన్యం 2500
    ధాన్యం పరిమాణం μm 2~10
    రసాయన స్వచ్ఛత % 99.99995
    ఉష్ణ సామర్థ్యం J·kg-1 ·K-1 640
    ఉత్పతన ఉష్ణోగ్రత 2700
    ఫెలిక్యురల్ స్ట్రెంత్ MPa (RT 4-పాయింట్) 415
    యంగ్ మాడ్యులస్ జిపిఎ (4 పాయింట్ల వంపు, 1300℃) 430
    ఉష్ణ వ్యాకోచం (CTE) 10-6K-1 4.5
    ఉష్ణ వాహకత (డబ్ల్యూ/ఎమ్‌కె) 300

    1 2 3 4 5 6 7 8 9


  • మునుపటి:
  • తరువాత:

  • వాట్సాప్ ఆన్‌లైన్ చాట్ !